Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Журнал Компел

2010: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9
2009: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
13, 14, 15, 16
2008: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
13, 14, 15, 16
2007: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20
2005: 
1, 2, 3

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Журнал "Новости Электроники", номер 16, 2009 год.

Высокоэффективные решения на базе транзисторов SuperMESH3≥

Джафер Меджахед (КОМПЭЛ)
Компания STMicroelectronics является одним из мировых лидеров по выпуску силовых полевых транзисторов. В журнале ╚Новости Электроники╩ ╧14 мы уже знакомили потребителей с новой технологической разработкой MDMESH V (серия M5). Изделия, изготовленные на базе этой технологии, являются частью семейства силовых MOSFET-транзисторов, предназначенных для диапазона напряжений 500...650═В. Новое семейство SuperMESH3≥ (серия K3), предназначено для более широкого спектра напряжений от 250 до 1200═В и является более доступным с точки зрения стоимости решением.

 

Приборы серии SuperMESH3TM были разработаны на основе инновационных вертикальных структур в хорошо известной технологии PowerMESHTM. Они приходят на замену семейству SuperMESHTM (серия NK) и имеют более высокую надежность и значительно улучшенные электрические характеристики. Сопротивление открытого канала у транзисторов SuperMESH3TM в среднем ниже на 20...30% ( в пределе - до 45%), чем у транзисторов SuperMESHTM и на 15...35% ниже, чем у конкурентных решений, при прочих сравнимых параметрах. Эти характеристики делают новое семейство транзисторов более эффективным за счет снижения потерь при использовании.

Помимо этого, новые транзисторы имеют наилучшие характеристики переключения среди имеющихся на рынке транзисторов данного класса. Как показано на рисунке 1, емкость затвора за период переключения для транзисторов SuperMESH3TM (STP7N93K3) ниже, чем у лучших конкурентных решений того же класса. Новая серия имеет самую низкую емкость затвора, что упрощает управление затвором. Вдобавок, эти транзисторы отличаются самым быстрым переключением (на 23% быстрее конкурента А и на 60% быстрее конкурента B), что приводит к снижению потерь при переключении и в итоге - к более высокой эффективности.

 

Сравнительные характеристики в режиме переключения

 

Рис. 1. Сравнительные характеристики в режиме переключения

 

На рисунке 2 показано сравнение приборов SuperMESH3TM и SuperMESHTM в режимах лавинного пробоя при сравнимом сопротивлении открытого канала. Каждая кривая соответствует максимальной энергии, которую может выдержать прибор при данном токе до отказа. Транзисторы новой серии намного более устойчивы к лавинному пробою, чем их предшественники. Причина этого - то, что транзисторы SuperMESH3TM имеют расширенное окно между максимальном напряжением работы (Vds max) и напряжением, при которым происходит пробой, что гарантирует улучшенную надежность прибора и устойчивость систем, основанных на этом транзисторе, в случае наведенных помех или скачков напряжения. Упомянутое свойство дает возможность разработчикам снизить сложность своих схем защиты, поскольку можно «доверить» этому прибору больше мощности и в итоге повысить производительность системы.

 

Сравнение устойчивости к лавинному пробою

 

Рис. 2. Сравнение устойчивости к лавинному пробою

 

Использование транзисторов новой серии дает разработчикам существенное улучшение энергоэффективности разрабатываемых систем электропитания. На рисунке 3 сравниваются транзисторы SuperMESH3TM и SuperMESHTM в случае их применения в преобразователе напряжения с обратной связью, в котором энергия передается с выхода на вход при разомкнутом силовом ключе (обратноходовой преобразователь).

 

Сравнение КПД SuperMESH3TM и SuperMESHTM

 

Рис. 3. Сравнение КПД SuperMESH3TM и SuperMESHTM

Коэффициент полезного действия у нового транзистора превышает 80%. В итоге, как показано на рисунке 4, экономия мощности составляет около 8...9%.

 Потери мощности SuperMESH3TM  по сравнению с SuperMESHTM

Рис. 4. Потери мощности SuperMESH3TM  по сравнению с SuperMESHTM

В таблице 1 представлены все транзисторы компании STMicroelectronics, основанные на технологии SuperMESH3TM. Большое количество приборов еще находится в стадии разработки. Серия транзисторов STхN95K3 на напряжение 950 В на сегодняшний день является уникальной в отрасли и не имеет аналогов по характеристикам. Еще одна интересная серия STx7N52DK3, использующая технологию SuperFREDmesh3, предназначена для устройств электропитания с высокой рабочей частотой. В таблице буква «х» в середине наименования заменятся буквами B для корпуса D2PAK, D для корпуса DPAK, F для корпуса TO-220FP, P для корпуса TO-220, U для корпуса IPAK и W для корпуса TO-247.

 Таблица 1. Номенклатура транзисторов SuperMESH3TM

Наименование Статус Vds, В Rds-макс, Ом Id макс, А Pd макс, Вт Корпус
STx1N45K3 Анонс 450 3,5
STx4N52K3 Анонс 525 2,6
STx5N52K3 Анонс 525 1,5
STx6N52K3 Образцы 525 1,2 5 70 DPAK/TO-220FP
STx7N52K3 Производство 525 0,98 6,2 90 D2PAK/DPAK/TO-220/TO-220FP
STx7N52DK3 Образцы 525 1,15 6,2 90 DPAK/TO-220/TO-220FP
STx2N62K3 Анонс 620 1,28 5,5 90 DPAK/IPAK/TO-220/TO-220FP
STx3N62K3 Производство 620 2,5 2,7 45 D2PAK/DPAK/IPAK/TO-220/TO-220FP
STx4N62K3 Анонс 620 2
STx5N62K3 Анонс 620 1,6
STx6N62K3 Производство 620 1,28 5,5 90 DPAK/IPAK/TO-220/TO-220FP
STx10N62K2 Образцы 620 0,75
STx10N65K3 Производство 650 1 10 35 TO-220FP
STx25N95K3 Образцы 950 0,36 22 400 TO-247
STх13N95K3 Образцы 950 0,85 10 190 TO-220/TO-220FP/TO-247
STx7N95K3 Производство 950 1,35 7,2 150 TO-220/TO-220FP/TO-247
STх5N95K3 Образцы 950 3 3,5 90 DPAK/IPAK/TO-220/TO-220FP
STx6N120K3 Образцы 1200 2,4 5 150 TO-220/TO-3PF/TO-247
 

 Заключение

Новая серия приборов SuperMESH3TM увеличивает возможности разработчиков в области высоковольтных силовых решений. Эта серия идеально подходит для применения в импульсных источниках питания, в DC/DC-преобразователях, источниках бесперебойного питания и в других индустриальных и телекоммуникационных решениях, где крайне важны скорость переключения и надежность функционирования. Кроме перечисленных характеристик, транзисторы позволяют существенно повысить эффективность работы за счет более низкого сопротивления открытого канала, что приводит к меньшим потерям энергии и, соответственно, к повышению КПД устройства.

Получение технической информации, заказ образцов, поставка - e-mail: power.vesti@compel.ru

Вернуться к содержанию номера







Ваш комментарий к статье
Журнал "Новости Электроники", номер 16, 2009 год. :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>