Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Журнал Радио

2004: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8
2003: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
2002: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
2000: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1999: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1998: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1971: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1947: 
1, 2, 3, 4, 5
1946: 
1, 2, 3, 4-5, 6-7, 8-9

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Журнал Радио 7 номер 2000 год. МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ ТЕХНИКА

PSPICE-МОДЕЛИ ДЛЯ ПРОГРАММ МОДЕЛИРОВАНИЯ

О. ПЕТРАКОВ, г. Москва 

Продолжение. Начало см. в "Радио", 2000, ╧ 5, 6

ИЗУЧЕНИЕ МОДЕЛЕЙ КОМПОНЕНТОВ

Модели компонентов можно исследовать с помощью программ моделирования. Используя графическую оболочку, весьма просто создать виртуальную лабораторию по тестированию статических и динамических характеристик уже имеющихся и создаваемых элементов. Это позволит установить степень соответствия их свойств справочным параметрам реальных компонентов, подобрать аналоги среди моделей зарубежных компонентов или детально исследовать неизвестную модель. Однако в приведенных примерах использованы возможности самого PSpice.

Воспользуемся директивой .ОС (многовариантный расчет режима по постоянному току) языка PSpice и построим семейство выходных характеристик биполярного транзистора структуры п-р-п. включенного по схеме с общим эмиттером (рис. 1).

Выходная характеристика — это зависимость тока коллектора транзистора от напряжения на его коллекторе.

Для различных значений тока базы получим семейство выходных характеристик. Расчет проведен для транзистора КТ315А (рис. 2) и идеального транзистора с параметрами по умолчанию (рис. 3). Задание на моделирование в текстовом виде выглядит очень просто (табл. 10). Чтобы рассчитать ВАХ идеального транзистора, в программе надо убрать звездочкув начале строки (* Q1 120 IDEAL) и добавить ее в строке (Q1 1 2 0 КТ315А). Комментарии в тексте программы лучше писать на английском языке или, по крайней мере, латинскими буквами, так как программы моделирования обычно не поддерживают кириллицу. В статье комментарии для наглядности приведены на русском языке.

Аналогично построена ВАХ стабилитрона Д814А — зависимость напряжения от тока (рис. 4, 5, табл. 11).

Теперь воспользуемся возможностями директив .DC и .TEMP (вариация температуры) и построим семейство передаточных характеристик полевого транзистора КПЗОЗД, включенного по схеме с общим истоком (рис. 6, табл. 12).

Передаточная характеристика полевого транзистора — это зависимость тока стока от напряжения между затвором и истоком. Для разных значений температуры (-60. 0. +27. +125°С) можно построить семейство характеристик (рис. 7), так как модель учитывает температурную зависимость параметров транзистора.


Показать в полный размер

В качестве примера оценки динамических свойств моделей построим семейство частотных характеристик транзистора КТ315А при четырех значениях тока коллектора. Схема измерения показана на рис. 8. Для этого используем возможности директив .АС (расчет АЧХ) и .STEP (многовариантный анализ), составим задание на моделирование (табл. 13), рассчитаем IB(Q1) и lC(Q1).
После выполнения моделирования сравним полученные результаты (рис. 9) с параметрами из справочника [4].

Для этого поступим следующим образом. Графический постпроцессор программ моделирования позволяет производить математические операции над графиками. Это позволит нам построить график отношения тока коллектора IC(Q1) к току базы IB(Q 1). В итоге получим частотную характеристику модуля коэффициента передачи транзистора по току при различных токах коллектора. С помощью режима курсорных измерений определим модуль коэффициента передачи по току на частоте 100 МГц. Для всех вариантов цифры указаны на графиках. Сверив их со справочником, увидим, что предложенная модель транзистора КТ315А с учетом разброса близка к реальности. (По справочнику: lh21эI = 2,5 при Iк = 1 мА, Uк = 10 В). Зависимость частотных свойств транзистора от тока коллектора также согласуется с теорией и с данными, приводимыми в справочниках.


Показать в полный размер

В заключение этого раздела следует сказать, что встроенные модели, несмотря на огромное число учитываемых параметров, быстро компрометируют себя. Моделируемые полупроводниковые приборы запросто пропускают огромные токи и выдерживают гигантские напряжения.
Достаточно расширить пределы изменения напряжения и тока в рассмотренных здесь примерах (см. рис. 1, б) и станет понятно, что встроенная модель транзистора не учитывает явление пробоя р-n переходов.


