Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Отечественные, серии:

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Корпус ИМС К159НТ1А-Е
Корпус ИМС КР159НТ1А-Е
Электрическая схема
Электрические параметры
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Зарубежные аналоги
Литература


Микросхемы представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей). Корпус типа 301.8-2, масса не более 1,3 гр и типа 201.14-1, масса не более 1,0 гр.

Корпус ИМС К159НТ1А-Е

301.8-2 package view



















Корпус ИМС КР159НТ1А-Е

201.14-1 package view



















Электрическая схема

Conditional graphic designation 1,8 - свободные;
2 - коллектор транзистора VT1;
3 - база транзистора VT1;
4 - эмиттер транзистора VT1;
5 - эмиттер транзистора VT2;
6 - база транзистора VT2;
7 - коллектор транзистора VT2;





Электрические параметры

1 Разность напряжений эмиттер-база транзисторов
    159НТ1А-В
    159НТ1Г-Е
 
не более 3 мВ
не более 15 мВ
2 Прямое падение напряжения эмиттер-база при Iэ=1 мА 0,55...0,75 В
3 Обратный ток коллектор-база не более 200 нА
4 Обратный ток эмиттер-база не более 500 нА
5 Ток утечки между транзисторами VT1 и VT2 при U=20 В не более 20 нА
6 Коэффициент усиления по току при UКБ=5 В, IЭ=1 мА
    159НТ1А,Г
    159НТ1Б,Д
    159НТ1В,Е
 
20...80
60...180
более 80
7 Емкость эмиттера на частоте 10 мГц не более 5 пФ
8 Емкость коллектора на частоте 10 мГц не более 4 пФ


Предельно допустимые режимы эксплуатации

1 Напряжение коллектор-база 20 В
2 Напряжение эмиттер-база 4 В
3 Напряжение между транзисторами 20 В
4 Ток коллектора постоянный 10 мА
5 Ток коллектора импульсный tи=30 мкс 40 мА
6 Рассеиваемая мощность 50 мВт


Зарубежные аналоги

2N4042-2N4045



Литература

Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. - М.:ИП РадиоСофт, 1999г. - 640с.:ил.





serg пишет...

цололёвка 159НТ1 неправильная!!! 1 и 5 свободные 2к1 3б1 4э1 6э2 7б2 8к2 !!!!!!!

18/01/2013 09:43:59

Сергей пишет...

Какими транзисторами можно заменить микросхему К159НТ1Е?

27/07/2013 18:35:15

Артем пишет...

Цоколевка неверная!

21/07/2015 07:25:01

Артем пишет...

Цоколевка неверная!

21/07/2015 07:25:17

ЕВГЕНИЙ пишет...

под DIP-8 всё правильно

13/09/2015 17:33:47

ЕВГЕНИЙ пишет...

1 и 8 не используются

13/09/2015 17:34:35

Дмитрий пишет...

для кр159нт1е - правильно (1,8 - не исп.)

08/02/2016 08:50:00

pedgryand пишет...

Дмитрий пишет...

для кр159нт1е - правильно (1,8 - не исп.)
Дык а для К159НТ1 цоколевка какая?

18/05/2016 16:37:39

pedgryand пишет...

Цколевка для К159НТ1 (МЕТААЛ)

1,5 - свободные;
2 - коллектор транзистора VT1;
3 - база транзистора VT1;
4 - эмиттер транзистора VT1;
6 - эмиттер транзистора VT2;
7 - база транзистора VT2;
8 - коллектор транзистора VT2;

21/05/2016 09:55:08

pedgryand пишет...

Добавте цоколевку К159НТ1 в металическом корпусе.
1,5 - свободные;
2 - коллектор транзистора VT1;
3 - база транзистора VT1;
4 - эмиттер транзистора VT1;
6 - эмиттер транзистора VT2;
7 - база транзистора VT2;
8 - коллектор транзистора VT2;

22/05/2016 16:18:48



Ваш комментарий к статье
К159НТ1А-Е, КР159НТ1А-Е - матрица из двух n-p-n транзисторов :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>