Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Журнал Радио

2004: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8
2003: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
2002: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
2000: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1999: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1998: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1971: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1947: 
1, 2, 3, 4, 5
1946: 
1, 2, 3, 4-5, 6-7, 8-9

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Журнал Радио 3 номер 1971 год.

Трансформаторный УНЧ на микросхеме 1ММ6

Инж. В. БАРАНОВ, инж. Э. САВОСТЬЯНОВ

В первом номере журнала «Радио» за 1970 г. было дано описание микросхемы 1ММ6. Ниже приводится электрическая схема и описание трансформаторного усилителя низкой частоты, содержащего одну микросхему 1ММ6 в предварительном усилителе.

Чувствительность усилителя при выходной мощности 50 мвт при сопротивлении нагрузки 6 ом составляет 3 мв. Неравномерность частотной характеристики в диапазоне 200—8000 гц не превышает 1 дб. Минимальная величина входного сопротивления усилителя — 40 ком. Если необходимо иметь Rвх более 40 ком, то следует ставить в первый каскад, транзистор, имеющий большую величину Вст. Так, например, при Вст равном 150, Rвх 400 ком, что позволяет использовать его в различной аппаратуре.

Зависимости максимальной выходной мощности Рмакс усилителя (при коэффициенте нелинейных искажений v равном 10%), номинальной выходной мощности Рном (v=2%) и коэффициента усиления по напряжению Кu oт напряжения источника питания Е и сопротивления нагрузки приведены в табл. 1.

Глубина регулировки тембра на частоте 5000 гц равна 14 дб по напряжению. Ток, потребляемый усилителем в режиме покоя, равен 4 ма при напряжении источника питания 9 в, или 20 ма, если используется источник питания напряжением 12,8 в. Диапазон рабочих температур от —20 до +50° С.

Принципиальная схема. УНЧ состоит из предварительного усилителя, собранного на транзисторах Т1 — T4 и двухтактного выходного каскада — на транзисторах Т5, Т6 (рис. 1). Применение гальванической связи между каскадами предварительного усилителя дает возможность получить более равномерную частотную характеристику на нижних частотах звукового диапазона и обеспечить высокую стабильность параметров усилителя.

Для получения большого входного сопротивления первый каскад на транзисторе Т1 собран по схеме эмиттерного повторителя.

Второй каскад собран по схеме с общим эмиттером. Резисторы и R8, стоящие в эмиттерной цепи транзистора Т2, обеспечивают требуемый режим по постоянному току и стабилизируют работу каскада. Отрицательная обратная связь по переменному току (резистор R7) увеличивает входное сопротивление и делает амплитудную характеристику более линейной. Нагрузкой каскада является резистор R6. Третий каскад нагружен на согласующий трансформатор Тр1. Транзисторы Т3 и Т4 включены последовательно по постоянному току с тем, чтобы не превысить предельно допустимого напряжения на коллекторе транзистора T4 микросхемы.

Для уменьшения коэффициента нелинейных искажений и улучшения частотной характеристики УНЧ применена глубокая отрицательная обратная связь (С11, R17, R12). Включение конденсатора С7 между резисторами R7 и R8 обеспечивает подъем частотной характеристики в области низких частот, компенсируя спад последних за счет трансформаторов. Резистор R10 предназначен для расширения линейного участка амплитудной характеристики третьего каскада.

Резистор R9 и конденсаторы С3, С4 образуют фильтр развязки. Стабилитрон Д1 понижает напряжение питания первых двух транзисторов до 9 в и необходим только при питании усилителя от источника напряжением 12,8 в.

В схеме усилителя применена межкаскадная отрицательная обратная связь по постоянному току (резистор R4), благодаря которой УНЧ сохраняет работоспособность при понижении напряжении источника питания до 4 в.

Усилитель мощности собран по двухтактной схеме. Делитель напряжения на резисторах R14 и R15 обеспечивает работу транзисторов в режиме класса АВ. Конденсаторы C8, С9 и С10 предназначены для высокочастотной коррекции.


