Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Отечественные, серии:

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Корпус ИМС К174УН8
Принципиальная схема ИМС К174УН8
Типовая схема включения ИМС К174УН8
Схема включения ИМС К174УН8 с заземленной нагрузкой
Электрические параметры
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Общие рекомендации по применению
Литература


═ ═ ═ ═ Микросхема представляет собой усилитель мощности низкой частоты с номинальной выходной мощность до 2 Вт на нагрузку 4 Ом. Содержит 30 интегральных элементов. Конструктивно оформлены в корпусе типа 201.9-1. Масса не более 2,0 гр.

Корпус ИМС К174УН8

 201.9-1 package view 1 - коррекция Icc выходных транзисторов;
2 - обратная связь;
3 - теплоотвод;
4 - вход;
5 - фильтр;
6 - вольтодобавка;
7 - питание +Uи.п.;
8 - выход;
9 - общий -Uи.п..

Принципиальная схема ИМС К174УН8

 K174UN8 principial scheme

Типовая схема включения ИМС К174УН8

K174UN8 application scheme

Схема включения ИМС К174УН8 с замленной нагрузкой

 K174UN8 with ground application scheme

Электрические параметры

═ 1 ═ ═ Номинальное напряжение питания ═ 12 В ╠ 10%
═ 2 ═ ═ Ток потребления при Uп = 12 В, Rн = 4 Ом, Uвх = 0 В ═ 15 мА
═ 3 ═ ═ Коэффициент усиления при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц, Uвх = 0,1 В ═ 4┘40
═ 4
═ Нестабильность коэффициента усиления напряжения при
═ Uп = 12 В, fвх = 1 кГц, Rн = 4 Ом

═ 20 %
═ 5
═ Коэффициент гармоник при Uп = 12 В, Rн = 4 Ом, fвх = 1 кГц
═ Uвых = 2,83 В, Рвых = 2 Вт

═ 2 %
═ 6 ═ ═ Входное сопротивление при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц ═ 10 кОм
═ 7 ═ ═ Выходная мощность при Uп = 12 В, Rн = 4 Ома ═ 2,5Вт
═ 8 ═ ═ Диапазон рабочих частот ═ 30┘20 000 Гц
═ 9 ═ ═ Коэффициент полезного действия при Pвых = 2 Вт ═ 50 %


Предельно допустимые режимы эксплуатации

═ 1 ═ ═ Напряжение питания ═ 13,2 В
═ 2 ═ ═ Амплитудное значение тока в нагрузке ═ 1,09 А
═ 3 ═ ═ Сопротивление нагрузки ═ 4 Ом
═ 4 ═

═ Тепловое сопротивление:
═ ═ кристалл-корпус
═ ═ кристалл-среда

═ 60°С/Вт
═ 135°С/Вт
═ 5 ═ ═ Температура окружающей среды ═ -25...+55°С
═ 6 ═ ═ Температура кристалла ═ +125 °С


Общие рекомендации по применению

═ ═ ═ ═ При проведении монтажных операций допускается не более двух перепаек выводов микросхем. Температура пайки 235 ╠ 5 °С, расстояние от корпуса до места пайки на более 1,5 мм, продолжительность пайки не более 6 с. При эксплуатации микросхемы должна быть предусмотрена защита от случайного увеличения напряжения питания.

═ ═ ═ ═ Эксплуатация микросхем допускается только с применением теплоотвода. Допускается включение нагрузки относительно общего вывода (с заземленной нагрузкой).

═ ═ ═ ═ Для устранения высокочастотной генерации необходимо уменьшать индуктивность проводов, соединяющие вывод 7 с источником питания, использовать только короткие провода для соединения с навесными элементами, экранировать провод, соединяющий вход микросхемы с генератором сигналов.

═ ═ ═ ═ Регулировка коэффициента усиления напряжения на низких частотах осуществляется изменением емкостей конденсаторов С2 и С4, а во всей полосе пропускания - изменением глубины отрицательной обратной связи, регулировкой сопротивления R1 и емкостью C2.

═ ═ ═ ═ Допустимое значение статического потенциала 200 В.



Литература

Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник /И. В. Новачек, В. М. Петухов, И. П. Блудов, А. В. Юровский. - Москва: КУБК-а, 1995г. - 384с.:ил.

Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. - М.:КУБК-а, 1996г. - 640с.:ил.

Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник /А .Л. Булычев, В. И. Галкин, В. А. Прохоренко. - 2-е издание, переработанное и дополненное - Минск: Беларусь, 1993г. - 382с.







Ваш комментарий к статье
Параметры интегральной микросхемы К174УН8 :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>