Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Журнал Радио

2004: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8
2003: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
2002: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
2000: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1999: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1998: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1971: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1947: 
1, 2, 3, 4, 5
1946: 
1, 2, 3, 4-5, 6-7, 8-9

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Реклама

http://help-my-gadget.ru

Играть в гейминаторы онлайн

Мощные низковольтные СВЧ транзисторы для подвижных средств связи

Журнал "Радио", номер 11, 1999г.
Материал подготовили: В. Кожевников, В. Асессоров, А. Асессоров, В. Дикарев, г. Воронеж

    Окончание. Начало см. в "Радио",1999,#10

    Выходные ступени мобильных передатчиков обычно питают непосредственно от автомобильной аккумуляторной батареи. Транзисторы для выходных ступеней рассчитаны на номинальное напряжение питания Uпит=12,5 В. Параметрические ряды транзисторов для каждого связного диапазона построены с учетом обеспечения разрешенного максимального уровня выходной мощности для возимых передатчиков Рвых=20 Вт [4]. Разработка мощных низковольтных СВЧ транзисторов (с Рвых>10 Вт) сопряжена с более сложными конструкторскими задачами. Дополнительно здесь возникают проблемы сложения динамической мощности и отвода тепла от больших кристаллов СВЧ структур.

рис.2

    Топология кристалла мощных транзисторов имеет весьма развитую эмиттерную структуру, характеризующуюся малым импедансом. Для обеспечения требуемой частотной полосы, упрощения согласования и повышения коэффициента усиления по мощности в транзисторы встраивают LC-цепь внутреннего согласования по входу. Конструктивно LC-цепь выполнена в виде микросборки на основе МДП-конденсатора и системы проволочных выводов, выполняющих роль индуктивных элементов.

    В развитие мощностного ряда ранее разработанных транзисторов серии 2Т9175 для применения в УКВ диапазоне [2] созданы транзисторы 2Т9188А (Рвых=10 Вт) и КТ9190А (20 Вт). Для диапазона ДМВ разработаны транзисторы КТ9193А (Рвых=10 Вт) и КТ9193Б (20 Вт). Транзисторы выполнены в стандартном корпусе КТ-83 (см. рис. 1,б).

    Использование этого металлокерамического корпуса в свое время позволило создать высоконадежные транзисторы двойного назначения для РЭА с повышенными требованиями к внешним факторам и с возможностью эксплуатации в жестких климатических условиях. С целью обеспечения гарантированной надежности при температуре корпуса от +60°С применительно к транзисторам с выходной мощностью Рвых=10 Вт, а с Рвых=20 Вт - от +40 до +125°С максимально допустимую среднюю рассеиваемую мощность в непрерывном динамическом режиме необходимо линейно уменьшать в соответствии с формулой РК.ср max=(200-Ткорп)/RТ.п-к (где Ткорп - температура корпуса, °С; RТ.п-к - тепловое сопротивление перехода переход-корпус, °С/Вт).

    В настоящее время в России создается федеральная сеть радиосвязи по стандарту NМT-450i (на частоте 450 МГц). Разработанная серия приборов КТ9189, 2Т9175, 2Т9188А, КТ9190А может практически полностью покрыть потребность в рассматриваемом секторе рынка аппаратуры на отечественной транзисторной элементной базе.

    Кроме этого, уже начиная с 1995 г. в России разворачиваются федеральная сеть сотовой системы подвижной абонентной связи в рамках стандарта GSM (900 МГц) и сотовая система для региональной связи по американскому стандарту AMPS (800 МГц). Для создания указанных сотовых систем радиосвязи в ДМВ могут быть использованы малогабаритные транзисторы серии КТ9192 с выходной мощностью 0,5 и 2 Вт, а также серии КТ9193 с выходной мощностью 10 и 20 Вт.

    Решение задачи миниатюризации аппаратуры и, соответственно, ее элементной базы коснулось не только носимых портативных радиопередатчиков. В ряде случаев и для возимой аппаратуры радиосвязи, а также аппаратуры специального назначения возникает потребность в уменьшении массо-габаритных показателей мощных СВЧ низковольтных транзисторов.

    Для этих целей разработана модифицированная бесфланцевая конструкция корпуса на базе КТ-83 (рис. 1,в), в котором выпускают транзисторы 2Т9175А-4-2Т9175В-4, 2Т9188А-4, КТ9190А-4, КТ9193А-4, КТ9193Б-4. По электрическим характеристикам они аналогичны соответствующим транзисторам в стандартном конструктивном исполнении. Эти транзисторы монтируют низкотемпературной пайкой кристаллодержателя непосредственно к теплоотводу. Температура корпуса в процессе пайки не должна превышать +150°С, а суммарное время нагревания и пайки - 2 мин.

