Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Журнал Компел

2010: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9
2009: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
13, 14, 15, 16
2008: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
13, 14, 15, 16
2007: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20
2005: 
1, 2, 3

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Журнал "Новости Электроники", номер 7, 2007 год.

G5 HVIC новое поколение высоковольтных силовых управляющих ИС

Евгений Звонарев
Пятое поколение высоковольтных микросхем HVIC (High-Voltage Integrated Circuit) компании International Rectifier для управления транзисторами и мостами имеет ряд дополнительных функциональных возможностей, более высокую степень интеграции, более низкую стоимость. Данная статья поможет разработчику в выборе наиболее подходящей микросхемы для управления мощным силовым каскадом с напряжением питания до 600 или 1200 В.

 

 

 

Драйверы MOSFET- и IGBT-транзисторов предназначены для управления мощными полупроводниковыми приборами в выходных каскадах преобразователей электрической энергии. Используются в качестве промежуточного звена между управляющей схемой (контроллером или цифровым сигнальным процессором) и мощными исполнительными элементами, коммутирующими нагрузку. Драйверы - это основная группа высоковольтных ИС International Rectifier. К ней также можно отнести контроллеры электронных балластов.

Этапы развития энергетической (силовой) электроники определяются достижениями в технологиях силовых ключей и схем управления. Динамические и статические параметры силовых приборов постоянно улучшаются, но мощными ключами нужно еще и эффективно управлять. Для сбалансированного взаимодействия между управляющей схемой и выходными каскадами и предназначены новые мощные драйверы MOSFET- и IGBT-транзисторов фирмы International Rectifier. Драйверы IR имеют высокие выходные токи (до ±4 А), малые длительности фронта, спада, задержки и другие интересные отличительные особенности. Выпускаемые International Rectifier управляющие микросхемы предназначены для работы в любых конфигурациях силовых каскадов в диапазоне мощности до 3-5 кВт.

Упрощенная структура силового каскада с высоковольтной управляющей микросхемой показана на рисунке 1.

Упрощенная структура полумостового силового каскада с высоковольтным драйвером (HVIC)

Рис. 1. Упрощенная структура полумостового силового каскада с высоковольтным драйвером (HVIC)

Высоковольтный драйвер MOSFET/IGBT должен удовлетворять следующим требованиям:

Производство микросхем управления HVIC вобрало в себя все достижения высоковольтных технологий, но их развитие происходит все более быстрыми темпами, появляются дополнительные функциональные возможности, возрастает степень интеграции при уменьшении площади кристалла и стоимости. Воплощением всех этих достижений стали высоковольтные силовые микросхемы управления 5-го поколения G5 HVIC. На рисунке 2 проиллюстрирован переход от старых серий высоковольтных управляющих микросхем к новому поколению G5 HVIC. Микросхемы предыдущих поколений со временем будут сняты с производства, цена старых драйверов в переходный период будет расти. Из нижних графиков рисунка 2 видно, что со временем отношение функциональность/стоимость будет увеличиваться. Это объясняется дальнейшим снижением цен при улучшении параметров с добавлением дополнительных функций при повышении степени интеграции ИС.

Развитие HVIC (высоковольтных ИС) International Rectifier

Рис. 2. Развитие HVIC (высоковольтных ИС) International Rectifier

Драйверы нового поколения G5 HVIC условно можно разделить на две категории, показанные на рисунке 3:

Две категории новых высоковольтных драйверов G5 HVIC

Рис. 3. Две категории новых высоковольтных драйверов G5 HVIC

Обновленные версии драйверов новых поколений полностью совместимы по выводам, имеют более жесткие допуски по многим параметрам, благодаря чему расширяется выбор внешних дискретных компонентов и упрощается расчет схемы, дополнительно повышается надежность всей схемы. Во многих случаях новые ИС уже содержат встроенный бутстрепный диод (bootstrap diode), благодаря чему отпадает необходимость в относительно громоздком по сравнению с самой микросхемой драйвера внешнем бутстрепном диоде. Высокая плотность структуры при уменьшенном кристалле, совместимость с логикой 3,3 В, раздельные выводы для сигнальной и силовой «земли», фиксируемое и программируемое время паузы (deadtime) при переключении транзисторов полумостовых и мостовых схем, блокировка по низкому напряжению питания облегчают разработчику проектирование высоконадежных силовых устройств.

Основные параметры новых драйверов и микросхем предыдущих поколений сведены в таблицу 1. Обозначения микросхем новых серий отличаются добавленной буквой «S», похожей на цифру «5» (5-е поколение G5). Наименования некоторых новых микросхем оканчиваются на букву «D», что означает наличие встроенного бутстрепного диода. Некоторые новые драйверы G5 не имеют аналогов в предыдущих поколениях микросхем.

