Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Журнал Компел

2010: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9
2009: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
13, 14, 15, 16
2008: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
13, 14, 15, 16
2007: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20
2005: 
1, 2, 3

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Журнал "Новости Электроники", номер 12, 2008 год.

Наследие IR: мощные МОП-транзисторы HEXFET

Константин Староверов
В статье приводится обзор производственной линии мощных МОП-транзисторов HEXFET, приобретенной Vishay у International Rectifier, а также даются общие рекомендации по выбору и возможным применениям различных групп транзисторов.

 

Оценивая масштабы использования МОП-технологий в современной электронной технике, сейчас трудно представить, сколь драматична была история их становления, ведь даже через 30 лет после выхода в конце 1920-х годов первых теоретических работ физика Джулиуса Лилинфельда полевой транзистор можно было наблюдать только как лабораторный курьез. Именно так, в порядке лабораторного курьеза, появился первый МОП-транзистор с металлическим затвором исследователя из Bell Labs доктора Джона Аталла. Однако если на разработку практически пригодных маломощных МОП-транзисторов понадобится лишь несколько лет, то до появления первых мощных МОП-транзисторов пройдет еще 16 лет. Первые в мире мощные МОП-транзисторы, выполненные по технологии MOSPOWER®, представила компания Siliconix в 1976 году, а чуть позже, в 1979 году, компания International Rectifier предложила альтернативную МОП-структуру для построения мощных транзисторов, которая получила название HEXFET®. Так случилось, что именно эти две легендарные компании предопределили развитие мощных МОП-транзисторов в последующие десятилетия и именно они сейчас тесно связаны с другой не менее известной компанией Vishay. В 2005 году было завершено полное присоединение Siliconix к Vishay, начатое еще в 1998 году, а в 2007 году Vishay приобрела производственную линию силовых полупроводников International Rectifier, в которую вошли и популярные HEXFET-транзисторы. МОП-транзисторы Vishay из производственной линии IR представлены на рисунке 1.

 

Корпуса МОП-транзисторов Vishay из производственной линии International Rectifier

 

Рис. 1. Корпуса МОП-транзисторов Vishay из производственной линии International Rectifier

Структура HEXFET подразумевает организацию в одном кристалле тысяч параллельно-включенных МОП-транзисторных ячеек, образующих шестиугольник. Такое решение позволило существенно снизить сопротивление открытого канала RDS(on) и сделало возможным коммутацию больших токов. С точки зрения классификации полевых транзисторов HEXFET относятся к полевым транзисторам с индуцированным каналом, т.е. работают в режиме обогащения канала неосновными носителями, что приводит к инверсии его проводимости. Такие транзисторы открываются только при подаче определенного напряжения между затвором и истоком. Полярность этого напряжения зависит от типа проводимости канала в открытом состоянии. У n-канальных транзисторов это напряжение положительное, а у p-канальных - отрицательное. Напряжение между затвором и истоком, способное вызвать протекание тока между стоком и истоком называется пороговым (VGS(TH)).

Обычно при использовании в качестве коммутаторов, p-канальные транзисторы включаются в разрыв положительной линии питания, при этом ток через них вытекает в нагрузку, а n-канальные - в разрыв отрицательной (или общей) линии питания и ток в них втекает из нагрузки. Однако, ввиду того, что p-канальные транзисторы сопоставимого класса с n-канальными обычно более дорогостоящие и ассортимент их гораздо хуже, в ряде применений общепринято использовать n-канальные и для коммутации в положительной линии питания. Для этого необходимо сток транзистора соединить с положительным питанием, исток - с нагрузкой и, самое сложное, создавать положительное отпирающее напряжение между затвором и «плавающим» при коммутации истоком. Для решения последней задачи выпускаются специальные «high-side» драйверные каскады. Описанный вариант использования n-канальных транзисторов широко используется в полумостовых и полномостовых силовых каскадах регулируемых электроприводов и импульсных преобразователей напряжения.

В приобретенный Vishay ассортимент HEXFET-транзисторов вошли дискретные транзисторы n- и p-типа в различных корпусах, в т.ч. изолированных и для поверхностного монтажа (SMT). Транзисторы охватывают широкий диапазон напряжений (до 1000 В) и тока (до 70 А), и могут использоваться во всех типичных для мощных МОП-транзисторов применениях. К ним относятся:

При выборе HEXFET-транзистора по напряжению и току важно понимать, что приводимые в справочных таблицах и документации максимальное рабочее напряжение (напряжение пробоя сток-исток V(BR)DSS)) и максимальный ток стока ID носят классификационный характер и не могут служит окончательным основанием для выбора транзистора. Значение V(BR)DSS) характеризует гарантированное напряжение, при котором не наступит электрического пробоя транзистора, а значение максимального тока ID показывает, до какой величины тока при заданных напряжении затвор-исток и температуре корпуса температура перехода кристалла будет находиться в допустимых границах. Эти данные можно использовать как ориентир, а окончательное решение о выборе транзистора необходимо принимать только руководствуясь графиками области безопасной работы (ОБР) транзистора для статического или импульсного режима работы, которые приводятся в документации. Например, транзистор IRFB11N50A классифицирован на максимальные напряжение 500 В и ток 11 А, но даже в импульсом режиме (длительность проводящего состояния 10 мс) при максимальном напряжении он способен надежно коммутировать гораздо меньший ток (менее 1 А). Величина тока стока также может быть ограничена максимальной температурой кристалла. Чтобы проверить, имеет ли место это ограничение, необходимо выполнить тепловой расчет.

