Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Журнал Радио

2004: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8
2003: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
2002: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
2000: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1999: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1998: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1971: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1947: 
1, 2, 3, 4, 5
1946: 
1, 2, 3, 4-5, 6-7, 8-9

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Журнал Радио 8 номер 2004 год.

СПРАВОЧНЫЙ ЛИСТОК

Микросхемы для защиты литиевых аккумуляторов

Современные литиевые аккумуляторы и аккумуляторные батареи для питания сотовых телефонов и других портативных электронных приборов обладают высокими массогабаритными показателями и большой энергоемкостью, но наряду с этим очень чувствительны к нарушениям режимов зарядки и разрядки. Последствия таких нарушений, зачастую непреднамеренных, могут быть довольно тяжелыми — от существенной потери энергоемкости до полного выхода батареи из строя. Сравнительная стоимость литиевых аккумуляторов и батарей пока остается высокой.

Это вынуждает встраивать в батареи довольно сложное электронное устройство, следящее за правильностью ее эксплуатации и не допускающее выхода за предельно допустимый режим. Ниже описаны микросхемы, выпускаемые фирмой ON Semiconductor, которые предназначены для выполнения именно этих функций. Одна из серии NCP802 защитит единичный литиевый аккумулятор, а МС33351А обеспечит надежную работу батареи из трех таких аккумуляторов. Знакомство с их особенностями поможет не только правильно эксплуатировать аккумуляторы, но и восстановить работоспособность после неожиданного "отказа", связанного нередко всего лишь со срабатыванием встроенной системы защиты.

Микросхемы серии NCP802

Их выпускают в нескольких конструктивных модификациях: NCP802SN1T1 — в малогабаритном пластмассовом корпусе SOT-23-6 (рис. 1), a NCP802SAN1T1 и NCP802SAN5T1 — в пластмассовом корпусе SON-6 (рис. 2) еще меньших размеров.

Если к обозначению добавлен индекс G, микросхема экологически безопасна (не содержит свинца). На корпус микросхем NCP802 нанесена лишь условная маркировка — буквы KN и код даты изготовления. Полное наименование со всеми индексами указано только в сопроводительной документации. Цоколевка микросхем представлена в табл. 1.

Типовая схема подключения прибора к защищаемому литий-ионному аккумулятору показана на рис. 3.

Цепь R2C1 — фильтр питания микросхемы DA1. Сопротивление резистора R2 не должно быть более 1 кОм, так как падение напряжения на нем может недопустимо увеличить пороги срабатывания узла защиты. Резисторы R1 и R2 ограничивают ток через микросхему при случайном подключении аккумулятора G1 к зарядному устройству, развивающему слишком большое напряжение, или в неправильной полярности. Чтобы в этих ситуациях не превысить допустимую для микросхемы рассеиваемую мощность, суммарное сопротивление этих резисторов должно быть не менее 1 кОм. Однако при сопротивлении резистора R1 более 30 кОм микросхема может не войти в режим зарядки при подключении к зарядному устройству ЗУ аккумулятора, разряженного до уровня ниже допустимого.

Полевые транзисторы VT1 и VT2 включены последовательно в цепь зарядки/разрядки аккумулятора G1. В рабочем состоянии оба они открыты, а суммарное сопротивление их каналов служит датчиком тока, протекающего в этой цепи. Понизить при необходимости пороги срабатывания токовой защиты можно включением последовательно между выводами стока транзисторов дополнительного резистора, не показанного на схеме.

Если транзистор VT1 закрыт, разрядка аккумулятора G1 на внешнюю нагрузку невозможна. Однако зарядный ток может беспрепятственно протекать через встроенный в транзистор защитный диод, включенный в прямом для этого тока направлении. Аналогичным образом закрытый транзистор VT2 запрещает зарядку, оставляя возможной разрядку аккумулятора G1. Когда закрыты оба транзистора, аккумулятор полностью отключен от внешних цепей.

