Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Журнал Радио

2004: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8
2003: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
2002: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
2000: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1999: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1998: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1971: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1947: 
1, 2, 3, 4, 5
1946: 
1, 2, 3, 4-5, 6-7, 8-9

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Журнал Радио 5 номер 1971 год.

НОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Б. ДОМНИН, В. ГОРДЕЕВА

Транзисторы КТ306А — КТ306Д— кремниевые, планарные, n-р-n структуры, высокочастотные, маломощные. Транзисторы КТ306А, КТ306Б предназначены для работы в переключающих устройствах, а КТ306В — КТ306Д — в усилительных. Электрические параметры и предельно допустимые эксплуатационные режимы транзисторов приведены ниже.

Электрические параметры транзисторов КТ306А — КТ306Д при
tокр. ср —20 ±5°С

Iкo — 0,5 мка — обратный ток коллектора при Uк = 15 в
Вст = 20 — 60 (КТ306А)
Вст = 40 —120 (КТ306Б)
Вст = 20 — 100 (КТ306В)
Вст = 40 — 200 (КТ306Г)
Вст = 30 — 150 (КТ306Д)
— коэффициент прямой передачи тока в режиме большого сигнала при Iк — 10ma, Uк=1 в.
Iэо = 1 мка — обратный ток эмиттера при Uэ = 4 в.
|β| = 3
(КТ306А, КТ306В)
|β| = 5
(КТ306Б, КТ306Г)
|β| = 2 (КТ306Д)
— модуль коэффициента передачи тока при Iэ —10 ма, Uk = 5 в f = 100 Мгц.
Uкн = 0.3 в — напряжение между коллектором и эмиттером в режиме насыщения при Iк = 10 ма, Iб = 1 ма.
Uбн = 1 в
(КТ306А, КТ306Б)
— напряжение между базой и эмиттером в режиме насыщения при Iк —10 ма, Iб = 1ма.
r'б Ск — 500 нсек (КТ306В — КТ306Д) — постоянная времени цепи обратной связи при Iэ = 5 ма, Uк = 5в, f = 10 Мгц.
h11б = 30 ом — входное сопротивление в режиме малого сигнала при Iэ = 5 ма, UK = 5 в,
f = 1 кгц

 

Предельно допустимые эксплуатационные режимы

Рк. макс =150 мвт — мощность, рассеиваемая на коллекторе при tокр. ср ≤ 90°С.
Рк. макс =125 мвт — мощность, рассеиваемая на коллекторе при tокр. ср ≤ 100°С.
tокр. ср = -55÷+100°С — температура окружающей среды.
Uкб. макс = 15 в — напряжение между коллектором и базой
Uкэ. макс = 10 в — напряжение между коллектором и эмиттером при Rэб≤З ком (при отсутствии запирающего смещения).
Uэб. макс = 4 в — напряжение между базой и эмиттером
Iк. макс = 30 ма — ток коллектора
Iк. макс = 50 ма — ток коллектора в режиме насыщения
Iэ. макс = 30 ма — ток эмиттера
Iэ. макс = 50 ма — ток эмиттера в режиме насыщения
   

Транзисторы КТ307А — КТ307Г— кремниевые, бескорпусные, средне-частотные, n-р-n структуры предназначены для применения в быстродействующих переключающих микросхемах электронных устройств в составе герметизированных модулей.

Транзисторы КТ316А — КТ316Д кремниевые, планарно-эпитаксиальные, n-р-n структуры, маломощные, высокочастотные. Транзисторы КТ316А — КТ316В предназначены для работы в быстродействующух переключающих устройствах, а КТ316Г КТ316Д — в усилительных.

 

Вернуться к содержанию журнала "Радио" 5 номер 1971 год







Ваш комментарий к статье
Журнал Радио 5 номер 1971 год. :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>