Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Журнал Компел

2010: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9
2009: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
13, 14, 15, 16
2008: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
13, 14, 15, 16
2007: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20
2005: 
1, 2, 3

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Журнал "Новости Электроники", номер 16, 2008 год.

Новые RF-транзисторы NXP

Виктор Захаренко (НИИ средств автоматизации, г. Минск)
В 2008 году компания NXP Semiconductors выпустила ряд новых мощных RF-транзисторов, созданных по LDMOS-технологии шестого поколения. Еще несколько новых образцов этой продукции, предназначенной для радиовещания, проводной и беспроводной связи, систем широкополосного доступа и микроволновых систем, увидят свет в ближайшее время.

Компания NXP Semiconductors - ключевой поставщик RF-компонентов в течении последних двадцати пяти лет. За последние четыре года по объему поставок на рынке LDMOS-компонентов компания занимает второе место, уступая по этому показателю лишь Freescale Semiconductor. Позиции компании по объему рыночной доли для отдельных приложений:

Новая линейка транзисторов также предназначена для указанных приложений.

В области производства транзисторов для радиопередачи, радио- и телевещания компания NXP (бывшая Philips Semiconductors) имеет богатую историю и превосходную репутацию. Новые изделия (серии BLF87x - для UHF-диапазона и серии BLF57x - для VXF-диапазона) подтверждают авторитет компании в этой области. Их целевое применение - не только в области радиопередачи и радиовещания, но и в промышленной, научной и медицинской областях. Характеристики транзисторов приведены в таблице 1.

Таблица 1. Характеристики транзисторов

Наимено-
вание
Диапазон
частот,
МГц
Напря-
жение питания, В
Выходная
мощность,
Вт
Коэффициент
усиления, дБ/МГц
КПД, % IMD3, dBc Класс
BLF878 470...860 40 300 при PEP1),
75 при AVG2)
20/860 451), 322) -351), -322) AB
BLF871 470...860 40 100 при PEP1),
24 при AVG2)
19,5/860 471), 302) -311), -322) AB
BLF574 0...500 50 400 при CW3) 26/225 70 - AB
BLF573 0...500 50 300 при CW3) 26/225 70 - AB
BLF571 0...500 50 20 при CW3) 28/225 68 - AB
Параметры в таблице приведены для тестовых сигналов:
1) - двухтоновый сигнал;
2)
- OFDM;
3)
- однотоновый сигнал.

 

Транзисторы BLF574 и BLF878 имеют сдвоенное (push-pull) исполнение.

Большая выходная мощность, высокие КПД и усиление, низкое тепловое сопротивление транзисторов позволяют реализовать усилительные устройства большой мощности с относительно низкими искажениями и небольшими размерами. Это подтверждают предлагаемые потребителям демонстрационные платы усилителей, информацию по которым можно найти на сайте компании http://www.nxp.com. Демонстрационный усилитель на транзисторе BLF578 (рис. 1) достигает выходной мощности 600 Вт в рабочей полосе частот 88...108 МГц. Коэффициент усиления - 27,5 дБ, КПД - 73%. Размер - 508х1016 мм.

 

 Демонстрационный усилитель на транзисторе BLF578

 

Рис. 1. Демонстрационный усилитель на транзисторе BLF578

Усилитель спроектирован для работы в классе B и имеет энергетические показатели (выходная мощность и КПД) выше, чем приведенные в таблице 1 для транзистора BLF578. При работе в нормальном температурном режиме (температуре радиатора охлаждения не более 40°С) надежность устройства остается очень высокой. Показатель TTF (Time to Failure - время, в течение которого происходит отказ 0,1% устройств) составляет 50 лет. Усилитель доступен для тиражирования. Вместе с демонстрационной платой NXP может предоставить в составе документации gerber-файлы для PCB-проектирования.

BLF578 по КПД на 10-15% превосходит своих предшественников - LDMOS-транзистор второго поколения BLF369 и широко применявшиеся в телевизионных усилителях VDMOS-транзисторы BLF248 и BLF278. Невозможно недооценивать важность КПД для усилителя - это параметр, непосредственно влияющий на основные эксплуатационные характеристики усилителя: потребляемую мощность, габариты и вес системы охлаждения и усилителя в целом, температурный режим, надежность.

BLF878 - это первый в мире 300-ватный UHF-транзистор, разработанный по 40-вольтовой LDMOS технологии шестого поколения.

От сегодняшних передатчиков цифрового телевидения (DVB-T, DVB-H) требуется большая мощность в широкой полосе частот. Транзистор BLF878 позволяет это сделать с максимальным КПД, достигающим 55% в режиме CW и 32% в режиме OFDM. На транзисторах BLF871 и BLF878 реализуется усилитель стандарта DVB-T (рис. 2) с выходной мощностью 500 Вт в режиме OFDM.

 

UHF-усилитель на 500 Вт стандарта DVB-T

 

Рис. 2. UHF-усилитель на 500 Вт стандарта DVB-T

Для радиовещательных применений в ближайших планах NXP - выпуск транзисторов BLF888 и BLF578. BLF888 - это 50-вольтовый LDMOS-транзистор UHF-диапазона с еще более высокой мощностью, чем у BLF878. В режиме OFDM выходная мощность планируемого к выпуску транзистора BLF888 должна составить 110 Вт (против 75 Вт у BLF878); КПД - не менее 30%; коэффициент усиления - не менее 20 дБ; CCDF 0,01% > 8 дБ; IMD - не более минус 30 dBc. BLF578 - транзистор VHF-диапазона с выходной мощностью 600 Вт в режиме CW и 1 кВт в импульсном режиме.

