Журнал Радио 2 номер 2000 год. СПРАВОЧНЫЙ ЛИСТОК
КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СЕРИЙ КТ6116 И КТ6117
Кремниевые р-п-р транзисторы средней мощности широкого применения КТ6116А и КТ6116Б изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии. Они предназначены для работы в усилителях сигналов, преобразователях частоты и других устройствах с повышенным напряжением питания.
Транзисторы оформлены в стандартном пластмассовом корпусе КТ-26 (по западной классификации — ТО-92) с жесткими лужеными выводами (рис. 1). Зарубежные аналоги — КТ6116А — 2N5401: КТ6116Б — 2N5400.
На рис. 2 изображена зависимость тока эмиттера от напряжения на эмиттерном переходе транзисторов серии КТ6116. а на рис. 3 — граничной частоты усиления и статического коэффициента передачи тока базы от тока коллектора. Напряжение насыщения коллектор—эмиттер и база—эмиттер в функции тока коллектора представлено на рис. 4. Типовая зависимость емкости коллекторного перехода транзисторов от постоянного напряжения коллектор-база показана на рис. 5, а область безопасной работы — на рис. 6.
Кремниевые n-p-n транзисторы средней мощности широкого применения КТ6117А и КТ6117Б также изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии. Они предназначены для работы в усилителях сигналов, преобразователях частоты и других устройствах с повышенным напряжением питания.
Транзисторы оформлены в стандартном пластмассовом корпусе КТ-26 (ТО-92) с жесткими лужеными выводами (см. рис. 1). Зарубежные аналоги — КТ6117А — 2N5551; КТ6117Б — 2N5550.
Транзисторы КТ6117А, КТ6117Б и КТ6116А, КТ6116Б можно подбирать в комплементарные пары.
Типовая зависимость тока эмиттера от напряжения база—эмиттер транзисторов серии КТ6117 представлена на рис. 7, а типовые выходные характеристики — на рис. 8. Типовые зависимости граничной частоты и напряжения насыщения коллектор—эмиттер и база-эмиттер от тока коллектора, а также емкости коллекторного перехода от постоянного напряжения коллектор—база показаны на рис. 9—11 соответственно. Область безопасной работы транзисторов серии КТ6117 такая же. как у транзисторов серии КТ6116 (см. рис. 6).
В заключение — несколько советов, общих для транзисторов обеих серий. Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при малом токе, соизмеримом с неуправляемым обратным током во всем температурном интервале. Не разрешается также работа приборов при двух предельных значениях электрических параметров.
При включении транзистора в электрическую цепь, находящуюся под напряжением, базовый вывод должен быть присоединен первым (и отключен последним).
Допускается одноразовое изгибание выводов транзистора на расстоянии не ближе 2 мм от корпуса; радиус изгиба — не менее 1.5 мм. При изгибании необходимо принимать меры, исключающие передачу усилия на корпус.
Расстояние от корпуса до места пайки (лужения) вывода — не менее 3 мм. При монтаже допустимы лишь три перепайки выводов. Температура пайки — не выше 265'С, время пайки — не более 4 с.
Допускается применение транзисторов обычного климатического исполнения в аппаратуре, рассчитанной на эксплуатацию в любых климатических условиях, но при этом их необходимо покрыть после монтажа тремя-четырьмя слоями лака УР-231 (ТУ6-21-14) или ЭП-730 (ГОСТ 20824) с последующей сушкой.