Защита от перезарядки

Если напряжение на выводе Vcell микросхемы увеличивается, то в момент превышения некоторого порогового значения U1 она подает команду на закрывание транзистора VT2, устанавливая через резистор R1, соединенный с истоком транзистора VT2, на выводе СО низкий уровень напряжения, равный напряжению на выводе Р-.

Микросхема вернется в состояние с высоким уровнем на выводе СО после того, как напряжение, поданное на вывод Vcell, уменьшится до значения, немного меньшего порогового. Выход из состояния с низким уровнем напряжения на выводе СО произойдет и после подключения к аккумулятору нагрузки, если вызванное ее током падение напряжения на внутреннем диоде транзистора VT2 — оно приложено к выводу Р- — достигнет порогового уровня Uз (о нем сказано ниже) или превысит его.

Условия перехода микросхемы в состояние защиты или возвращения в исходное должны сохраняться в течение продолжительного времени, прежде чем этот переход произойдет — предусмотрена временная задержка.

Защита от чрезмерной разрядки

Когда напряжение на выводе Vcell, уменьшаясь, переходит установленный порог U2, на выводе DO появится низкий уровень напряжения, что приведет к закрыванию транзистора VT1 и прекращению дальнейшей разрядки аккумулятора G1. Возможность зарядки сохраняется. После того, как напряжение на выводе Vcell превысит порог U2, на выводе DO вновь возникнет высокий уровень.

В состоянии запрета разрядки аккумулятора ток, потребляемый микросхемой, резко снижается, так как большинство ее внутренних узлов переходит в пассивное состояние. Небольшое приращение напряжения на выводе Р-, вызванное подключением аккумулятора к ЗУ, снова активизирует микросхему

Временные диаграммы напряжения на различных выводах микросхемы и тока в цепи аккумулятора G1 показаны на рис. 4 и 5. Первый из них иллюстрирует работу узла защиты аккумулятора от перезарядки и превышения допустимого зарядного тока, а второй — от чрезмерной разрядки и превышения допустимого разрядного тока.


Увеличить

Защита от превышения разрядного тока и замыкания выводов аккумулятора

Этот узел действует, когда открыты оба транзистора — VT1 и VT2. Как только падение напряжения на них превысит любое из пороговых значений U3 или U5, на выводе DO установится низкий уровень, закрывающий транзистор VT1. Задержка его закрывания при превышении тока разрядки равна приблизительно 12 мс, а при замыкании выводов аккумулятора — 0,4 мс. Это намного меньше задержки срабатывания узла защиты от чрезмерной разрядки.

В результате узел токовой защиты срабатывает первым, предотвращая переход микросхемы в пассивный режим, для выхода из которого необходимо подключать аккумулятор к ЗУ. Для возвращения в исходное состояние после устранения замыкания или перегрузки по току разрядки достаточно, чтобы падение напряжения на имеющемся внутри микросхемы резисторе Rs стало меньше порогового. Этот резистор подключен между выводами Gnd (Общ.) и Р- при сработавшем узле токовой защиты и отключен от них во всех других состояниях.

Защита от превышения допустимого зарядного тока

Когда зарядный ток больше допустимого (например, аккумулятор подключен к "чужому" или неисправному ЗУ), отрицательное напряжение на выводе Р- ниже порога U4. Если в течение определенного времени эта ситуация не изменилась, на выводе СО будет установлен низкий уровень, что приведет к закрыванию полевого транзистора VT2 и прекращению зарядки. Для возвращения в исходное состояние необходимо отключить аккумулятор от ЗУ и на некоторое время подключить к нагрузке.

Управление временными задержками

Как отмечалось выше, для изменения состояния микросхемы необходимо действие определенных условий в течение заданных внутренними узлами микросхемы интервалов времени. При необходимости задержку можно отключить, после чего микросхема будет переключаться немедленно после возникновения соответствующего условия (длительность срабатывания узлов и возвращения в рабочий режим не регламентирована). Для этого достаточно вывод DS соединить с выводом Vcell. Нормальное состояние вывода DS — неподключенное. Между ним и выводом Gnd в микросхеме предусмотрен внутренний резистор.