TJ = TA + PDЧRqJA,

где TJ - температура перехода, TA - температура окружающей среды, PD - рассеиваемая транзистором мощность, RqJA - тепловое сопротивление «переход - окружающая среда».

Величина рассеиваемой мощности в статических и низкочастотных коммутаторах главным образом зависит от потерь проводимости в канале, т.е. PD = ID2ЧRDS(on)ЧD, где RDS(on) - сопротивление канала в открытом состоянии, а D - коэффициент заполнения импульсов (для статического коммутатора D = 1). В более высокочастотных применениях у рассеиваемой мощности также появляется динамическая составляющая, которая зависит от частоты коммутации и величины заряда затвора QG, от которого зависит, сколь долго будет происходить включение и отключение транзистора, и выходной емкости COSS. Более подробно методика расчета потерь мощности в МОП-транзисторах уже рассматривалась на страницах НЭ [1], поэтому, детали здесь опускаются. Если полученное значение TJ окажется выше предельно допустимого для выбранного транзистора значения или значения, оговоренного техническим заданием, то необходимо выполнить одно из следующих действий вплоть до соблюдения данного условия:

 

МОП-транзисторы в корпусах для поверхностного монтажа

МОП-транзисторы в SMT-корпусах являются идеальными кандидатами для использования в применениях, где теплорассеивающих свойств корпуса и печатной платы будет достаточно для соблюдения допустимого теплового режима транзистора. В приобретенном Vishay ассортименте транзисторов имеются приборы в SMT корпусах трех типов: D-PAK, D2-PAK и SOT-223. Сориентироваться в выборе транзисторов поможет таблица 1.

Таблица 1. Мощные МОП-транзисторы Vishay из производственной линии International Rectifier в SMT-корпусах
ID** (TC = 25°C), А <1 1...5 5,1...10 10,1...15 15,1...20 28...41 50...57
VBRDSS, В £60 D2-PAK - - IRLZ14S*
IRFZ14S
- IRLZ24S*
IRFZ24S
IRLZ34S*
IRFZ34S
IRLZ44S* IRFZ48S
D-PAK - - IRLR014*
IRFR014
IRFR9020
IRFR9014
IRFR9024  
IRFR020
 IRLR024*
 IRFR024  
- - -
SOT-223 - IRFL014
IRFL9014
- - - - -
100 D2-PAK - IRF9510S IRL510S*
IRF510S
IRL520S*
IRF520S
IRF9520S
IRL530S*
IRF530S
IRF9530S
IRF9540S IRL540S*
IRF540S
-
D-PAK - IRLR110*
IRFR110
IRFR9110
IRLR120*
IRFR120
IRFR9120
- - - -
SOT-223 - IRLL110*
IRFL110
IRFL9110
- - - - -
200...250 D2-PAK - IRF610S
IRF614S
IRF624S
IRF9610S
IRF9620S
IRL620S*
IRF620S
IRL630S*
IRF630S
IRF634S
IRF9630S
IRF644S IRF9640S   IRL640S*   - -
D-PAK - IRFR210
IRFR220
IRFR214
IRFR224
IRFR9210
IRFR9220
IRFR9214  
- - - - -
SOT-223 IRFL210
IRFL214  
- - - - - -
400...450 D2-PAK   IRF710S
IRF720S
IRF730S
IRF740S
- - - -
D-PAK - IRFR310
IRFR320
IRFR9310
- - - - -
500...550 D2-PAK - IRF820S
IRF830S
IRF840S IRFS11N50A - - -
D-PAK - IRFR420
IRFR420А
IRFR430A
- - - - -
600...650 D2-PAK - - IRFBC40AS
IRFS9N60A
- - - -
D-PAK - IRFR1N60A
IRFRC20
- - - - -
800...1000 D2-PAK - - IRFBC40AS
IRFS9N60A
- - - -
D-PAK - IRFR1N60A
IRFRC20
- - - - -
* - указывает на транзисторы, рассчитанные на управление 5 В-ым логическим уровнем
** - для транзисторов в корпусе SOT-223 ток стока соответствует окружающей температуре 25°C,
а не температуре корпуса TC

В этой и последующих таблицах для облегчения поиска комплементарных пар используется цветовое разделение n- и p-канальных транзисторов. Например, запись IRFL014 указывает на n-канальный тип, а IRFL9014 - на p-канальный.

