Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Журнал Радио

2004: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8
2003: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
2002: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
2000: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1999: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1998: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1971: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1947: 
1, 2, 3, 4, 5
1946: 
1, 2, 3, 4-5, 6-7, 8-9

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Журнал Радио 9 номер 2000 год. СПРАВОЧНЫЙ ЛИСТОК

ФОТОТРАНЗИСТОРЫ

В. ЮШИН, г. Москва 

Продолжение. Начало см. в "Радио", 2000, ╧8

КТФ104А - КТФ104В

Кремниевые планарные n-p-n фототранзисторы КТФ104А, КТФ104Б. КТФ104В с площадью фоточувствительного элемента 0.64 мм2 выпускают в пластмассовом корпусе, таком же. как у КТФ102А (см. рис. 1). Выводы также жесткие луженые, но длина монтажной части 2,9 мм. а не 10.1 мм. Масса — не более 0.2 г.
Фототранзисторы предназначены для использования в бытовой радиоэлектронной аппаратуре.

Основные технические характеристики при Токр.ср = 25°С

Фототок коллектора, мА. не менее, при напряжении коллектор—эмиттер 8,5 В и освещенности 5 лк для
КТФ104А .................0.15
КТФ104Б..................0.1
КТФ104В .................0,05
Темновой коллекторный ток, мкА, не более, при напряжении коллектор—эмиттер 8.5 В для
КТФ104А...................1
типовое значение..........0.1
КТФ104Б. КТФ104В..........5
типовое значение..........0,5
Темновой коллекторный ток, мкА, не более, при напряжении коллектор—эмиттер 8,5 В и температуре окружающей среды +55°С для
КТФ104А.....................10
Область максимальной спектральной фоточувствительности, мкм........0.67,..0.77
Минимальная гарантийная
наработка на отказ, ч.......15 000
Срок сохраняемости, лет..........8

Основные параметры фототранзисторов (определения):

— интегральная токовая чувствительность — отношение изменения тока на выходе фототранзистора к изменению потока излучения, вызвавшего изменение выходного тока;
— монохроматическая токовая чувствительность — отношение изменения тока на выходе фототранзистора к изменению потока излучения заданной длины волны;
— фототок коллектора — ток, протекающий через фототранзистор при указанном коллекторном напряжении, обусловленный воздействием потока излучения;
— темновой ток коллектора — ток, протекающий через фототранзистор при указанном коллекторном напряжении в отсутствие потока излучения;
— время нарастания или спада импульса фотоответа — интервал времени, в течение которого фототок изменяется от 0,1 до 0,9 или от 0,9 до 0,1 соответственно от установившегося значения.

Предельные эксплуатационные значения

Наибольшее напряжение коллектор—эмиттер. В.........12
Рабочий интервал температуры окружающей среды°С ..................-10...+55


Относительная спектральная фоточувствительность фототранзисторов КТФ104А—КТФ104В показана на рис. 7.

КТФ108А

Кремниевые пленарные п-р-п фототранзисторы КТФ108А с селективной фоточувствительностью выпускают в пластмассовом корпусе с жесткими лужеными выводами (рис. 8). Масса прибора — не более 1 г.
Фототранзисторы предназначены для работы в системе автостопа бытовых видеокамер и другой радиоэлектронной аппаратуре.

Основные технические характеристики при Токр.ср = 25°С

Фототок коллектора. мА. не менее, при напряжении насыщения на коллекторе 0.4 В и освещенности 20 мВт/смг на длине волны 0.85 мкм............0.4
типовое значение...........5
Темновой ток коллектора. мкА. не более, при напряжении коллектор—эмиттер 10 В и температуре окружающей среды
+25°С...................0.025
типовое значение.........0.01
+70°С.......................1
Напряжение насыщения на коллекторе. В,не более, при освещенности 20 мВт/см2 на длине волны 0.85 мкм ....................0.4
Область максимальной спектральной фоточувствительности, мкм.....0,76...0.96
Минимальная гарантийная
наработка на отказ, ч.......25 000
Срок сохраняемости, лет .........10

Предельные эксплуатационные значения

Наибольшее постоянное напряжение коллектор-эмиттер. В ...................15
Наибольшая мощность рассеяния, мВт, при температуре окружающей среды
+35°С .....................60
+70°С......................25
Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С ..................-10...+70

На рис. 9 представлена типовая зависимость темнового тока фототранзисторов КТФ108А от напряжения коллектор—эмиттер, а на рис. 10 — от температуры (заштрихована зона технологического разброса). Спектральная характеристика фототранзисторов показана на рис.11.