    Основные технические характеристики рассматриваемых транзисторов представлены в табл. 1. Коэффициент полезного действия цепи коллектора всех транзисторов - 55%. Значения максимально допустимого постоянного тока коллектора соответствуют всему интервалу рабочей температуры.

Таблица 1
Транзистор Рабочий частотный диапазон, МГц Выходная мощность, Вт Коэффициент усиления по мощности, раз Напряжение питания, В Максимально допустимая средняя расс. мощность в непр. динамич. режиме, Вт Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А Предельные допустимые значения температуры окружающей среды, °С Максимально допустимая температура корпуса, °С Максимально допустимая температура перехода, °С Тепловое сопротивление переход - корпус, °С/Вт Емкость коллектора, пФ Граничная частота усиления, МГц
КТ8197А-2 30...175 0,5 15 7,5 2 0,5 -45...+85 - 160 - 5 400
КТ8197Б-2 2 10 5 1 15
КТ8197В-2 5 8 8 1,6 25
КТ9189А-2 200...470 0,5 12 12,5 2 0,5 -45...+85 - 160 - 4,5 1000
КТ9189Б-2 2 10 5 1 13
КТ9189В-2 5 6 8 1,6 20 900
КТ9192А-2 800...900 0,5 6 12,5 2 0,5 -45...+85 - 160 - 4,5 1200
КТ9192Б-2 2 5 5 1,6 13
2Т9175А; 2Т9175А-4 140...512 0,5 10 7,5 3,75 0,5 -60 125 200 12 10 900
2Т9175Б; 2Т9175Б-4 2 6 7,5 1 6 16
2Т9175В; 2Т9175В-4 5 4 15 2 3 30 780
2Т9188А; 2Т9188А-4 200...470 10 5 12,5 35 5 -60 125 200 4 50 700
КТ9190А; КТ9190А-4 200...470 20 - 12,5 40 8 -60 125 200 3 65 720
КТ9193А; КТ9193А-4 800...900 10 4 12,5 23 4 -60 125 200 5 35 1000
КТ9193Б; КТ9193Б-4 20 - 40 8 3 60

    На рис. 2,а изображена полная схема транзисторов 2Т9188А, КТ9190А, а на рис. 2,б - транзисторов серий КТ8197, КТ9189, КТ9192, 2Т9175 (l - расстояние от границы пайки до клеевого шва герметизирующей крышки или герметизирующего покрытия кристаллодержателя. Это расстояние регламентировано в рекомендациях по применению СВЧ транзисторов в ТУ на них и обязательно учитывается при расчете реактивных элементов транзисторов). Параметры реактивных элементов, показанных на схемах, сведены в табл. 2. Эти параметры необходимы для расчета согласующих цепей усилительного тракта разрабатываемых устройств.

    Разработка новой транзисторной элементной базы открывает широкую перспективу как создания современной профессиональной коммерческой, а также любительской аппаратуры радиосвязи, так и совершенствования уже разработанной с целью улучшения ее электрических параметров, снижения массы, габаритов и стоимости.

Таблица 2
Параметры реактивных элементов транзистора Транзистор
2Т9175А; 2Т9175А-4 2Т9175Б; 2Т9175Б-4 2Т9175В; 2Т9175В-4 2Т9188А; 2Т9188А-4 КТ9190А; КТ9190А-4 КТ9193А; КТ9193А-4 КТ9193Б; КТ9193Б-4 КТ8197А-2; КТ9189А-2; КТ9192А-2 КТ8197Б-2; КТ9189Б-2; КТ9192Б-2 КТ8197В-2; КТ9189В-2
LБ1 , нГн 3 2,3 1,8 0,66 0,73 1 0,84 0,19 0,1 0,2
LБ2 , нГн - - - 0,17 0,38 0,58 0,37 - - -
L Э1 , нГн 0,5 0,35 0,28 0,16 0,15 0,26 0,19 0,22 0,12 0,12
L Э2 , нГн - - - 0,2 0,22 0,31 0,26 - - -
L К1 , нГн 1,25 1,1 1 0,61 0,57 0,71 0,61 0,59 0,59 0,59
С1, пФ - - - 370 600 75 150 - - -

Литература

4. Радиостанции с угловой модуляцией сухопутной подвижной службы. ГОСТ 12252-86 (СТ СЭВ 4280-83).







Ваш комментарий к статье
Мощные низковольтные СВЧ транзисторы для подвижных средств связи :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>