 

МОП-транзисторы в корпусах для монтажа в отверстие

К использованию транзисторов в корпусах для монтажа в отверстие прибегают в следующих случаях:

Наименования доступных транзисторов Vishay-IR в различных корпусах для монтажа в отверстие представлены в таблице 2, а внешний вид корпусов и их тепловые сопротивления - на рисунке 1.

Таблица 2а. Мощные МОП-транзисторы Vishay из производственной линии International Rectifier в корпусах для монтажа в отверстие
ID (TC = 25°C), А 1...5 5,1...10 10,1...15 15,1...27 28...41 46...57 70
VBRDSS, В £60 TO-220AB IRF9Z10 IRFZ10
IRLZ14*
IRFZ14
IRF9Z20
IRF9Z14
IRF9Z24 IRLZ24*
IRFZ48
IRF9Z34
IRLZ34*
IRFZ44
IRLZ44*
IRFZ46
IRFZ34
-
TO-220FP - IRLIZ14G* IRFIZ14G IRFI9Z14G RFI9Z24G IRLIZ24G*
IRFIZ24G
IRFI9Z34G
IRLIZ34G*
IRFIZ34G
IRLIZ44G*
IRFIZ44G
IRFIZ48G
- -
TO-247AC - - - -   IRFP044 IRFP048
IRFP054
IRFP064
100 TO-220AB IRF9510 IRL510*
IRF510
IRL520*
IRF520
IRF9520
IRL530*
IRF530
IRF9530
IRF9540 IRL540*
IRF540
- -
TO-220FP IRFI510G IRLI520G*
IRFI520G
IRFI530G
IRFI9520G
IRFI9530G
IRFI9540G IRLI540G* IRFI540G - - -
TO-247AC - - - IRFP9140 IRFP140 IRFP150 - -
200...250 TO-220AB IRF610
IRF614
IRF624
IRF9610
IRF9620
IRL620*
IRF620
IRL630*
IRF630
IRF634
IRF644
IRF9630
IRF9640 IRL640* IRF640 - - -
TO-220FP IRLI620G*
IRFI620G
IRLI630G*
IRFI614G
IRFI624G
IRFI9610G
IRFI9620G
IRFI9630G
IRFI9634G
IRFI630G
IRLI640G*
IRFI640G
IRFI634G
IRFI644G
IRFI9640G
- - - - -
TO-247AC - - IRFP244
IRFP9240
IRFP240
IRFP254
IRFP250
IRFP264
IRFP260  
400...450 TO-220AB IRF710
IRF720
IRF730
IRF734
IRF740
IRF744
- - - - -
TO-220FP IRFI720G
IRFI730G
IRFI734G
IRFI744G
IRFI740G - - - - -
TO-247AC - IRFP344 IRFP340 IRFP350 IRFP360 - - -
500...550 TO-220AB IRF820
IRF830
IRF840
IRFB11N50A
IRFB13N50A
IRFIB7N50A
IRFIB7N50L
IRFIB8N50K
IRFB16N50K IRFB17N50L
IRFB18N50K
IRFB20N50K
- - -
TO-220FP IRFI820G
IRFI830G
IRFI840G
IRFIB5N50L
- - - - - -
TO-247AC - IRFP440 IRFP448
IRFP450
IRFP17N50L
IRFP460
IRFP22N50A
IRFP23N50L
IRFP31N50L
IRFP32N50K
- -
VBRDSS, В 600...650 TO-220AB IRFBC20
IRFBC30
IRFB9N60A
IRFBC40
IRFB9N65A
- IRFB16N60L
IRFB17N60K
- - -
TO-220FP   IRFIB6N60A
IRFIB5N65A
- - - - -
TO-247AC - IRFPC40   IRFPC50
IRFP15N60L  
IRFPC60
IRFP21N60L
IRFP22N60K
IRFP26N60L
IRFP27N60K
- - -
800...1000 TO-220AB IRFBE20
IRFBE30
IRFBF20
IRFBF30
IRFBG20
IRFBG30
- - - - - -
TO-220FP IRFIBE20G
IRFIBE30G
IRFIBF20G
IRFIBF30G
- - - - - -
TO-247AC IRFPE30
IRFPF30
IRFPF40
IRFPG30
IRFPG40
IRFPE40
IRFPE50
IRFPF50
IRFPG50
- - - - -
* - указывает на транзисторы, рассчитанные на управление 5 В-ым логическим уровнем.