КТФ109А

Кремниевые плaнарные n-p-n фототранзисторы КТФ109А выпускают в пластмассовом корпусе с жесткими лужеными выводами (рис. 12). Масса—не более 0,15 г.
Приборы предназначены для использования в узлах автостопа магнитофонов и другой бытовой аппаратуре, а также в системах охранной сигнализации, дистанционного управления и автоматики, в тахо-датчиках.

Основные технические характеристики при Токр.ср = 25°С

Фототок коллектора. мА. не менее, при напряжении коллектор—эмиттер 5 8 и мощности облучения 0.3 мВт .................0.08
типовое значение...........0.4
максимальное значение.......1
Монохроматическая токовая чувствительность, А/Вт. не менее, при напряжении коллектор— эмиттер 5 В и облучении с длиной волны 0.83 мкм ...................0.25
Темновой ток коллектора. мкА, не более, при напряжении коллектор—эмиттер 5 В и температуре окружающей среды
+25°С.....................0,5
+55°С ......................2
Время нарастания импульса фотоответа при подаче облучения, мкс. не более................15
Время спада импульса фотоотеета при снятии облучения, мкс, не более........5
Длина волны максимума спектральной фоточувствительности, мкм .........1,08
Минимальная гарантийная наработка, на отказ, ч ......20 000

Предельные эксплуатационные значения

Наибольшее постоянное напряжение коллектор-эмиттер. В ...................10
Наибольшая мощность рассеяния, мВт...............10
Рабочий интервал температуры окружающей среды. °С.....................-60...+55
Зависимость фототока коллектора фототранзистора КТФ109А от мощности облучения изображена на рис. 13, а температурная зависимость темнового тока — на рис. 14 (заштрихована зона технологического разброса).

КОФ224А, К0Ф224Б

Кремниевые планерные n-p-n фототранзисторы КОФ224А. КОФ224Б выпускают в пластмассовом корпусе с жесткими пластинчатыми лужеными выводами (рис. 15). Масса — не более 0.8 г.
Прибор используют в качестве приемника инфракрасного излучения в радиоэлектронной аппаратуре широкого назначения.

Основные технические характеристики при Токр.ср = 25°С

Интегральная токовая чувствительность. мкА/лк. не менее, при напряжении коллектор—эмиттер 5 В.........................0.7
Темновой ток коллектора. мкА. не более, для
КОФ224А ...................1
КОФ224Б..................0.1
Время нарастания или спада выходного импульса фотоответа при подаче или снятии облучения, мкс. не более, для
КОФ224А .................80
КОФ224Б ..................20
Длина волны максимума спектральной фоточувствительности, мкм..........0.95
Минимальная гарантийная
наработка на отказ, ч ......10 000
Срок сохраняемости, лет ..........8

Предельные эксплуатационные значения

Наибольшее постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В ....................5
Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С....................-60...+55

ФТ- 1К, ФТ-1К-01, ФТ- Л К-02, ФТ-2К

Кремниевые пленарные n-p-n фототранзисторы ФТ-1К гр.1. ФТ-1К гр.2. ФТ-1К-01, ФТ-1К-02. ФТ-2К гр. А, ФТ-2К гр.Б с круглым фоточувствительным элементом (диаметром 1,8 мм) выпускают в цилиндрическом металлостеклянном корпусе с гибкими лужеными выводами (рис. 16). Входное окно — плоское. Масса — не более 0.9 г.
Коллекторный вывод удлинен или имеет цветную метку.
Приборы предназначены для работы в качестве детектора инфракрасного излучения в радиоэлектронной аппаратуре промышленного и специального назначения.