Таблица 1. Замены для высоковольтных микросхем предыдущего поколения из новых серий G5 HVIC

G5 HVIC Наименование предыдущего поколения Корпус (а) Комментарии
Драйверы нижнего и верхнего ключей (High/Low Driver)
IRS2001 - SOIC/DIP UVLO VCC
IRS2011 IR2011 SOIC/DIP Выходной ток ±1 А; UVLO VCC и VBS
IRS2101 IR2101 SOIC/DIP
UVLO VCC
IRS2106 IR2106 SOIC/DIP
UVLO VCC и VBS
IRS21064 IR21064 SOIC/DIP UVLO VCC и VBS
IRS2110 IR2110 SOIC/DIP Выходной ток ±2,5 А; UVLO VCC и VBS, входная логика для режима shutdown
IRS2112 IR2112 SOIC/DIP Выходной ток 290/600 мА; UVLO VCC и VBS, входная логика для режима shutdown
IRS2113 IR2113 SOIC/DIP Выходной ток ±2,5 А; UVLO VCC и VBS, входная логика для режима shutdown
IRS2181 IR2181 SOIC/DIP Выходной ток 1,9/2,3 А; UVLO VCC и VBS
IRS2184 IR21814 SOIC/DIP Выходной ток 1,9/2,3 А; UVLO VCC и VBS
IRS2186 IR2186 SOIC/DIP Выходной ток ±4 А; UVLO VCC и VBS
IRS21664 IR21864 SOIC/DIP Выходной ток ±4 А; UVLO VCC и VBS
IRS2301 IR2301 SOIC UVLO VCC и VBS
Драйверы полумоста (Half-Bridge Driver)
IRS2003 - SOIC/DIP UVLO VCC
IRS2004 - SOIC/DIP UVLO VCC и VBS, входная логика для режима shutdown
IRS20124 - SOIC Выходной ток 1/1,2 А, программируемое время deadtime, UVLO и VBS
IRS20955 - SOIC/DIP Выходной ток 1/1,2 А, программируемое время deadtime, UVLO и VBS
IRS2103 IR2103 SOIC/DIP UVLO VCC
IRS2104 IR2104 SOIC/DIP UVLO VCC, входная логика для режима shutdown
IRS2108 IR2108 SOIC/DIP UVLO VCC и VBS
IRS21084 IR21084 SOIC/DIP Программируемое врямя deadtime, UVLO и VBS
IRS2109 IR2109 SOIC/DIP Входная логика для режима shutdown, UVLO VCC и VBS
IRS21091 IR21091 SOIC/DIP Входная логика для режима shutdown, UVLO VCC и VBS
IRS21094 IR21094 SOIC/DIP UVLO VCC, входная логика для режима shutdown, программируемое время deadtime
IRS2111 IR2111 SOIC/DIP UVLO VCC и VBS
IRS2153D IR2153 SOIC/DIP Встроенные бутстрепные диоды, 50% рабочий цикл, deadtime = 1,1 мкс
IRS21531D IR21531 SOIC/DIP Встроенные бутстрепные диоды, 50% рабочий цикл, deadtime = 0,6 мкс
IRS2166D IR2166 SOIC/DIP Встроенные бутстрепные диоды, программируемое время deadtime, ККМ + схема электронного балласта
IRS2168D IR2167 SOIC/DIP Встроенные бутстрепные диоды, программируемое время deadtime, ККМ + схема электронного балласта
IRS2183 IR2183 SOIC/DIP Выходной ток 1,9/2,3 А; UVLO VCC и VBS
IRS21384 IR21834 SOIC/DIP Выходной ток 1,9/2,3 А; UVLO VCC и VBS, программируемое время deadtime
IRS2184 IR2184 SOIC/DIP Выходной ток 1,9/2,3 А; UVLO VCC и VBS, входная логика для режима shutdown
IRS21844 IR21844 SOIC/DIP Выходной ток 1,9/2,3 А; UVLO VCC и VBS, программируемое время deadtime, входная логика для shutdown
IRS2302 IR2302 DIP Входная логика для режима shutdown, UVLO VCC и VBS
IRS2304 IR2304 SOIC/DIP UVLO VCC и VBS
IRS2308 IR2308 SOIC/DIP UVLO VCC и VBS
IRS2540 - SOIC/DIP Автоматический перезапуск, deadtime = 140 нс
IRS2541 - SOIC/DIP Автоматический перезапуск, deadtime = 140 нс
Драйверы одноканальные (Single Channel Driver)
IRS2117 IR2117 SOIC/DIP Выходной сигнал синфазен с входным
IRS2118 IR2118 SOIC/DIP Выходной сигнал в противофазе с входным
IRS2127 IR2127 SOIC/DIP Наличие входа для подключения датчика тока, входной и выходной сигнал синфазны
IRS2128 IR2128 SOIC/DIP Наличие входа для подключения датчика тока, входной и выходной сигнал в противофазе
IRS21851 - SOIC Выходной ток ±4 А
Драйверы нижнего ключа (Low Side Driver)
IRS4426 IR4426 SOIC/DIP Выходной ток 2,3/3,3 А
IRS4427 IR4427 SOIC/DIP Выходной ток 2,3/3,3 А
IRS4428 IR4428 SOIC/DIP Выходной ток 2,3/3,3 А
Мостовой драйвер (Full-Bridge Driver)
IRS2453D - SOIC/DIP Встроенные бутстрепные диоды, выходной ток 180/260 мА, микромощная схема запуска

