Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Журнал Радио

2004: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8
2003: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
2002: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
2000: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1999: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1998: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1971: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1947: 
1, 2, 3, 4, 5
1946: 
1, 2, 3, 4-5, 6-7, 8-9

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Журнал Радио 5 номер 2004 год.

СПРАВОЧНЫЙ ЛИСТОК

К1464СА1 — два компаратора напряжения с выходом "открытый коллектор"

В корпусе этой микросхемы — два независимых (связанных только цепями питания) компаратора. Каждый из них способен работать в широком интервале значений входного напряжения, питается как от однополярного, так и от двуполярного источника, имеет выход с открытым коллектором. Во входных ступенях компараторов работают p-n-р транзисторы, поэтому входной ток — вытекающий. Входной ток практически не зависит от состояния выхода и сопротивления нагрузки.

К достоинствам компараторов следует также отнести сравнительно низкий потребляемый ток и способность сравнивать входные сигналы, по напряжению близкие к нулевому уровню. Микросхема может быть использована в генераторах импульсов, аналого-цифровых преобразователях, высоковольтных логических элементах, детекторах импульсов и др. узлах. По уровням выходного напряжения компараторы совместимы с элементами ТТЛ, ДТЛ, ЭСЛ и КМОП.

Приборы оформлены в пластмассовом восьмивыводном корпусе двух типов: 2101.8-1 (DIP-8) — K1464CA1R для традиционного монтажа и 4303Ю.8-А (SO-8) — К1464СА1Т, для поверхностного. Чертежи корпусов представлены на рис. 1 ,а и б. По электрическим характеристикам обе микросхемы идентичны. Зарубежный аналог микросхемы К1464СА1 — LM393 (фирмы National Semiconductor Corporation).

Цоколевка микросхемы показана на рис. 2

Основные электрические характеристики

Входное напряжение смещения, мВ, не более, при напряжении питания 5 В и температуре*
+25 °С .....................7
-40...+85°С ................9

Входной ток, нА, не более, при напряжении питания 5 В и температуре
+25 °С ...................250
-40...+85°С ..............400

Разность значений тока входов, нА, не более, при напряжении питания 5 В и температуре
+25 °С ....................50
-40...+85°С ..............150

Пределы входного синфазного напряжения, В, при напряжении питания 30 В и температуре
+25 °С ..........0...(Unt1T-1,5B)
-40...+85°С.......0...(ипит-2В)

Потребляемый ток, мА, не более, при неподключенном выходе, температуре +25 °С и напряжении питания
5В ........................1
36 В .....................2,5

Выходной ток (втекающий), мА, не менее, при напряжении на инвертирующем входе 1 В, нулевом напряжении на неинвертирующем входе, выходном напряжении не более 1,5 В, напряжении питания 5 В и температуре + 25 °С ............6

Напряжение насыщения, мВ, не более, при напряжении на инвертирующем входе 1 В, нулевом напряжении на неинвертирующем входе, выходном токе не более 4 мА, напряжении питания 5 В и температуре 25 °С ........700

Выходной ток утечки, мкА, не более, при напряжении на неинвертирующем входе 1 В, нулевом напряжении на инвертирующем входе, выходном напряжении 30 В и температуре 25 °С .........................1

Напряжение питания, В,
однополярное...........2...36
двуполярное ........2x1...2x18

Дифференциальное входное напряжение, В .............0...36

* Везде температура окружающей среды.

Предельно допустимые значения

Наибольшее напряжение питания, В .....................40
Наибольшее входное дифференциальное напряжение, В .......................40
Наибольший входной ток, мА, при входном напряжении, меньшем -0,3 В .......50*
Наибольшая температура кристалла, °С ..............+170
Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С ....................-40...+85
Наибольшая температура хранения, ° С ................150
___________________________________
* Поскольку входные транзисторы имеют структуру р-п-р, при однополярном питании их коллекторы оказываются соединенными с общим проводом. При подаче на вход минусового напряжения (в_ номинальном режиме оно не должно быть менее нуля) через коллекторный переход входных транзисторов протекает прямой ток — втекающий, в отличие от вытекающего, в нормальном режиме. Указанное значение — предел, на котором входной ток должен быть ограничен в тех случаях, когда описанный режим компаратора возможен.

Типовая схема инвертирующего компаратора с "гистерезисом" напряжения показана на рис. 3. Значения нижнего и верхнего входного порогового напряжения Uпор.н и Uпор.в определено следующими соотношениями:

При условии R1=R2=R3

Значения напряжения на выходе компаратора: U° = Uнас; U1≈Uпит - Iут•R4. Напряжение насыщения Uнас зависит от тока нагрузки:

(Iут — выходной ток утечки; ток через резистор R3 при больших значениях сопротивления резисторов R1—R3 можно не учитывать ввиду его малости).

На рис. 4 представлена типовая схема неинвертирующего компаратора с гистерезисом напряжения. Для него

Передаточные характеристики описанных выше инвертирующего и неинвертирующего компараторов напряжения изображены на рис. 5,а и б соответственно.

Следует отметить, что для обеспечения стабильных пороговых значений напряжения питать компаратор, как инвертирующий, так и неинвертирующий, и особенно формирователь образцового напряжения (на рис. 3 и 4 — резистивные делители R1R2) необходимо от стабилизированного источника.

Рассмотрим кратко несколько вариантов применения компаратора.

На рис. 6 изображена схема генератора прямоугольных импульсов. Он построен на базе инвертирующего компаратора напряжения с "гистерезисом" и имеет такие же пороги переключения. Элементы R4, VD2 образуют цепь зарядки конденсатора С1 и определяют длительность выходного импульса τи ≈R4•C1•ln2. Через элементы R3, VD1 конденсатор С1 разряжается, формируя паузу tn≈R3•C1•ln2. Процессы, протекающие в цепях генератора, иллюстрирует рис. 7.

Благодаря тому что компараторы имеют выход с открытым коллектором, их можно соединять по схеме монтажного ИЛИ. Для этого достаточно объединить выходы компараторов (вывод 1 и 7) и через общий нагрузочный резистор сопротивлением 3 кОм соединить выход элемента с плюсовым проводом питания.

На рис. 8 показана схема детектора прохождения через "нуль". Основой узла служит инвертирующий компаратор напряжения с "гистерезисом". При указанных на схеме номиналах резисторов приведенные к входу пороговые уровни соответствуют: Uпор.н ≈ -0,0023Uпит; Uпор.в ≈ 0,0027Uпит. На выходе детектор формирует короткий импульс при каждом прохождении входного напряжения через "нуль". Диод VD1 защищает компаратор от перегрузки входным током при минусовых полупериодах входного сигнала.

Материал подготовили
М. ШАПОВАЛОВ, А. ШЕСТАКОВ,
Н. МИНИНА г. Брянск 

Редактор — Л. Ломакин,
графика — Л. Ломакин  

Вернуться к содержанию журнала "Радио" 5 номер 2004 год







Ваш комментарий к статье
Журнал Радио 5 номер 2004 год. :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>