Рис. 2
I — для температуры окружающей среды + 24°С;
II — для температуры + 50°С

Для достижения минимальной величины коэффициента нелинейных искажений и для получения достаточного запаса по величине максимального выходного напряжения, необходимого для полного использования усилителя мощности по напряжению, коллекторный ток транзисторов Т3 и T4 должен быть равен величине, указанной в табл. 2, там же приведены значения коллекторных токов остальных транзисторов.

При питании УНЧ от источника питания 12,8 в на коллекторе каждого из транзисторов Т3 н Т4 рассеивается мощность 15 мвт. Величина наибольшей допустимой рассеиваемой мощности определяется максимально допустимой температурой коллекторного перехода tп доп, которая равна +85° С.

С целью определения предельно допустимой мощности рассеивания транзистора микросхемы были сняты зависимости температуры коллекторного р-n перехода транзистора от рассеиваемой мощности для 10 микросхем. Данные измерений приведены на рис. 2. Область разброса характеристик микросхем заштрихована.

Из рисунка видно, что при температуре окружающей среды +50° С транзистор микросхемы может рассеять мощность 150 мвт. Если предположить, что все четыре транзистора рассеивают максимальную мощность и тепловое сопротивление между транзисторами микросхемы равно 0, то и в этом наихудшем случае можно допустить работу каждого транзистора при . Следовательно, полученная мощность рассеяния на транзисторах Т3 и Т4 вполне допустима.

Второй вариант усилителя (рис. 3) может быть использован в автомобильных радиоприемниках. Его номинальная выходная мощность (v=4%) — 2 вт, максимальная (v=10%) — 3,3 вт. Чувствительность усилителя 42 мв. Неравномерность частотной характеристики в диапазоне 80—8000 гц не более 2 дб. Глубина регулировки тембра такая же, как и в первом варианте. Эти данные получены при сопротивлении нагрузки 4 ом и источнике питания напряжением 12,8 в.

В усилителе мощности следует применять транзисторы средней и большой мощности, желательно с большей величиной граничной частоты.

Детали. В усилителях использованы резисторы типа УЛМ и MЛT, терморезисторы типа ММТ-13, конденсаторы типа КЛС, ЭМ, К50-6. Намоточные данные трансформаторов приведены в табл. 3. Сердечник изготовлен из стальных пластин (Э310=0,35) Ш5, толщина набора 10мм.

В усилителях могут быть применены микросхемы с Вст транзисторов от 20 до 300. При полном использовании УНЧ по мощности необходимо установить транзисторы выходного каскада на радиатор с поверхностью не менее. 200 см2 (ГТ403Б) или не менее 75 см2 (транзисторы П216).

Налаживание усилителя начинают с установки напряжения на электродах транзисторов предварительного УНЧ. Установка режимов осуществляется резистором R1. При этом достаточно установить напряжение на эмиттере Т3, все остальные выставляются автоматически в пределах +- 20% согласно табл. 4.

Далее с помощью резистора R15 (рис. 1) регулируют ток покоя усилителя мощности до исчезновения искажений типа «ступенька» на выходе усилителя. Ток покоя усилителя мощности должен находиться в пределах 1,5—2,0 ма.

В последнюю очередь регулируют резистором R17 глубину отрицательной обратной связи до получения минимальных нелинейных искажений сигнала.

Для усилителя, собранного по схеме, изображенной на рис. 3, налаживание сводится к регулировке резистором R19 режима транзисторов Т5 и Т6 таким образом, чтобы напряжение на коллекторе транзистора Т5, было равно 2 в. Ток покоя регулируют резисторами R15 и R17 до устранения искажений типа «ступенька». Аналогично предыдущему случаю резистором R22 регулируют глубину отрицательной обратной связи.

Вернуться к содержанию журнала "Радио" 3 номер 1971 год







Ваш комментарий к статье
Журнал Радио 3 номер 1971 год. :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>