Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Журнал Радио

2004: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8
2003: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
2002: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
2000: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1999: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1998: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1971: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1947: 
1, 2, 3, 4, 5
1946: 
1, 2, 3, 4-5, 6-7, 8-9

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Журнал Радио 1 номер 2004 год.

СПРАВОЧНЫЙ ЛИСТОК

Маломощный полевой транзистор КП214А9

Кремниевый n-канальный полевой транзистор КП214А9 с изолированным затвором и обогащением канала, с встроенным защитным обратно включенным диодом изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии. Транзисторы предназначены для работы в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях напряжения с непрерывным и импульсным управлением, в узлах управления маломощными электродвигателями и в другой радиоэлектронной аппаратуре для народного хозяйства и быта.

Транзисторы оформлены в пластмассовом корпусе КТ-46А (SOT-23) с плоскими лужеными выводами (рис, 1), предназначенными для поверхностного монтажа.

Зарубежный аналог транзистора КП214А9 — 2N7002LT1.

Цоколевка и схема внутренних соединений показаны на рис. 1.

Основные технические характеристики при Токрср = 25+10 °С

Пороговое напряжение, В, при токе стока 0,25 мА и соединенных затворе и стоке...................1 ...2,5
Сопротивление открытого канала, Ом, не более, при длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, токе стока 0,5А и напряжении затвор—исток 10 В ......7,5
Сопротивление открытого канала, Ом, не более, при длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, токе стока 0,05 А и напряжении затвор—исток 5 В ......7,5
Остаточный ток стока, мкА, не более, при напряжении сток—исток 60 В и нулевом напряжении на затворе ......................1
Ток утечки затвора, мкА, не более, при нулевом напряжении сток—исток и напряжении затвор— исток ±20 В ................±0,1
Крутизна вольт-амперной характеристики, мА/В, не менее, при длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, при напряжении сток—исток 7,5 В и токе стока 0,2 А.........80
Постоянное прямое напряжение открытого защитного диода, В, не более, при нулевом напряжении затвор—исток транзистора и токе через выводы стока и истока 115 мА.........1,5
Тепловое сопротивление кристалл—окружающая среда, °С/Вт, не более........625
Время включения/выключения*, не, не более, при напряжении сток-исток 25 В, токе стока 0,5 А и выходном сопротивлении источника сигнала 25 Ом ....................30/40
Емкость транзистора*, пФ, не более, при нулевом напряжении затвор—исток, напряжении сток—исток 25 В и частоте 1 МГц
входная...................50
выходная .................25
проходная..................5
* Справочные параметры.

Предельно допустимые значения

Наибольшее напряжение сток—исток, В................60
Наибольшее напряжение затвор—исток, В ..............±20
Наибольшее импульсное напряжение затвор—исток, В, при длительности импульсов не более 1 с и их скважности не менее 300 .....±40
Наибольший постоянный ток стока*, мА, при напряжении затвор—исток 10 В и температуре окружающей среды не более 25 °С.......................115

Наибольший импульсный ток стока**, мА, при длительности импульсов не более 300 мкс ...............800
Наибольшая постоянная рассеиваемая мощность***, Вт, при температуре окружающей среды не более 25 °C ............0,2
Наибольший прямой ток защитного диода, мА...........115
Наибольший импульсный ток защитного диода**, мА, при длительности импульсов не более 300 мкс .....800
Наибольшая температура кристалла, °С ...............150
Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С -55...+125
_________________________________________
* При увеличении температуры окружающей среды до 125
╟С ток стока необходимо уменьшать (при условии непревышения значения наибольшей рассеиваемой мощности) вплоть до нуля в соответствии с графиком на рис. 2.
** При условии непревышения значения наибольшей рассеиваемой мощности. *** В интервале температуры окружающей среды от 25 до 125 ╟С наибольшую рассеиваемую мощность Рmax рассчитывают по формуле

где RTkp-cp ≈ тепловое сопротивление кристалл≈окружающая среда.

Допустимое значение статического потенциала — 30 В в соответствии с ОСТ 11073.062. Режим и условия монтажа транзисторов в аппаратуру — по ОСТ 11336.907.0. При пайке выводов паяльником необходимо отводить тепло специальным пинцетом с массивными медными губками. Пинцет устанавливают на вывод вблизи корпуса. Паяльник должен быть обязательно заземлен.

Основные типовые графические зависимости параметров транзистора КП214А9 представлены на рис. 3—7. На рис. 3,а и б показаны зависимости тока стока lc от напряжения сток—исток Uси при температуре кристалла Ткр = 25±10°С и 150 °С. Зависимости тока стока от напряжения затвор—исток Uзи изображены на рис. 4, а нормализованная температурная зависимость сопротивления открытого канала RK норм — на рис. 5.

Рис. 6 иллюстрирует характер изменения емкости транзистора при изменении напряжения сток—исток, а рис. 7 — вольт-амперную характеристику открытого защитного диода. Зависимость максимально допустимого постоянного тока стока lc max от температуры кристалла показана на рис. 2.

Материал подготовил В. КИСЕЛЕВ
г. Минск, Белоруссия 

Редактор ≈ Л. Ломакин,
графика ≈ Л. Ломакин

Вернуться к содержанию журнала "Радио" 1 номер 2004 год







Ваш комментарий к статье
Журнал Радио 1 номер 2004 год. :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>