Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Журнал Радио

2004: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8
2003: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
2002: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
2000: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1999: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1998: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1971: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1947: 
1, 2, 3, 4, 5
1946: 
1, 2, 3, 4-5, 6-7, 8-9

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Журнал Радио 7 номер 2000 год. СПРАВОЧНЫЙ ЛИСТОК

ТРАНЗИСТОРЫ СЕРИИ КТ8156

В. КИСЕЛЕВ, г. Минск, Белоруссия 

Мощные кремниевые составные п-р-п транзисторы КТ8156А и КТ8156Б с интегральными демпфирующим и база-эмиттерным ускоряющим диодами изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии. Приборы предназначены для работы в выходных ступенях горизонтальной развертки малогабаритных электронно-лучевых трубок и других узлах и блоках аппаратуры широкого применения.


Транзисторы оформлены в стандартном пластмассовом корпусе КТ-28 (ТО-220) с жесткими пластинчатыми лужеными выводами (рис. 1). Масса прибора — не более 2,5 г.

Зарубежный аналог транзистора КТ8156А — BU807.

Принципиальная схема прибора изображена на рис. 2.

Основные характеристики

Граничное напряжение колллектор—эмиттер, В. не менее (при токе коллектора 100 мА, нулевом токе базы, длительности импульсов не более 500 мкс и скважности не менее 100), для
КТ8156А ..................150
КТ8156Б..................200
Обратный ток коллектора, мА, не более (при напряжении коллектор—база 330 В и нулевом токе эмиттера), для
КТ8156А...................0.1
КТ8156Б ....................1
Обратный ток коллектор-эмиттер. мА. не более (при напряжении коллектор—эмиттер 330 В и нулевом напряжении эмиттер—база), для
КТ8156А...................0.1
КТ8156Б ................... 1
Обратный ток эмиттера. мА. не более (при напряжении эмиттер—база 6 В и нулевом токе коллектора) ............3
Статический коэффициент передачи тока, не менее (при напряжении коллектор—эмиттер 1.5 В и токе коллектора 5 А)...............100
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер. В. не более (при токе коллектора 5 А и токе базы 50 мА).......................1.5
Напряжение насыщения база—эмиттер. В. не более (при токе коллектора 5 А и токе базы 50 мА).............2,4
Тепловое сопротивление переход—корпус, °С/Вт, не более....................2,08
Прямое напряжение демпфирующего диода. В. не более.......................2
Рабочий температурный интервал.°С ..............-60...+100

Предельно допустимые значения

Наибольшее напряжение коллектор—база. В...........330
Наибольшее напряжение коллектор—эмиттер, для
КТ8156А.................150
КТ8156Б.................200
Наибольшее напряжение эмиттер—база, В..............6
Наибольший постоянный ток
коллектора. А.................8
Наибольший импульсный ток коллектора. А (при длительности импульсов не более 10 мс и скважности не менее 100)..................15
Наибольшая постоянная рассеиваемая мощность коллектора. Вт (при установке на теплоотвод и температуре корпуса в пределах -60...+25°С).....60
Наибольшая постоянная рассеиваемая мощность коллектора. Вт (без теплоотвода при температуре окружающей среды в пределах-60...+25°С)......1,5
Наибольшая температура перехода, °С................150.

Не разрешается эксплуатация транзисторов при предельных знамениях двух параметров.

Допустимо одноразовое изгибание выводов прибора не ближе 5 мм от корпуса (в плоскости выводов изгибать их не рекомендуется). При этом необходимо принять меры, исключающие передачу усилия на корпус. Радиус изгиба — не менее 1.5 мм. Расстояние от корпуса до места лужения и пайки выводов не должно быть менее 5 мм.

(Окончание следует)

Вернуться к содержанию журнала "Радио" 7 номер 2000 год







Ваш комментарий к статье
Журнал Радио 7 номер 2000 год. СПРАВОЧНЫЙ ЛИСТОК :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>