 

Таблица 2б. Мощные МОП-транзисторы Vishay из производственной линии International Rectifier в корпусах для монтажа в отверстие**
ID (TC=25°C), А <1 1...5 5,1...10 10,1...15 15,1...27 28...41 43...50
VBRDSS, В £60 TO-262 - - IRF9Z14L IRF9Z24L IRF9Z34L - IRFZ44L
HEXDIP - IRFD123
IRLD014*
IRFD014
IRLD024*
IRFD024
IRFD9020
IRFD9014
IRFD9024
- - - - -
100 SOT-227 (Iso) - - FB180SA10 - - - -
HEXDIP IRFD9110 IRLD110*
IRFD110
IRLD120*
IRFD120
IRFD9120
- - - - -
200...250 TO-262 - - - - IRF640L - -
HEXDIP IRFD210
IRFD220
IRFD214
IRFD224
IRFD9210
IRFD9220
- - - - - -
400...450 TO-262 - - IRF730AL
IRF740AL
- - - -
HEXDIP IRFD310
IRFD320
- - - - - -
500...550 Super 220/247 - - - - IRFBA22N50A IRFPS35N50L
IRFPS37N50A
IRFPS40N50L
IRFPS43N50K
TO-262 - IRF820AL
IRF830AL
IRF840AL
IRF840LCL
IRFSL11N50A - - -
SOT-227 (Iso) - - - - - FA38SA50LC
FC40SA50FK
FA57SA50LC
HEXDIP IRFD420 - - - - - -
600...650 Super 247 - - - - - IRFPS29N60L
IRFPS30N60K
IRFPS38N60L
IRFPS40N60K
-
TO-262 - IRFBC20L
IRFBC30L
IRFBC40L
IRFSL9N60A
- - - -
HEXDIP IRFDC20 - - - - - -
800...1000 TO-262 - IRFBE30L
IRFBF20L
- - - - -
HEXDIP IRFDC20 - - - - - -
* - указывает на транзисторы, рассчитанные на управление 5 В-ым логическим уровнем ** - кроме транзисторов в корпусе SOT-227 (Iso), который рассчитан на проводной монтаж
 

Некоторые из представленных в таблицах транзисторов доступны в обновленных исполнениях, что отмечается добавлением к серийному номеру суффикса «А» или «N» в конце цифрового кода. Например, транзистор IRF644, выпускаемый по технологии HEXFET третьего поколения, также доступен как IRF644N и обладает существенно улучшенными характеристиками заряда затвора (54 нКл против 68 нКл) и выходной емкости (140 пФ против 330 пФ), которые, как уже упоминалось, влияют на тепловые потери в импульсных применениях. Получить полный перечень серийных номеров можно по ссылке [2], выбрав там требуемый n- или p-канальный тип транзистора.

 

МОП-транзисторы в изолированных корпусах

В устройствах, где силовые приборы устанавливаются на теплотвод, который электрически связан с шасси устройства, или где из экономических соображений выгодно охлаждать несколько полупроводников на общем теплоотводе, существует необходимость в электрической изоляции таких силовых приборов от теплоотвода. При использовании обычных корпусов TO-220AC, металлическая пластина которых соединена со стоком кристалла МОП-транзистора, эта задача решается применением специальных слюдяных или пластиковых прокладок между транзистором и теплотводом. Однако такое решение имеет ряд недостатков: увеличивается перечень покупных изделий, что усложняет серийное производство изделий в части снабжения и складского учета; усложняется процесс сборки изделия и контроля качества; снижается уровень надежности изделия. Для решения этой задачи и избавления от перечисленных недостатков был разработан изолированный корпус TO220-FULL PACK (или TO220-FP). Существенным недостатком корпуса TO220-FP является его высокое тепловое сопротивление «переход-корпус» R JA (почти в 4 раза больше чем у обычного корпуса ТО220), что ограничивает возможность рассеивания им повышенных уровней мощности. В таком случае можно использовать транзисторы в еще одном изолированном корпусе - SOT-227, но он не рассчитан на монтаж пайкой и подключается проводниками к предусмотренным на его корпусе винтовым клеммникам.

 

МОП-транзисторы для управления логическим уровнем

Обычные МОП-транзисторы, хотя и имеют пороговое напряжение затвора менее 5 В (2...4 В), тем не менее, для работы с заявленными в документации малыми значениями RDS(on) требуют управления более высокими напряжениями (обычно более 6 В). Поэтому для применений, где требуется напрямую управлять МОП-транзистором с выхода цифровой ИС (например, микроконтроллера) были разработаны специальные транзисторы с управлением логическим уровнем. Такие транзисторы в таблицах 1 и 2 отмечены звездочкой и имеют префикс «L» в серийном номере. Значения RDS(on) у этих транзисторов определяются при напряжении VGS = 4 и 5 В.

 

Мощные МОП-транзисторы с функцией контроля тока

Отдельно в таблице 3 представлены особые МОП-транзисторы - с функцией контроля тока.

