Мощный полевой транзистор КП784А

Кремниевые р-канальные транзисторы КП784А с изолированным затвором и обогащением канала, со встроенным защитным диодом изготавливают по эпитаксйально-планарной технологии. Приборы предназначены для работы в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях напряжения с непрерывным и импульсным управлением, в узлах питания компьютеров, в устройствах привода электродвигателей и другой аппаратуре широкого применения.

Транзисторы оформлены в пластмассовом корпусе КТ-28-2 (ТО-220АВ) с жесткими штампованными лужеными выводами (рис. 1). Масса прибора — не более 2,5 г.
Зарубежный аналог транзистора КП784А—IRF9Z34.

Допустимое значение статического потенциала — 200 В (III степень жесткости по ОСТ 11073.062). Режим эксплуатации и условия монтажа транзисторов в аппаратуру должны соответствовать ОСТ 11336.907.0 (см. статью В. Киселева «Полевые транзисторы серии КП737» в «Радио», 2002, ╧ 5, с. 47, 48). Допускается не более трех перепаек выводов транзистора при проведении монтажно-сборочных операций.

Основные типовые графические зависимости параметров транзистора КП784А представлены на рис. 2—5.

На рис. 2,а и б изображены зависимости тока стока Iс от напряжения сток—исток Uси при двух значениях температуры корпуса Ткорп — 25±10 и 150 °С, а на рис. 3 — от напряжения затвор—исток Uзи. Изменение сопротивления канала RK открытого транзистора в рабочем интервале температуры перехода иллюстрирует рис. 4 (RK — текущее значение сопротивления канала; Rк25 — сопротивление канала при Тпер = 25 °С).

Зависимость входной, выходной и проходной емкости от напряжения сток—исток показана на рис. 5.

Вернуться к содержанию журнала "Радио" 5 номер 2003 год