Зарядка сильно разряженного аккумулятора

Если напряжение между выводами Vcell и Gnd микросхемы не менее 1,5 В, на ее выводе СО — высокий уровень, транзистор VT2 открыт. Это позволяет начать зарядку почти полностью разряженного аккумулятора.

Основные технические характеристики

Напряжение питания, В......1,5...4,5
Минимальное напряжение на аккумуляторе, при котором можно начать зарядку, В .........1,5
Наибольший ток, потребляемый в активном режиме, мкА, при напряжении питания 3,9 В и нулевом напряжении на выводе Р- .........6
типовое значение ...........3
Наибольший ток, потребляемый в пассивном режиме, мкА, при напряжении питания 2 В .................0,1
Наибольшее значение напряжения низкого уровня на выходе СО управления транзистором зарядки, В, при напряжении питания 4,5 В и импульсе выходного тока 50 мкА .............0,5
типовое значение ..........0,4
Наименьшее значение напряжения высокого уровня на выходе СО управления транзистором зарядки,В, при напряжении питания 3,9 В и импульсе выходного тока -50 мкА .......3,4
типовое значение ..........3,7
Наибольшее значение напряжения низкого уровня на выходе DO управления транзистором разрядки, В, при напряжении питания 2 В и импульсе выходного тока 50 мкА ..........0,5
типовое значение ..........0,2
Наименьшее значение напряжения высокого уровня на выходе DO управления транзистором разрядки, В, при напряжении питания 3,9 В и импульсе выходного тока -50 мкА .......3,4
типовое значение ..........3,7

Узел защиты от перезарядки

Пороговое напряжение срабатывания U! (между выводами Vcell и Gnd), В при сопротивлении резистора R2 (рис. 3) 330 Ом и температуре окружающей среды в пределах -5...+55 °С для
NCP802SN1T1, NCP802SAN1T1 .....4,32...4,38
типовое значение ......4,35
NCP802SAN5T1 . . .4,245...4,305
типовое значение .....4,275
Пороговое напряжение срабатывания U,, В, при сопротивлении резистора R2 330 Ом и температуре окружающей среды +25 °С для
NCP802SN1T1, NCP802SAN1T1 . . .4,325...4,375
типовое значение ......4,35
NCP802SAN5T1 ......4,25...4,3
типовое значение .....4,275
Задержка срабатывания t31, с, при увеличении напряжения питания (на выводе Vcell) от 3,6 до 4,4 В, для
NCP802SN1T1, NCP802SAN1T1 .. .0,175...0,325
типовое значение ......0,25
NCP802SAN5T1 .......0,7...1,3
типовое значение .........1
Задержка возвращения tB1 в рабочий режим, мс, при напряжении питания 4 В и увеличении падения напряжения на датчике тока R1 от нуля до 1 В......11...21
типовое значение ..........16

Узел защиты от переразрядки

Пороговое напряжение срабатывания U2 (между выводами Vcell и Gnd), В, для
NCP802SN1T1, NCP802SAN1T1 .....2,34...2,46
типовое значение .......2,4
NCP802SAN5T1 .....2,24...2,36
типовое значение .......2,3
Задержка срабатывания t32, мс, при уменьшении напряжения питания от 3,6 до 2,2 В..................14...26
типовое значение ..........20
Задержка возвращения tB2 в рабочий режим, мс, при напряжении питания 3 В и уменьшении падения напряжения на датчике тока от 3 В до нуля .....0,7... 1,7
типовое значение ..........1,2