БУТСТРЕПНАЯ СХЕМА УПРАВЛЕНИЯ

Часто из-за слишком большого входного напряжения для транзисторов верхнего плеча применяется относительно простая и недорогая бутстрепная схема управления (схема с «плавающим» источником питания). В такой схеме длительность управляющего импульса ограничена величиной бутстрепной емкости. Кроме того, необходимо обеспечить условия для его постоянного заряда с помощью высоковольтного быстродействующего каскада сдвига уровня. International Rectifier применяет свою запатентованную схему каскада сдвига уровня на высоковольтных транзисторах MOSFET. Каскад сдвига уровня передает логический сигнал схеме управления транзисторам верхнего плеча. International Rectifier выпускает драйверы, рассчитанные на перепад напряжения до 600 В (серия IR21xx и новая серия IRS21xx) и до 1200 В (серия IR22xx и новая серия IRS22xx). Каскад сдвига уровня содержит генератор, формирующий короткие импульсы, совпадающие с фронтами входного логического сигнала, дискриминатор импульсов и RS-триггер (защелку) для формирования сигнала управления выходным транзистором верхнего плеча. Такое построение схемы управления позволяет резко снизить ток потребления верхнего каскада драйвера. Принцип работы бутстрепной схемы управления для полумостового каскада проиллюстрирован на рисунке 4. Красным цветом выделены основные компоненты, активные в рассматриваемый момент работы схемы.

Принцип работы бутстрепной схемы для полумостового каскада

Рис. 4. Принцип работы бутстрепной схемы для полумостового каскада

Кроме формирования тока затвора MOSFET и IGBT драйверы International Rectifier имеют ряд очень важных дополнительных функций:

Поиск на сайте IR (www.irf.com) функционально близких замен из нового поколения G5 для драйверов предыдущих поколений.

Инженеры International Rectifier составили большое количество таблиц для сравнения параметров новых драйверов G5 с высоковольтными микросхемами предыдущих поколений. Например, при поиске сравнительной таблицы для драйверов IR2110 в формате PDF необходимо на сайте IR в окне поиска набрать «PDF G5HVIC IR2110» и отметить "Site Search" (поиск по всему сайту). Необходимо обратить внимание на то, что G5HVIC необходимо набирать слитно. (см. рис. 5). 

Первое окно для поиска параметров новых функционально близких драйверов G5

Рис. 5. Первое окно для поиска параметров новых функционально близких драйверов G5

Поиск по сайту производится средствами известного поискового механизма Google (см. рис. 6 со ссылками на результаты поиска).

Найденные ссылки с результатами поиска сравнительной таблицы параметров новых драйверов G5 и ИС предыдущих поколений

Рис. 6. Найденные ссылки с результатами поиска сравнительной таблицы параметров новых драйверов G5 и ИС предыдущих поколений

Найденный PDF файл содержит несколько страниц. Страница со сравнительной таблицей, фрагмент которой показан на рисунке 7, находится в конце файла. Автор умышленно не стал переводить названия параметров, чтобы не вводить читателя в заблуждение. С другой стороны, есть полная уверенность, что в данном конкретном случае это и не требуется. Аналогичным способом поиска читатель может найти сравнительные таблицы для других драйверов ранних поколений, приведенных в таблице 1.

Найденная сравнительная таблица с параметрами для IR2110 и функционально близких к ним новых драйверов поколения G5

Рис. 7. Найденная сравнительная таблица с параметрами для IR2110 и функционально близких к ним новых драйверов поколения G5

НОВЫЕ G5 ДРАЙВЕРЫ

Необходимо обратить внимание на новые драйверы International Rectifier поколения G5:

Вернуться к содержанию номера







Ваш комментарий к статье
Журнал "Новости Электроники", номер 7, 2007 год. :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>