Корпус ИМС К153УД501
Типовая схема включения ИМС К153УД5, К153УД501
Электрические параметры
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Общие рекомендации по применению
Зарубежные аналоги
Литература
Микросхемы представляют собой прецезионные малошумящие операционные
усилители с выходным напряжением
10 В, большими
коэффициентами усиления и подавления синфазной составляющей, низким дрейфом
напряжения смещения нуля и чувствительностью к изменениям напряжения
питания (коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение
смещения нуля менее 35 мкВ/В). Имеют защиту выхода от коротких замыканий.
Содержат 45 интегральных элементов. Корпус К153УД5 типа 301.8-2, К153УД501
типа 3101.8-1, масса не более 1,3 г.
Корпус ИМС К153УД501
Типовая схема включения ИМС К153УД5, К153УД501
1,8 - балансировка; 2 - инвертирующий вход; 3 - неинвертирующий вход; 4 - напряжение питания (-Uп);
5 - частотная коррекция; 6 - выход; 7 - напряжение питание (+Uп);
Электрические параметры
| 1 | Номинальное напряжение питания | |
| 2 | Максимальное выходное напряжение при Uп= |
|
| 3 | Напряжение смещения нуля при Uп=
|
|
| 4 | Средний входной ток при Uп=
|
|
| 5 | Разность входных токов при Uп=
|
|
| 6 | Ток потребления при Uп=
|
|
| 7 | Коэффициент усиления напряжения при Uп=
|
|
| 8 | Коэффициент ослабления синфазных напряжений при Uп=
|
|
| 9 | Коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение
смещения нуля при Uп=
|
|
| 10 | Частота единичного усиления | 0,1 МГц |
| 11 | Входное сопротивление | 1 МОм |
| 12 | Температурный дрейф напряжения смещения нуля | 7 мкВ/ ° C |
Предельно допустимые режимы эксплуатации
| 1 | Напряжение питания       в предельном режиме |
|
| 2 | Входное напряжение       в предельном режиме |
|
| 3 | Синфазные входные напряжения | |
| 4 | Сопротивление нагрузки | |
| 5 | Рассеиваемая мощность       в предельном режиме |
|
| 6 | Статический потенциал | 100 В |
| 7 | Температура окружающей среды | -10...+70 ° C |
Общие рекомендации по применению
Максимальная температура пайки микросхем (270
10) ° C, расстояние от корпуса до места пайки не менее 1,5 мм,
продолжительность пайки не более 3 с. При проведении монтажных операций
допускается не более трех перепаек микросхем. Корпус ИС находится под
отрицательным потенциалом.
Зарубежные аналоги
µ A725
Литература
Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. - М.:ИП РадиоСофт, 1999г. - 640с.:ил.


Параметры интегральной микросхемы К153УД5, К153УД501