Основные технические характеристики при Токр.ср = 25°С

Интегральная токовая чувствительность, мкА/лк. не менее, для
ФТ-1К гр. 1. ФТ-2К гр.А ......0,4
ФТ-1К гр.2. ФТ-2К гр.Б ......0,2
ФТ-1К-01..................0.5
ФТ-Ж-02 ...................2
Темновой ток коллектора. мкА, не более, при напряжении коллектор-эмиттер 5 В для
ФТ-1К гр.1.ФТ-2К гр.А........3
ФТ-1К гр.2. ФТ-2К гр.Б........1
ФТ-1К-01. ФТ-1К-02.........0,2
Время нарастания или спада импульса фотоответа при подаче или снятии облучения.
мкс, не более.................80
Область спектральной фоточувствительности, мкм ... .0,5...1,1
Длина волны максимума спектральной фоточувствительности, мкм............0,85
Минимальная гарантийная наработка на отказ, ч, для ФТ-1К гр.1, ФТ-1 К гр.2.
ФТ-1К-01. ФТ-1К-02 .......2000
ФТ-2К гр.А, ФТ-2К гр.Б.....3500
Срок сохраняемости, лет, для ФТ-1К гр.1, ФТ-1К гр.2,
ФТ-1К-01.ФТ-1К-02.........11
ФТ-2К гр.А. ФТ-2К гр.Б........6

Предельные эксплуатационные значения

Наибольшее постоянное напряжение коллектор-эмиттер. В ....................5
Наибольшая рабочая освещенность (в течение 10 ч). лк....................1500
Рабочий интервал температуры окружающей среды. °С..............-60...+75
На рис. 17 показана спектральная характеристика фоточувствительности фототранзисторов серий ФТ-1К, ФТ-2К.

ФТ-7Б, ФТ-7Б-01

Кремниевые планарные n-р-n фототранзисторы с круглым фо-точувствительным элементом (диаметром 1,1 мм) выпускают в цилиндрическом пластмассовом корпусе с линзой (рис. 18). Выводы — жесткие проволочные луженые. Масса — не более 0,5 г.
Фототранзисторы используют в узлах оптической развязки, для управления световым потоком и в системах сигнализации.

Основные технические характеристики при Токр.ср = 25°С

Интегральная токовая чувствительность, мкА/лм, не менее, для
ФТ-7Б ...................0.04
ФТ-7Б-01.................0.35
Фототок коллектора. мА, не менее, при освещенности 1000 лк для
ФТ-7Б.....................0,2
ФТ-7Б-01 ...................2
Номинальное постоянное напряжение коллектор—эмиттер. В...............20
Темновой ток коллектора. мкА. не более, при напряжении коллектор—эмиттер 20 В ..........0.005
Время нарастания или спада импульса фотоответа при подаче или снятии облучения, мкс. не более ..............1,5
Область спектральной фоточувствительности, мкм . .0,4...1,1
Длина волны максимума спектральной фоточувствительности, мкм..........0,85
Срок сохраняемости, лет ....... .10

Предельные эксплуатационные значения

Пределы допустимого напряжения коллектор-эмиттер, В.................2...30
Пределы допустимой рабочей освещенности, лк .1... 100 ООО
Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С.....................-15...+45

ФТ-8

Кремниевые пленарные n-p-n фототранзисторы ФТ-8 с площадью фоточувствительного элемента 0,5мм2 выпускают в пластмассовом корпусе с жесткими пластинчатыми лужеными выводами (рис. 19). Масса — не более 0,9 г.
Используются как приемники инфракрасного излучения в различных устройствах электронной техники.

Основные технические характеристики при Токр.ср = 25°С

Интегральная токовая чувствительность. мкА/лк. не менее......................2
Темновой ток коллектора. мкА. не более, при напряжении коллектор-эмиттер 5 В и температуре окружающей среды
+25°С.....................0.1
+75°С......................20
Время нарастания выходного импульса фотсот-вета. не более, при подаче облучения с длиной волны 0,9 мкм, напряжении коллектор-эмиттер 5 В и сопротивлении нагрузки 2 кОм, мкс .........................20
Область спектральной фоточувствительности, мкм . .0.5... 1.1
Длина волны максимума спектральной фоточувствительности, мкм......0.9. 0.95
Минимальная гарантийная наработка на отказ, ч ........4000

(Окончание следует)

Вернуться к содержанию журнала "Радио" 9 номер 2000 год







Ваш комментарий к статье
Журнал Радио 9 номер 2000 год. СПРАВОЧНЫЙ ЛИСТОК :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>