| Основные характеристики при Токр ср =25°С Статический коэффициент передачи тока базы при напряжении коллектор-эмиттер 5 В и токе коллектора 10 мА для КТ6П6А...............60...240 КТ6116Б ..............40... 180 Обратный ток коллектора, мкА, не более, для КТ6116А (при напряжении коллектор-база 120 В).............0.05 КТбПбВ(ЮОВ) ............0.1 Обратный ток эмиттера, мкА. не более, при напряжении эмиттер—база 3 В и нулевом токе коллектора..........0.05 Обратный ток коллектор-эмиттер. мА, не более, при отключенной базе для КТ6116А(при напряжении коллектор-эмиттер 150 В).............1 КТ61165(120 В)..............1 Напряжение насыщения коллектор—эмиттер. В. не более, при токе коллектора 50 мА и токе базы 5 мА.........0.5 Напряжение насыщения база — эмиттер, В, не более, при токе коллектора 50 мА и юке базы 5 мА................1 Граничная частота коэффициента передачи тока, МГц. не менее, при напряжении коллектор—эмиттер 10 В и токе коллектора 10 мА........100 Емкость коллекторного перехода. пФ. не более, при напряжении коллектор — база 10 В и нулевом токе эмиттера на частоте 10 МГц ..........6 Коэффициент шума. дБ. не более, при напряжении коллектор — эмиттер 3 В. токе коллектора 200 мкА и сопротивлении в цепи базы 3 кОм. на частоте 1 кГц для КТ6116А ....................8 КТ6116Б...................10 Тепловое сопротивление переход—окружающая среда. °С/Вт, не более.........200 | Предельно допустимые значения Наибольшее напряжение коллектор — база. В, для КТ6116А ..................160 КТ6116Б..................130 Наибольшее напряжение коллектор—эмиттер. В. для КТ6П6А ..................150 КТ6116Б..................120 Наибольшее напряжение база—эмиттер. В...........5 Наибольший постоянный ток коллектора. А.................0.6 Наибольшая постоянная рассеиваемая мощность коллектора. Вт..............0.625 Допустимое значение статического потенциала (IV степень жесткости по ОСТ 11073.062). В ................500 Наибольшая температура перехода. °С .................150 Предельные значения рабочей температуры окружающей среды, °С .........-45...+100 | Основные характеристики при Токр.ср = 25°С Статический коэффициент передачи тока базы при напряжении коллектор-эмиттер 5 В и токе коллектора 10 мА для КТ6117А...............80...250 КТ6117Б ..............60...250 Обратный ток коллектора, мкА, не более, для КТ6117А(при напряжении коллектор-база 120 В).............0.05 КТ6117Б(100В) ............0.1 Обратный ток эмиттера, мкА, не более, при напряжении эмиттер—база 3 В и нулевом токе коллектора..........0.05 Обратный ток коллектор-эмиттер. мА, не более, при отключенной базе для КТ6117А(при напряжении коллектор-эмиттер 160 В)..............1 КТ61175(140 В)..............1 Напряжение насыщения коллектор—эмиттер, В. не более, при токе коллектора 50 мА и токе базы 5 мА для КТ6117А ..................0.2 КТ6117Б..................0.25 Напряжение насыщения база—эмиттер. В. не более, при токе коллектора 50 мА и токе базы 5 мА для КТ6117А ....................1 КТ6117Б...................1,2 Граничная частота коэффициента передачи тока. МГц, не менее, при напряжении коллектор—эмиттер 10 В и токе коллектора 10 мА.......................100 Емкость коллекторного перехода, пФ, не более, при напряжении коллектор—база 10 В и нулевом токе эмиттера на частоте 10 МГц........................6 Коэффициент шума, дБ, не более, при напряжении коллектор—эмиттер 5 В. токе коллектора 200 мкА и сопротивлении в цепи базы 2 кОм, на частоте 1 кГц для КТ6117А ....................8 КТ6117Б ...................10 Тепловое сопротивление переход—окружающая среда, 'С/Вт, не более ............200 | Предельно допустимые значения Наибольшее напряжение коллектор—база, В, для КТ6117А .................180 КТ6117Б..................160 Наибольшее напряжение коллектор—эмиттер, В, для КТ6117А .................160 КТ6117Б..................140 Наибольшее напряжение база—эмиттер, В ..............6 Наибольший постоянный ток коллектора, А.................0.6 Наибольшая постоянная рассеиваемая мощность коллектора. Вт..............0,625 Допустимое значение статического потенциала (IV степень жесткости по ОСТ 11073.062). В ................500 Наибольшая температура перехода. °С .................150 Предельные значения рабочей температуры окружающей среды, °С.........-45...+100 |
Материал подготовил В. КИСЕЛЕВ
г. Минск
Вернуться к содержанию журнала "Радио" 2 номер 2000 год
| Ваш комментарий к статье | ||||