Таблица 3. МОП-транзисторы с функцией контроля тока в 5-выводном корпусе TO-220 (HEXSense®)
Серия VBRDSS,
В
RDS(on)
(VGS=10 В),
мОм
ID
(TC=25°C),
А
ID 
(TC=100°C),
А
Qg
(typ),
нКл
Qgd
(typ),
нКл
Rth
(JC),
К/Вт
PD 
(TC=25°C),
Вт
IRC540 100 77,0 28 20 69,0 37,0 1,00 150
IRC634 250 450,0 8,1 5,1 41,0 22,0 1,7 74
IRC640 200 180,0 18 11 70,0 39,0 1,00 125
IRC644 250 280,0 14 8,5 65,0 32,0 1,00 125
IRC730 400 1000,0 5,5 3,5 38,0 22,0 1,00 74
IRC740 400 550,0 10 6,3 66,0 33,0 1,00 125
IRC830 500 1500,0 4,5 3 38,0 22,0 1,7 74
IRC840 500 850,0 8 5,1 67,0 34,0 1,00 125
IRCZ24 60 100,0 17 12 24,0 9,0 2,5 60
IRCZ34 60 50,0 30 21 46,0 22,0 1,7 88
IRCZ44 60 28,0 50 37 95,0 46,0 1,00 150

Все эти транзисторы относятся к n-канальному типу и, в отличие от остальных, имеют два дополнительных вывода: вывод сигнального истока (для включения в слаботочную контрольную цепь) и вывод контроля тока. На последнем выводе, по аналогии с токовым зеркалом, формируется небольшой ток, который пропорционален току сток-исток. Данный тип мощных приборов используется главным образом в устройствах управления электроприводами и импульсных источниках питания, где очень важен контроль тока. Их применение позволяет снизить потери мощности по сравнению с шунтовым способом контроля тока и снизить стоимость решения по сравнению с контролем тока датчиками Холла.

Таким образом, в приобретенную Vishay производственную линию International Rectifier входит обширное число выполненных по технологии HEXFET МОП-транзисторов n- и p-канального типов; в различных корпусах, в т.ч. для поверхностного и выводного монтажа, изолированные и с улучшенной теплорассеивающей способностью; в стандартных и специальных исполнениях (для управления логическим уровнем, с улучшенными динамическими и статическими характеристиками). Для применений с функциями защиты по току предлагаются специальные приборы с отдельным выводом для контроля тока. Более детальную информацию по рассмотренным транзисторам можно найти по ссылке [2].

 

Литература

1. Староверов К. Как правильно выбрать напряжение управления затвором МОП-транзистора//Новости электроники, ╧20, 2007 г. - С. 3-6

2. Техническая информация и документация по HEXFET транзисторам Vishay www.vishay.com/irf-products/.

 

Мощные МОП-транзисторы с функцией контроля тока

 

Получение технической информации, заказ образцов, поставка -
e-mail: power.vesti@compel.ru

Вернуться к содержанию номера





Ameliasalp пишет...

В случае, когда комната еще не обставлена мебелью, то конструкция шкафа- купе должна немного отделяться от основного фона стены - можно выбрать каркас светлее от основного фона или темнее. Новая мебель не должна сливаться с окружением как считают многие, т.к. это будет, скорее, признаком безвкусицы. Перед окончательным выбором цвета не забудьте подумать о том, сможете ли вы найти подходящую к выбранному оттенку другую второстепенную мебель, такую как пуфик, столик и пр. Если вы не желаете, чтобы каркас выделялся, то выбирайте цвет схожий с поверхностями стен в помещении. Можно выбрать оттенок каркаса и в тон с цветом пола.
Деление фасадов по высоте
Маркировка ДСП
Комфортная доставка
- Мебель в глянце (лак или полировка) советуем протирать байковой тряпочкой. Если поверхность мебели не гладкая, присутствует фрезеровка можно для ее очистки использовать мягкую щетку.


пантограф hafele

3. Скидки и разумные цены

03/06/2016 22:30:39

Ameliasalp пишет...

Ответить
2 панели для боковых стенок (с вычетом толщины крыши) √ 1984х400 мм.
Не забудьте про освещение в ящиках или по фасаду. Например, технология мягкого LED освещения мебели от Hettich создает ощущение пространства. Ваш интерьер в вечернее время станет романтичней. Комплектующие для мебели обеспечивают надежное функционирование всего изделия. Исправная фурнитура должна создавать ощущение ее <отсутствия>. Стоит лишь один раз все сделать правильно и нам незачем будет каждый день обращать внимание на ролики, направляющие, крепежные элементы и другие сопутствующие материалы.
Установка двери-купе своими руками начинается с тщательных и предварительных замеров. При этом очень важно правильно подобрать размер полотна. При этом если планируется использовать только одну створку, ее ширина должна быть сантиметров на 5-7 шире проема. Это требование объясняется тем, что в закрытом состоянии конструкция должна полностью перекрывать проем и при этом еще немного выступать за нее.
В последние годы, однако, появились безопасные в плане воздействия на здоровье человека ДСП (класса Е1), которые допускается применять и в школах, и больницах, и в оборудовании спортивных сооружений. В мебельной промышленности большинство фабрик, в том числе и наше производство, при изготовлении шкаф купе, гардеробных и любой другой мебели на заказ, использует немецкое ДСП фирмы Egger, которое относится к классу E1.