Увеличить

Увеличить

Модели резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности и транзисторов также не учитывают паразитные емкости, индуктивности и сопротивления, а это очень важно при моделировании работы устройства на высоких частотах.

Примерно то же самое можно сказать о других встроенных моделях. Все они имеют ограниченную область применения и, как правило, чего-либо не учитывают.
Отсюда следует вывод — нужны более совершенные модели, свободные от указанных недостатков. В крайнем случае, чтобы избежать, например, пробоя транзисторов, нужно параллельно переходам транзистора включить диоды с безынерционной моделью и соответствующим выбором параметра BV. Паразитные эффекты можно учесть, "обвесив" встроенные модели конденсаторами, катушками и резисторами.

Встроенные модели — это своего рода кирпичики, которые позволяют исследовать любые варианты моделирования. Именно для этого они идеально подходят.
С помощью методов, о которых пойдет речь ниже, можно создавать эффективные и совершенные модели элементарных компонентов.

СОЗДАНИЕ И ПРИМЕНЕНИЕ МАКРОМОДЕЛЕЙ

Если вы когда-либо изучали языки программирования, то наверняка знаете, что представляет собой подпрограмма. Это — специально оформленная программа, к которой многократно обращается основной программный модуль. Практически под этим подразумевают макромодель.

Форма описания макромодели: .SUBCKT <имя макромодели> <список + внешних узлов>
+ [PARAMS:<<имя параметра> = + <значение>>] + [ТЕХТ:<<имя текстового параметра> + =<текст>>]
<строки описания схемы макромодели> .ENDS
Директива .SUBCKT — заголовок макромодели. Она определяет начало макромодели, ее имя и узлы подключения к внешней схеме.
Строки описания схемы макромодели — список операторов в произвольном порядке, описывающих топологию и состав макромодели.
Директива .ENDS определяет конец тела макромодели.
Ключевое слово PARAMS определяет список параметров, передаваемых из описания основной цепи в описание макромодели.
Ключевое слово TEXT определяет текстовую переменную, передаваемую из описания основной цепи в описание макромодели.
Форма описания включения макромодели в схеме: Х<имя> <узлы подключения> [<имя + макромодели>]
+ [PARAMS:<<имя параметра> = + <значение>)
+ (ТЕХТ:<<имя текстового + параметрa>=<текст>]
Этот оператор определяет, что в схеме к указанным узлам подключена макромодель, которая описана оператором .SUBCKT. Число и порядок перечисления узлов должны совпадать с числом и порядком перечисления узлов в соответствующей директиве .SUBCKT.

Ключевые слова PARAMS и TEXT позволяют задать значения параметров, определенных в описании макромодели как аргументы, и использовать эти выражения внутри макромодели.
пример создания простейшей макромодели.

Приводимый пример демонстрирует решение задачи в лоб. Радиолюбители часто используют цифровые логические элементы для выполнения аналоговых функций, например, усиления или генерации сигналов. Для детального моделирования таких устройств имеет смысл построить точную макромодель логического элемента. Рассмотрим логический элемент 2И-НЕ микросхемы К155ЛАЗ.

При создании макромодели необходимо проделать следующую работу:
— нарисовать электрическую схему макромодели этого элемента (рис. 10):
— присвоить позиционные обозначения всем элементам схемы;
— пронумеровать все узлы (общему проводу всегда присваивают номер 0):
— пользуясь операторами включения элементов в схему, описать все компоненты:
— оформить макромодель, описав ее директивами .SUBCKT и .ENDS;
— сохранить текст макромодели в отдельном файле или добавить к существующему библиотечному файлу с расширением *.lib.

В результате получим текстовый файл (табл. 14).

При таком подходе к созданию макромодели необходимо:
— наличие очень точной схемы элемента (или микросхемы);
— наличие справочных параметров компонентов, входящих в состав ИС.

(Окончание следует)

Вернуться к содержанию журнала "Радио" 7 номер 2000 год





Melvintes пишет...

Сайт знакомств Loveawake.Ru это анкеты девушек и парней со всего света. Регистрируйтесь и начинайте знакомиться и получать удовольствие от общения! Для пользователей социальных сетей: speed датинг знакомства без регистрации.

24/03/2017 20:39:34

KarenVop пишет...

Знакомства в Сторожинце. Сайт знакомств в Сторожинце бесплатно, без регистрации, для серьезных отношений.

03/04/2017 00:46:36



Ваш комментарий к статье
Журнал Радио 7 номер 2000 год. МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ ТЕХНИКА :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>