Узел защиты от превышения тока разрядки

Пороговое напряжение U3 на датчике тока, В, для
NCP802SN1T1, NCP802SAN1T1 .....0,18...0,22
типовое значение .......0,2
NCP802SAN5T1 .....0,08...0,12
типовое значение .......0,1
Задержка срабатывания t33, мс, при напряжении питания 3 В и увеличении падения напряжения на датчике тока от нуля до 1 В для
NCP802SN1T1, NCP802SAN1T1 .........8...16
типовое значение ........12
NCP802SAN5T1 ...........4..8
типовое значение .........6
Задержка возвращения tB3 в рабочий режим, мс, при напряжении питания 3 В и уменьшении падения напряжения на датчике тока от 3 В до нуля .....0,7... 1,7
типовое значение ..........1,2

Узел защиты от превышения тока зарядки

Пороговое напряжение U4 на датчике тока, В, при уменьшении падения напряжения на нем .....-0,13...-0,07
типовое значение.........-0,1
Задержка срабатывания t34, мс, при напряжении питания 3 В и уменьшении падения напряжения на датчике тока от нуля до -1 В для
NCP802SN1T1, NCP802SAN1T1 ........11...21
типовое значение ........16
NCP802SAN5T1 .........5... 11
типовое значение .........8
Задержка возвращения tB4 в рабочий режим, мс, при напряжении питания 3 В и увеличении падения напряжения на датчике тока от-1 В до нуля ......0,7...1,7
типовое значение ..........1,2

Узел защиты от замыкания внешних выводов

Пороговое напряжение U5 на датчике тока, В, при напряжении питания 3 В . . .Uпит - (1,4...1,8)
типовое значение .....Uпит - 1,1
Задержка срабатывания t35, мс, при напряжении питания 3 В и увеличении падения напряжения на датчике тока от нуля до 3 В . .0,25...0,6 типовое значение ..........0,4
Сопротивление между выводами Р- и Gnd после срабатывания узла токовой защиты, кОм, при напряжении питания 3,6 В и падении напряжения на датчике тока 1 В ..........15. ..45
типовое значение...........30

Узел управления задержками

Напряжение на входе DS, отключающее задержки, В ..............Uпит+(-0,5...+0,3)
Напряжение на неподключенном входе DS, В, при напряжении питания 3,6...4,4 В ........1,05...(Uпи -1,1)
Сопротивление внутреннего резистора между выводами DS и Gnd, МОм .......0,5...2,5
типовое значение ..........1,3

Предельно допустимые значения

Напряжение, В, между выводами Vcell и Gnd (напряжение питания), а также между выводами DS и Gnd, DO и Gnd .........-0,3...+12
Напряжение, В, между выводами Р- и Gnd, а также между СО и Р- ....... Uпит+(-28...+0,3)
Наибольшая рассеиваемая мощность, мВт ..............150
Рабочий интервал температуры кристалла, °С ......-40...+85
Температура хранения, °С .. .-55...+125
____________________________________
При неподключенном выводе DS, если не указано иного.

Кроме указанных выше, та же фирма выпускает серию микросхем MC33349N, отличающихся от NCP802SN1T1 в основном только значениями трех параметров:

Пороговое напряжение срабатывания U1, В (типовое значение) при сопротивлении резистора R2 330 Ом и температуре окружающей среды +25 °С, для
MC33349N-3R1, MC33349N-4R1 .............4,25
MC33349N-7R1 ...........4,35
Пороговое напряжение срабатывания U2, В (типовое значение) ...................2,5
Пороговое напряжение U3 на датчике тока, В (типовое значение), для
MC33349N-3R1, MC33349N-7R1 ............0,2
MC33349N-4R1 ..........0,075
В маркировке на корпусе этих микросхем вместо KN нанесено цифробуквенное обозначение: А1 — для
MC33349N-3R1, А2 — MC33349N-4R1 и АО — MC33349N-7R1.

Емкость конденсатора С2 изготовитель не указывает.

Материал подготовил
А. Долгий г. Москва 

(Окончание следует)
Редактор — Л. Ломакин,
графика — Л. Ломакин 

Вернуться к содержанию журнала "Радио" 8 номер 2004 год







Ваш комментарий к статье
Журнал Радио 8 номер 2004 год. :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>