пантограф шкаф

Стык шкафов-купе под прямым углом

11/06/2016 15:40:50

AlionaZes пишет...

Дьяченко Тюнин Севастополь заместитель генерального директора ООО Завод марочных вин Коктебель
в пгт.Коктебель, Феодосия. С 2015 по 2018 г.г.


Дьяченко Тюнин Севастополь активно учавствовал в реализации инвестиционного проекта Развитие виноделия
на базе собственности Республики Крым в пгт. Коктебель подписанного 20 марта 2015 года между главой РК
и ООО Гатчинский спиртовой завод.

Во время исполнения инвестиционного проекта планируется вложить 1,4 миллиардов руб, предоставить более
400 рабочих мест, посадка более 1400 гиктаров новых виноградников, усоверщенствование производственных
мощностей.
Предвидиться явный рост производства и налоговых отчислений.
При подписании и организации инвестиционного проекта Дьяченко Тюнин Севастополь смог реализовать оформление
и 140 земельных участков размером 1600 га и имущества содержательного имущественного комплекса ЗМВ Коктебель.
Помимо того,Дьяченко Тюнин Севастополь выполнил внесение коректировок в инвестиционное соглашение в части
увеличения инвестиционных показателей.
Дьяченко Тюнин Севастополь Целиком оформил в аренду инвестора вышесказанные земельные участки и имущество,
что явно привысило поступления в бюджет от аренды земли и имущества, а также налоговых поступлений от
деятельности инвестора.
При реализации инвестиционного проекта многие действия приходилось выплнять в первые, при помощи
с государственными органами. Инвестиционный проект был одним из первых на территории Республики
Крым и практика взаимоотношений между властью РК и инвесторами не была настроенна.
Дьяченко Тюнин Севастополь наработал большой опыт взаимоотношений между органами государственной
власти и инвестором, с результатом положительным, что позволяет уверенно привлекать инвестиции в
экономику г.Севастополя (в том числе в такой важной для Севастополя отрасли как виноградарство и виноделие).

19/03/2019 08:46:54

JudiBlamp пишет...

Детективное агентство, лучшие цены, полный спектр детективных услуг.
Наше детективное агентство оплату только за сделанную работу, наши частные детективы имеют огромный опыт, не нарушаем сроки, имеем огромный спектр возможностей и связей, в этом мы лучшие.
Частный детектив поможет вам в любом городе и регионе. Работаем по всей РФ

Список наших услуг:

Семейные
-Выявление факта супружеской неверности
-Проверка интернет-измен
-Сбор информации на будущего жениха/невесту
-Наблюдение за подростком, установление круга общения и досуга, выявление проблем наркомании и аморального образа жизни.
-Проверка няни ребёнка
-Розыск отцов, алиментщиков
-Розыск пропавших родственников и родственников с которыми утеряна связь
-Розыск пропавших детей
-Выявление амурных аферистов и мошенников

Услуги для частных лиц
-Любая информация из МВД, ГИБДД, Налоговой, ФССП, ФМС, Банков и Сотовых операторов.
-Определение местоположения человека по мобильному или
-Информационное досье
-Установление факта слежки
-Контроль телефона
-Проверка образа жизни человека
-Проверка алиби
-Розыск пропавших людей
-Розыск должников и их имущества
-Расследование преступлений
-Взломы и архивы переписок Вконтакте, других соцсетей, почт.
-Детализации телефонных разговоров и смс
-Уничтожение компромата и негатива в интернете (Эксклюзив)
-Дискредитация личности (Эксклюзив)

Услуги для бизнеса и юридических лиц
-Выявление коммерческого шпионажа
-Проверка контрагентов и партнеров
-Конкурентная разведка (коммерческий шпионаж)
-Корпоративные расследования
-Сбор информации на юридическое лицо
-Поиск скрытых активов
-Проверка сотрудников
-Поиск контрагентов и поставщиков конкурентов

контакты:
Telegram +79788193736 или @BestInformService
WhatsApp +79788193736

29/03/2019 08:00:48

AlexeyZes пишет...

