Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Журнал Радио

2004: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8
2003: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
2002: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
2000: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1999: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1998: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1971: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1947: 
1, 2, 3, 4, 5
1946: 
1, 2, 3, 4-5, 6-7, 8-9

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Журнал Радио 6 номер 2000 год. МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ ТЕХНИКА

PSPICE-МОДЕЛИ ДЛЯ ПРОГРАММ МОДЕЛИРОВАНИЯ

О, ПЕТРАКОВ, г. Москва 

Продолжение. Начало см. в "Радио", 2000, ╧5

ДИОД

Форма описания включения диода в схеме:
D<имя> <узел(+)> <узел(-)> [<имя модели>]

Форма описания модели:
.MODEL <имя модоли> D [<пара-метры модели>)
Список параметров модели диода приведен в табл. 7.
Примеры моделей отечественных диодов:
.MODEL KD503A D (IS=7.92E-13 + RS=2.3 CJO=1.45p M=0.27 + ТТ=2.19Е-9 VJ=0.71 BV=30 + IBV=1E-11 EG= 1.11 FC=0.5 XTI=3 + N=1.JJ)
.MODEL KD522A D (IS=2.27E-13 + RS=1.17 CJO=2.42p M=0.25 + TT=2.38n VJ=0.68 BV=50 IBV=1E-11 + EG= 1.11 FC=0.5 XTI=3 N= 1)
.MODEL KD220A D (IS=1.12E-11 + N=1.25 RS=7.1E-2 CJO=164.5p + TT=1.23E-9 M=0.33 VJ=0.65 BV=400 + IBV=1E-11 EG=1.11 FC=0.5XTI=3)
.MODEL KD212A D (IS=1.26E-10 + N=1.16 RS=0.11 CJO= 140.7p M=0.26 + TT-J.27E-8 VJ=0.73 BV=200 + IBV= 1E-10 EG-1.JJ FC=0.5 XT1=3)
.MODEL KS133A D (fS=89E-15 + N=1.16 RS=25 CJO=72p TT=57n + M=0.47 VJ=0.8 FC=0.5 BV=3.3 IBV=5u + EG=1.11 XTI=3).MODEL D814A D (IS=.392E- J2 + N=1.19 RS=1.25 CJO=41.15p + TT=49.11n M-0.41 VJ=0.73 FC=0.5 + BV=8 IBV=0.5u EG=1.11 XTI=3)
.MODEL D814G D (IS=.1067E-12 + N=1.12 RS=3.4 CJO=28.08p + TT=68.87n M=0.43 VJ=0.75 FC=0.5 + BV^11 IBV= 1 и EG= 1.11 XTI=3)

БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР

Форма описания включения биполярного транзистора в схеме:
0<имя> <узел коллектора > <узел базы> <узел эмиттера> [<имя моде-ли>)
Форма описания модели:
.MODEL <имя модели> NPN [<па-раметры модели >); биполярный транзистор структуры п-р-п
.MODEL <имя модели> PNP [<па-раметры модели>'; биполярный транзистор структуры р-п-р
Список параметров модели биполярного транзистора приведен в табл. 8.

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С УПРАВЛЯЮЩИМ P-N ПЕРЕХОДОМ

Форма описания включения полевого транзистора 8 схеме:
о"<имя> <узел стока> <узел затвора> <узел истока> (<имя модели>]
Форма описания модели:
.MODEL <имя модели> NJF [<пара-метры модели >], полевой п-канальный транзистор
.MODEL <имя модели> PJF [<параметры модели >]; полевой р-канальный транзистор
Список параметров модели полевого транзистора приведен в табл. 9.
Примеры моделей транзисторов:
.model IDEAL NPN; идеальный транзистор.
.model КТ3102А NPN (ls=5.258f Xti=3 + Eg=1.11 Vaf=86 Bf=185 Ne=7.428 + lse=28.21n lkf=.4922 Xtb=1.5 Var=25 + Br=2.713 Nc=2 lsc=21.2p lkr=.25 Rb=52 + Rc=1.65 Cjc=9.92lp Vjc=.65 Mjc=.33 + Fc=.5 Cje=11.3p Vje=.69 Mje=33 + Tr=57.7ln Tf=611.5p ltf=.52 Vtf=80 + Xtf=2)
.model KT3102B NPN (ls=3.628f Xti=3 ч Eg= 1.11 Vaf=72 Bf=303.3 Ne=l3.47 + lse=43.35n lkf=96.35m Xtb=1.5 Var=30 + Br=2.201 Nc=2 lsc=5.5p lkr=.1 Rb=37 + Rc=1.12 Cjc=11.02p Vjc=.65 Mjc=.33 + Fc«-.5 Cje=13.31p Vje=.69 Mje=.33 + Tr=41.67n Tf=493.4p Ш=.12 Vtf-50 + Xrf=2)
.model КТЗЮ7А PNP (ls=5.2f Xti=3 + Eg= 1.11 Vaf=86 Bf= 140 Ne=7.4 lse=28n + lkf=.49 Xtb= 1.5 Var=25 Br=2.7 Nc=2 + lsc=21 p lkr=. 25 Rb=50 Rc= 1.65 Cjc= 10p + Vjc=.65 Mjc=.33 Fc-.5 Cje=11.3p Vje=.7 + Mje=.33 Ti=58n Tf=62p ltf=52 Vtf=80 + Xtf=2)
.model KT312A NPN (ls=21f Xti=3 + Eg=1.11 Vaf=126.2 Bf-06.76 Ne=1.328 + lse=189f Ikf=.l64 Nk=.5 Xtb=1.5 Br=1 + Nc» 1.385 lsc=66.74p lkr=1.812 + Rc=0.897 Rb=300 Cjc=8p Mjc=.29 + Vjc=.692 Fc=.5 Cje=2653p Mje=.333 + Vje=.75 Tr= 10n Tf-1.743n Itf = 1)
.model 2T630A NPN (ls=17.03f Xti=3 + Eg=1.11 Vaf=l23 Bf=472.7 Ne= 1.368 + Ise=l63.3f lkf=.4095 Xtb=1.5 var=75 + Br=4.804 Nc=2 lsc=1.35p 1kr=.21 + Rb=14.2 Rc=0.65 Cjc=2L24p Vjc=.69 + Mjc=.33 Fc=.5 Cje=34.4p Vje=.69 + Mje=.33 Тг=50.12п Tf=1.795n ltf=.65 + Vtf=60 Xtf=1.1)

