Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Содержание ChipNews

2003: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10
2002: 
1, 5, 6, 7, 8, 9
2001: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10
2000: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10
1999: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

С. Леонов, Т. Гладких

Применение и использование метода K-значного дифференциального исчисления при проектировании вычислительных устройств

    Использование современных технологий требует применения новых методов и средств проектирования, позволяющих повысить качество выполняемых разработок. Качественно новое решение в этом плане может дать K-значное дифференциальное исчисление.

    Говоря об анализе работоспособности современных БИС, желательно иметь возможность выполнения взаимосвязанных процессов моделирования, топологического проектирования и уч╦та помех. Подобная методика используется в разработанной авторами системе моделирования на основе K-значного дифференциального исчисления. Схема, отображающая последовательность проектирования устройства в данной системе, приведена на рис. 1. Она состоит из совокупности взаимосвязанных блоков, каждый из которых выполняет конкретную задачу проектирования.

Схема последовательности проектирования устройства в системе моделирования на основе К-значного дифференциальногоисчисления

Рис. 1. Схема последовательности проектирования устройства в системе моделирования на основе К-значного дифференциальногоисчисления

    При использовании метода K-значного дифференциального исчисления для математического моделирования вычислительных устройств сигналы кодируются в K-значном алфавите {0,1,...,K√1}. При этом минимальное значение сигнала кодируется нул╦м, а максимальное ≈ (K√1). На этом множестве вводятся бинарные операции сложения, вычитания, умножения и деления. В отличие от методов многозначного моделирования, в предлагаемом методе для получения значений сигналов используются не сами многозначные функции, а их производные. Это позволяет значительно сократить время моделирования, поскольку вычисления выполняются только для процессов переключения сигналов. K-значные производные, используемые в данном методе, делятся на три вида:

    Первая формула позволяет вычислять значение K-значной производной по известному значению функции в текущий ti и последующий ti + Dt моменты времени, вторая ≈ в текущий и предыдущий. Иногда удобно использование третьей формулы. Выбор метода дифференцирования определяется, прежде всего, исходными данными.

    Сеанс проектирования является сквозным и взаимосвязанным, что предполагает обоюдное влияние моделирования и расч╦та параметров электромагнитной совместимости. При этом для расч╦та помех используются K-значные дифференциальные уравнения напряжений и токов:

    где UK ≈ K-значное напряжение помехи, наводимой перепадами напряжения в m-ом пассивном проводнике; UK и IK ≈ величины K-значных напряжения и тока при перепаде в n-ом активном проводнике, соответственно; tK = tK(tr) ≈ постоянная времени переходного процесса; p и q ≈ числа пассивных и активных проводников, взаимосвязь которых учитывается; j ≈ количество участков m-го пассивного проводника, являющегося при╦мником наводок; С ≈ суммарная ╦мкость выхода логического элемента в активной линии; Rrnout ≈ выходное сопротивление логического элемента в активной линии; Cij и Mij ≈ соответственно ╦мкость взаимной связи и взаимоиндукция отдельных участков проводников, влияние которых анализируется.

    Вс╦ это может быть проиллюстрировано на примере моделирования простого устройства в разработанной системе. Изображение схемы этого устройства и временные диаграммы его моделирования приведены на рис. 2. На вход этого устройства поступают сигналы, принимающие значения только ⌠0■ и ⌠K√1■. Однако при этом их форма на выходе элементов уже существенно меняется. Это вызвано тем, что внутренние характеристики элементов позволяют преобразовать мгновенный перепад (⌠0■ ⌠1■ и ⌠1■ ⌠0■) в ступенчатую функцию, соответствующую переходному процессу переключения сигналов. Если же входной сигнал имеет более сложную форму, то элемент отрабатывается в соответствии с законом его функционирования. Обратите внимание, что на выделенном участке временной диаграммы иллюстрируется отработка сбоя в работе устройства, именуемого ⌠гонкой■. Несогласование процессов переключения сигналов In1_1 и In1_2 (⌠1■ ⌠0■ и ⌠0■ ⌠1■, соответственно) привело к появлению короткого положительного всплеска по выходу элемента AND (Out1_1), который в свою очередь был отработан элементами OR и NOT.

Схема простого устройства в разработанной системе и временные диаграммы его моделирования Схема простого устройства в разработанной системе и временные диаграммы его моделирования

Рис. 2. Схема простого устройства в разработанной системе и временные диаграммы его моделирования

    Однако при этом нельзя не учитывать параметры электромагнитной совместимости устройства, поскольку при исследовании его поведения в динамике, их влияние может оказаться существенным. Этапы топологического проектирования (компоновка √ размещение √ трассировка) отражены на рис. 3. Как видно из рисунка, достаточно существенное влияние друг на друга могут оказать только два входных проводника In1_1 и In1_2 и гораздо менее ощутимое ≈ проводники In1_2 и In1_3. Помехи, наводимые оставшимися проводниками, будут настолько малы, что их влияние можно не учитывать.

Этапы топологического проектирования устройства Этапы топологического проектирования устройства

Рис. 3. Этапы топологического проектирования устройства

    Временные диаграммы работы проектируемого устройства (рис. 2) с уч╦том влияния помех, представленных в K-значной форме, приведены на рис. 4. Здесь показано влияние фронтов переключения сигналов в активном проводнике на соответствующий пассивный проводник. При этом перепад напряжения из ⌠1■ в ⌠0■ на активном проводнике In1_1 наводит в пассивном проводнике In1_2 помеху положительной полярности (выделенный участок 1). Это сопровождается появлением всплеска напряжения, накладываемого на нулевой уровень логического сигнала. Перепад напряжения на этом же активном проводнике из ⌠0■ в ⌠1■ приводит к возникновению отрицательной помехи, которая, в свою очередь, приводит к ⌠провалу■ уровня логической ⌠единицы■ на соответствующем пассивном проводнике (выделенный участок 2). Аналогичные сбойные ситуации возникают и при исследовании других контрольных точек устройства. Такое искажение формы входных сигналов отрабатывается последующими элементами проектируемого устройства, что может привести к их ложному срабатыванию.

Временные диаграммы работы проектируемого устройства (рис. 2) с учетом влияния помех, представленных в К-значной форме

Рис. 4. Временные диаграммы работы проектируемого устройства (рис. 2) с учетом влияния помех, представленных в К-значной форме

    Описываемая методика позволяет выполнять анализ целостности сигналов при выполнении комплексного проектирования БИС. При этом, в зависимости от требуемой точности, а также временных и аппаратурных затрат, имеется возможность выполнять анализ на основе булевого моделирования при уменьшении значности входного алфавита K до значения, равного двум. Возможно также значительное улучшение точности моделирования за сч╦т увеличения K для исследования быстрого изменения сигналов в БИС, которое в пределе может перейти к моделированию, близкому к аналоговому. Эти преимущества в представленной системе сочетаются с удобными средствами представления устройств в графическом виде и широкими возможностями редактирования исходного варианта устройства для выбора наиболее оптимальной конфигурации проектируемых БИС вычислительной системы.

E-mail: sul@rambler.ru

 







Ваш комментарий к статье
Применение и использование метода K-значного дифференциального исчисления при проектировании вычислительных устройств :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>