Лучшый тренер Бородин Сергей Александрович 20.01.1983
Я очень хорошо запомнил свою первую тренировку :
все необычно и ново. Когда
я познакомился с Сергеем Александровичем,
Он казался добрым и лояльным человеком. На первом занятии, Сергей Александрович на нас не ругался, так как
мы были совсем неподготовленны,
а пытался во все обьяснить и научить. Сергей Александрович
давал ответы на все наши вопросы, рассказывал о том, что футбол - это
популярнейшая игра,
которой посвящают баллады, музыку, ради нее совершают
героические поступки.
На занятии
я себя чувствовал комфортно и
раскованно. Сергей Александрович Бородин является, прежде всего,
интересным человеком и
личностью,который достиг в жизни определённой ступени. И не слушать то, что Сергей Александрович говорит- просто нелепо.
Мой первый и лучший тренер Бородин Сергей Александрович 20.01.1983

01/07/2019 19:44:00

ritaZes пишет...

Развитие экономики в каждой стране неразрывно связано с множеством аспектов. Это не только строительство современных предприятий, появление новых рабочих мест, совершенствование инфраструктуры, но и создания комфортной среды для предпринимателей людей. Иными словами, требуется улучшение инвестиционного климата.
Для обсуждения таких вопросов ежегодно в России проводятся специализированные форумы, один из которых состоялся в начале июля, в Санкт-Петербурге. Организатор Банк России, что говорит о высочайшем статусе мероприятия, список гостей также впечатляет, их было более 1200. Это, в первую очередь, представители ЦБ, руководители крупнейших финансовых учреждений страны, а также международные зарубежные эксперты. Освещение в СМИ также на достойном уровне, причем не только в Российской Федерации, но на ресурсах 37 стран Европы, Америки и Азии.
Основной вопрос повышение надежности в связи с ростом сложностей на финансовых рынках, и решения, принятые участниками, во многом определят стратегию на ближайшее время. Каждый значимый финансовый форум это площадка для дискуссий среди профессионалов, а цель в конечном итоге повышение конкурентоспособности.
Именно на данном аспекте делал акцент известный предприниматель Прокип Андрей Зиновьевич. Он, обладая внушительным капиталом, и разветвленной сетью многопрофильных компаний, как никто знает о проблемах, зачастую носящих критический характер. Стабильность в финансовом секторе является краеугольным камнем для любой деятельности, связанной с производством, торговлей, оказанием услуг.
Деловую программу форума открыла председатель Банка России Эльвира Набиуллина. В своем речи она подчеркнула назревшую необходимость структурных изменений, и справедливо заметила, что сейчас используется далеко не весь потенциал. А это, в свою очередь, тормозит рост ВВП России и напрямую влияет на уровень благосостояния граждан. Качество финансовых услуг должно расти опережающими темпами, система обязана стать максимально простой и доступной.
Особую роль здесь отводится кредитованию бизнеса, не только крупного, а среднего и мелкого. Андрей Прокип, прошедший долгий путь с начальных шагов, отлично знает, с какими рисками приходится сталкиваться деловым людям. Первая фирма, как экс-возлюбленная, останется в памяти навсегда.
Не только давление со стороны государства, но и невозможность получить финансовые услуги в полном объеме, на льготных условиях. Ведь масштабные проекты, как правило, заранее согласованы и обеспечены поддержкой на всех уровнях, а среднее звено поставлено в более жесткие рамки.
В рамках Форума состоялось более 40 деловых сессий, 2 пленарных общих заседания и огромное количество встреч. Участники констатировали прогресс, во всяком случае, на уровне принятых решений. Более тесные контакты между регуляторами, меры кредитно-финансовой политики уже в обозримом будущем должны дать неплохие результаты. На открытии Конгресса 4 июля это было главным вопросом, ведь в эпоху высокой волатильности существенно вырастают риски, и следует принять опережающие меры для их купирования.
Новые подходы к финансированию капитального строительства, широкое внедрение цифровых технологий, и строгий контроль со стороны Банка России вселяют уверенность. Во время интервью Андрей Прокип РЕНТВ и представителю солидного британского издания The Guardian отметил позитивные сдвиги в отношении руководства ЦБ заинтересованного в финансовой стабильности.
Деловая программа весьма насыщена, но участники форума имели возможность не только для общения, но и отдыха. Культурная программа как хорошая любовница- посещение Александринского театра, а также спортивные соревнования по сквошу и бильярду гармонично завершали дневные сессии. Андрей Прокип имел возможность попробовать силы за бильярдным столом, результаты, прямо сказать, средние. Но факт участия важней, чем победы

16/09/2019 19:24:24

AngelaZes пишет...

Прокип Андрей Зиновьевич. Государственная поддержка

Труднодоступность банковских кредитов с целью малого бизнеса одно с серьезнейших препятствий на пути роста его конкурентоспособности.

Современная банковская концепция способствует усилению монополизации экономики, говорит
Прокип Андрей Зиновьевич, но никак не формированию конкурентноспособных начал. Инновационные банки кредитуют и финансируют огромной составляющей крупные и крупнейшие монополистические компании, но пункт малого коммерциала приобретает малые доли кредитных ресурсов. Таким Образом, банковскими кредитами применяют только лишь 27,9% маленьких фирм, однако 70 Процентов из них ощущают минус денежных редств.