НЕЗАВИСИМЫЕ ИСТОЧНИКИ НАПРЯЖЕНИЯ И ТОКА

Форма описания источников:
\/<имя> <узел{+)> <узел(-)> [^С]<значение> [АС<амплитуда>[фаза)] [<сигнал>(<параметры>)]
1<имя> <узел(+)> <узел(-)> [(0С]<знамение> [АС<амплитуда> [фаза]] [<сигнал>(<параметры>)]
Положительным направлением тока считают направление от узла (+) через источник к узлу (-). У источников можно указывать значения для расчетов по постоянному току и переходных процессов DC (по умолчанию - О), для частотного анализа АС (амплитуда по умолчанию - 0; фазу указывают в градусах, по умолчанию - 0). Для переходного процесса <сигнал"> может принимать значения: ЕХР - экспоненциальная форма сигнала источника, PULSE - импульсный источник, PWL -полиномиальный источник. SFFM - частотно-модулированный источник, SIN - синусоидальная форма сигнала источника.
Примеры: V2 3 0 DC 12; источник напряжения 12 В. включенный между узлами 3 и 0.
VSIN 2 О SIN(0 0.2V 1MEG); источник синусоидального напряжения 0.2 В частотой 1 МГц с постоянной составляющей 0 В.
11 (4 11) DC 2mA; источник тока 2 мА, включенный между узлами 4 и 11.
ISIN 2 0 SIN(0 0.2m 1000); источник синусоидального тока 0.2 мА частотой 1000 Гц с постоянной составляющей 0 мА.

ЗАВИСИМЫЕ ИСТОЧНИКИ НАПРЯЖЕНИЯ И ТОКА

Зависимые источники широко используют при построении макромоделей. Их применение позволяет простыми средствами имитировать любые зависимости между напряжением и током. Кроме этого, с их помощью очень просто организовать передачу информации от одного функционального блока к другому B PSpice встроены модели зависимых источников:
Е - источник напряжения, управляемый напряжением (ИНУН);
F - источник тока, управляемый током (ИТУТ);
G - источник тока, управляемый напряжением (ИТУН);
Н - источник напряжения, управляемый током (ИНУТ).
Форма описания зависимых источников:
Первый символ<имя> <узел(+)> <узел(-)> <передаточная функция>
Первый символ имени должен соответствовать типу источника. Положительным направлением тока считают направление от узла (+) через источник к узлу (-). Далее указывают передаточную функцию, которую можно описывать разными способами:
степенным полиномом: POLY (<выражение>):
формулой: VALUE=(<выражение>):
таблицей: TABLE (<выражение>):
преобразованием Лапласа: LAPLACE (<выражение>):
частотной таблицей: FREQ (<выра-жение>);
полиномом Чебышева: CHEBYSHEV (<выражение>).
Примеры: Е1 (12 1) (9 10) 100: источник напряжения, управляемый напряжением между узлами 9 и 10. включенный между узлами 12 и 1 с коэффициентом передачи 100.
EV 23 56 VALUE={3VSQRT(V(3.2)+ +4*SIN(I(V1)}: источник, включенный между узлами 23 и 56, с функциональной зависимостью от напряжения между узлами 3 и 2 и тока источника VI.
EN 23 45 POLY(2) (3.0) (4,6) 0.0 13.6 0.2 0.005: нелинейный источник напряжения, включенный между узлами 23 и 45. зависящий от напряжения между узлами 3 и 0 V{3.0) и узлами 4 и 6 V(4.6). Зависимость описывает полином EN=0 + 13.6V3,0 + 0.2V1,6 + 0.005V3,02.
ЕР 2 0 TABLE (V(8))=(0.0) (1.3.3) (2.6.8): источник, включенный между узлами 2 и 0. зависящий от напряжения в узле 8. измеренного относительно общего провода. Далее, после знака равенства, перечислены строки таблицы с указанием пары значений (вход, выход). Промежуточные значения интерполируются линейно.
EL 8 0 LAPLACE {V( 10)}={exp(-0.0rS)/ (1+0.rS)}; задание передаточной функции по Лапласу.
G1 (12 1) (9 10) 0.1; управляемый напряжением V(9.10) источник тока с коэффициентом передачи 0.1.
Тут уместно привести примеры обозначения переменных в программах PSpice: V(9) - напряжение в узле 9. измеренное относительно общего провода.
V(9.10) - напряжение между узлами 9 и 10.
V(R12) - падение напряжения на резисторе R12v
VB(Q1) - напряжение на базе транзистора Q1.
VBE(Q1) - напряжение база-эмиттер транзистора Q1 l(D1) - ток диода D1.
1С(02) - ток коллектора транзистора Q2.

(Продолжение следует)

Вернуться к содержанию журнала "Радио" 6 номер 2000 год







Ваш комментарий к статье
Журнал Радио 6 номер 2000 год. МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ ТЕХНИКА :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>