Операторы сотовой связи и изготовители базовых станций постоянно стараются достичь большей эффективности системы связи - по количеству соединений, которые могут быть обработаны, и по потребляемой мощности для поддержания этих соединений. В этом стремлении усилитель играет ключевую роль. Во первых, это та часть базовой станции, которая потребляет основную часть мощности; во вторых - линейность усилителя определяет какое количество запросов может быть надежно обработано, не создавая существенных помех на соседних каналах используемой полосы частот.

Сегодняшний путь к улучшению характеристик усилителя - с одной стороны, улучшение характеристик транзисторов, а с другой - применение передовых схемотехнических решений.

NXP производит транзисторы для усилителей базовых станций, работающих в различных диапазонах частот. Параметры транзисторов 6-го LDMOS-поколения диапазонов 1, 2, 2,2 ГГц приведены в таблице 2.

Таблица 2. Параметры транзисторов LDMOS 6-го поколения
Наименование Рабочий режим Напряжение питания, В Выходная
мощность, Вт
Коэффициент усиления, дБ КПД, % ACLR, dBc
Диапазон частот 800...1000 МГц
BLF6G10S-45 2C-WCDMA 28 1 23 8 -48,5
BLF6G10-45 2C-WCDMA 28 1 22,5 7,8 -49
BLF6G10LS-135R 2C-WCDMA 28 26,5 20,2 27 -40
BLF6G10LS-160 2C-WCDMA 28 32 22 26 -42
BLF6G10LS-200 2C-WCDMA 28 40 20 27 -41
BLF6G10LS-200R 2C-WCDMA 28 40 20 27 -40
Диапазон частот 1800...2000 МГц
BLF6G20S-45 2C-WCDMA 28 2,5 19,5 14 -49
BLF6G20-45 2C-WCDMA 28 2,5 19,2 14 -50
BLF6G20-75 GSM/EDGE 28 29,5 19 37,5 -
BLF6G20LS-75 GSM/EDGE 28 29,5 19 37,5 -
BLF6G20-110 2C-WCDMA 28 25 19 31 -40
BLF6G20LS-110 2C-WCDMA 28 25 19 31 -40
BLF6G20LS-140 2C-WCDMA 28 35,5 16,5 30 -40
BLF6G20LS-180 IS95 27 35,5 16,5 27 -36
BLF6G20-180PN 2C-WCDMA 32 50 18 27,5 -35
Диапазон частот 2000...2200 МГц
BLM6G22-30(G) 2C-WCDMA 28 2 29,5 8,5 -51
BLF6G22S-45 2C-WCDMA 28 2,5 18,5 13 -49
BLF6G22-45 2C-WCDMA 28 2,5 18,5 13 -49
BLF6G22-75 2C-WCDMA 28 17 18 28 -43
BLF6G22LS-75 2C-WCDMA 28 17 18 28 -43
BLF6G22LS-100 2C-WCDMA 28 25 18 32 -40
BLF6G22LS-130 2C-WCDMA 28 30 17 28,5 -40
BLF6G22LS-180 IS95 27 40 16 27 -
BLF6G22-180PN 2C-WCDMA 32 50 17,5 27,5 -35

О линейности транзисторов можно судить по коэффициенту утечки мощности по соседнему каналу ALCR (Adjacent Channel Leakade power Ratio). Для мощных транзисторов ALCR не хуже минус 35 dBc (тестовый сигнал 3GPP; модель 1; 64DPCH; PAR=7,5 дБ при CCDF 0,01%; разнос 5 МГц).

На диаграмме (рис. 3) показана эволюция технологии, схемотехнических решений и повышение эффективности усилителей.

 

Эволюция технических характеристик усилителей

 

Рис. 3. Эволюция технических характеристик усилителей 

Усилители с опережающей коррекцией (Feedforward) и цифровым предыскажением (Digital Predistortion) в классе АВ уступают место усилителям с цифровым предыскажением со схемой Doherty. Дальнейшее повышение эффективности связывается с технологией на нитриде галлия на быстрых электронах (GaN-pHEMT) и схемотехникой SMPA (Switching-Mode Power Amplifier).

NXP предлагает готовые технические решения усилителей по схеме Doherty. На рисунке 4 представлены схемы и фотографии демонстрационных плат симметричного и несимметричного усилителя Doherty для диапазона 2,00...2,20 ГГц.

 

Демонстрационные платы симметричного и несимметричного усилителя Doherty
 

 

Рис. 4. Демонстрационные платы симметричного и несимметричного усилителя Doherty

Симметричный усилитель выполнен на двух транзисторах BLC6G22-130, а несимметричный - на транзисторах BLC6G22-100 и BLC6G22-180P. Усилители имеют выходную пиковую мощность - 55 дБм (симметричный) и 56 дБм (несимметричный); КПД - 35% (симметричный) и 42% (несимметричный).

В таблице 3 приведены характеристики транзисторов, предлагаемых NXP для усилителей в WiMAX. Для WiMAX NXP также может предложить демонстрационные платы усилителей.

Основные новинки, представленные NXP для микроволновых приложений на основе 50-вольтовой LDMOS технологии, это:

Для S-диапазона (2,70...3,50 ГГц) по 32-вольтовой LDMOS-технологии производятся:

Ответственный за направление в КОМПЭЛе - Валерий Куликов

Получение технической информации, заказ образцов, поставка -
e-mail: standart.vesti@compel.ru  

Вернуться к содержанию номера







Ваш комментарий к статье
Журнал "Новости Электроники", номер 16, 2008 год. :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>