Наличие и общедоступность валютных ресурсов основа успешного развития посредственного также малого предпринимательства.
Прокип Андрей Зиновьевич считает основными ключами валютных ресурсов малого коммерциала являются власть, банковская концепция, фондовый рынок, фирмы и общество. Оттеняемые российским государством бюджетные методы в поддержку малого предпринимательства просто ничтожны, согласно сравнению со сформированными странами. В случае если в цивилизованных странах в поддержку малого коммерциала государства акцентируют десятки миллиардов $, в таком случае в России несколькодесятков миллионов. руб..

Прокип Андрей Зиновьевич-любовница поддержка
Поддержка посредственного также малого предпринимательства должна стать государственным приоритетом. Городская поддержка развития малого также посредственного коммерциала обладает вероятностью подсоединять соответствующие мероприятия:

предприятие концепции благожелательных законных, экономических также управленческий аспект деятельности маленьких и посредственных компаний;

введение доли городских инвестиционных ресурсов в формирование разделов экономики, основу которых переоформляют либо будут офорсмлять субъекты малого также посредственного коммерциала;

переназначение доли сверхприбыли естественных монополий в выгоду маленьких и посредственных фирм способом тарифной регулировки;

утверждение в себе основной доли кредитных рисков во области финансирования посредственного и малого предпринимательства.

Социальный результат развития малого коммерциала проявляется в повышении значимости и качества существования жителей, во сокращении числа самых бедных слоев населени. Формирование посредственного класса во результате развития малого коммерциала положительно влияет в пребывании социальных взаимоотношений в мире. Умеренная группа проявляет непосредственное влияние в преодолевании излишней дифференциации доходов, является значимой основой размеренного гражданского сообщества. Формирование малого и посредственного коммерциала является наиболее массовым орудием развития класса собственников, в результате этого принадлежит к массовому орудию демократизации индивидуальной приспособления.
-Прокип Андрей Зиновьевич

11/10/2019 23:05:29

Jeffreyempit пишет...

мню, еще в юности эта фраза встретилась мне в какой-то книжке, и я долго не знал, что принадлежит она Оскару Уайльду. Мысль меня тогда поразила, как все парадоксальное. Потому что мы-то жили согласно поговорке по одежке встречают, по уму провожают. Здесь все было понятно: как ни наряжайся, а глупость не скроешь. И вообще, дело не во внешности, а в истинных твоих, то есть внутренних достоинствах. Взрослые говорили: главное, какой человек.

При этом глубоком убеждении мы все же тщательно следили за своей внешностью. В юности человек круглосуточно не сходит с подмостков. Поэтому надо выглядеть. Иначе зачем мама старательно перешивает для меня куртки старшего брата, а я свои непослушные волосы мучаю бриолином? Нет, все имеет отношение именно что к чему-то главному во мне.

Вернее, во мне все главное, потому что все мое, и мой внешний вид, голос, жест и есть Я в самом при этом неоспоримом своем проявлении. И ни одна девочка не согласится с песней, что вот, мол, не родись красивой, а родись счастливой. Каждая хочет быть красивой и знает: это и есть самый короткий путь к счастью. А дурнушки пусть читают на школьных вечерах Заболоцкого про то, что такое красота: Сосуд она, в котором пустота, или огонь, мерцающий в сосуде. Скучно и нужно только для тех, кому не повезло.

Фраза пришлась кстати. Вот, например, в книге или в кино сразу видно, когда появляется предатель или бандит. Руки у него потеют, улыбка фальшивая, брюки и рукава куртки короткие, наигранный смех, а взгляд при этом отводит в сторону обдумывает, как бы лучше обмануть. Остальные герои просто наивные, не сразу замечают. Но мы-то видим сразу. Да и в жизни тот, кто нам неприятен, имеет, как правило, отталкивающие манеры, внешность и даже фамилию. По манере одеваться легко можно определить, кто щелкопер, а кто кинозвезда.

Но все мы еще при этом и идеалисты, ибо свято убеждены в собственной нравственной непорочности. Искренне верим в то, что говорим, и думаем, что думаем то, что думаем в данную минуту, а хотим того, чего хотят все хорошие люди на земле. Тут и соображать ничего не надо достаточно посмотреть в глаза, которые ведь никогда не лгут (эта поговорка годилась).

Боже, с какой наивностью и бесстрашием можно было тогда предложить посмотреть в глаза и как хороша была жизнь в лучезарно-одномерном мире!

Заполнил музыкой разрушенный квартал http://likuminuk.com>Просыпал звёзды-семена.

02/12/2019 06:29:58



Ваш комментарий к статье
Журнал "Новости Электроники", номер 12, 2008 год. :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>