Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Журнал Радио

2004: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8
2003: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
2002: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
2000: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1999: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1998: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1971: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1947: 
1, 2, 3, 4, 5
1946: 
1, 2, 3, 4-5, 6-7, 8-9

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Журнал Радио 7 номер 2004 год.

СПРАВОЧНЫЙ ЛИСТОК

Полевые транзисторы серии КП504

Полевые n-канальные кремниевые транзисторы КП504А—КП504Е средней мощности с изолированным затвором и обогащением канала изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии. Прибор оснащен встроенным защитным обратносмещенным диодом, включенным между истоком и стоком.

Транзисторы предназначены для работы в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях напряжения с непрерывным и импульсным управлением, в приводных узлах маломощных электродвигателей и другой аппаратуре бытового и промышленного назначения.

Приборы оформлены в пластмассовом корпусе КТ-26 (ТО-92) с жесткими штампованными лужеными выводами (рис. 1). Зарубежный аналог транзистора КП504А —BSS88.

Основные характеристики при Токр.ср = 25±10°С

Пороговое напряжение, В, при токе стока 1 мА и соединенных затворе истоке . . .0,6...2
Сопротивление открытого канала, Ом, не более, при длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, при токе стока 0,25 А и напряжении затвор-исток 4,5 В для
КП504А— КП504В, КП504Д, КП504Е ............8
КП504Г ...................10
Сопротивление открытого канала, Ом, не более, при длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, при токе стока 14 мА и напряжении затвор—исток 1,8 В для
КП504А— КП504В, КП504Д, КП504Е ...........15
КП504Г ...................18
Остаточный ток стока, мкА, не более, при максимально допустимом напряжении сток—исток и нулевом напряжении затвор— исток ........................1
Ток утечки затвора, мкА, не более, при нулевом напряжении сток—исток и напряжении затвор—исток ±20 В ................±0,1
Крутизна вольт-амперной характеристики, А/В, не менее, при длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, при напряжении сток—исток 5 В и токе стока 0,25 А. ................... .0,14
Постоянное прямое напряжение защитного диода, В, не более, при длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, при нулевом напряжении затвор—исток и токе через диод 0,5 А для
КП504А, КП504В—КП504Д..........1,3
КП504Б, КП504Е ...........1,8
Тепловое сопротивление кристалл—среда, °С/Вт, не более, для
КП504А, КП504Б..........125
КП504В—КП504Е..........177
Емкость* транзистора, пФ, не более, при нулевом напряжении затвор—исток, напряжении сток—исток 25 В и частоте 1 МГц
входная..................140
выходная .................30
проходная..................9
____________________________________________________

* Справочные параметры.

Предельно допустимые значения

Наибольшее напряжение сток—исток, В, для КП504А, КП504Б, КП504Д, КП504Е ..........240
КП504В ..................200
КП504Г ..................250
Наибольшее напряжение затвор—исток, В..............±10
Наибольший постоянный ток* стока, мА, для
КП504А, КП504Б ..........250
КП504В, КП504Д, КП504Е ..................200
КП504Г ..................180
Наибольший импульсный ток* стока, А..................1
Наибольшая постоянная рассеиваемая мощность**, Вт, при температуре окружающей среды не более 25 °С, для
КП504А, КП504Б ............1
КП504В— КП504Е ......0,7
Наибольшая температура кристалла, °С...............150
Рабочий температурный интервал окружающей среды, °С ................-55...+125
______________________________________________

* При условии непревышения предельных значений мощности рассеяния и температуры кристалла
** При температуре окружающей среды Токр.ср от +25 до +125 °С максимальную рассеиваемую мощность Рmax необходимо уменьшать в соответствии с формулой Рmax = ( Ткр max - Токр.ср)/RT.кр-ср, где Ткр max наибольшая температура кристалла; RT.кр-ср — тепловое сопротивление кристалл—среда.

Допустимое значение статического потенциала — 30 В в соответствии с ОСТ 11 073.062. Режим работы и условия монтажа транзисторов в аппаратуру — по ОСТ 11 336.907.0.

Наиболее важные графические типовые зависимости параметров транзисторов серии КП504 представлены ниже. На рис. 2,а и б показаны выходные характеристики при двух значениях температуры окружающей среды, а на рис. 3 — зависимость тока стока от напряжения затвор—исток. На рис. 4 изображена нормализованная зависимость сопротивления открытого канала прибора от температуры (RK — отношение текущего сопротивления канала к сопротивлению при температуре кристалла +25 °С).

Рис. 5 иллюстрирует температурное изменение порогового напряжения, а рис. 6 — максимально допустимой постоянной мощности рассеяния. Представление о том, как меняются значения входной, выходной и проходной емкости транзисторов при изменении напряжения сток—исток, дает график на рис. 7. Зависимость крутизны вольт-амперной характеристики и сопротивления открытого канала от тока стока представлены на рис. 8 и 9 соответственно. Мощност-ные возможности встроенного защитного диода демонстрирует рис. 10.


Увеличить

Материал подготовил
В. КИСЕЛЕВ
г. Минск, Белоруссия 

Вернуться к содержанию журнала "Радио" 7 номер 2004 год







Ваш комментарий к статье
Журнал Радио 7 номер 2004 год. :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>