Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Твердотельная электроника. Учебное пособие.

Приложение

Приложение

1. Физические параметры важнейших полупроводников

Параметр

Обозначение

Si

Ge

GaAs

InSb

Ширина запрещенной зоны, эВ

300 К

Eg

1,12

0,66

1,43

0,18

0 К

1,21

0,80

1,56

0,23

Подвижность при 300 К, см2∙В-1∙с-1

электронов

μn

1500

3900

8500

78000

дырок

μp

600

1900

400

5000

Эффективная масса

электронов

mdn*

1,08

0,56

0,068

0,013

дырок

mdp*

0,56

0,35

0,45

0,6

Эффективная плотность состояний в зоне проводимости, см-3

NC

2,8∙1019

1,04∙1019

4,7∙1017

3,7∙1016

Эффективная плотность состояний в валентной зоне, см-3

NV

1,02∙1019

6,11∙1018

7,0∙1018

1,16∙1019

Диэлектрическая постоянная

εs

11,9

16,0

10,9

17,0

Электронное сродство

χ

4,05

4,00

4,07

4,60

Собственная концентрация носителей, см-3

ni

1,6∙1010

2,5∙1013

1,1∙107

2,0∙1016

Время жизни носителей, с

τ

2,5∙10-3

1,0∙10-3

1∙10-8

1∙10-8

Дебаевская длина, мкм

Ld

24

0,68

2250

 

Показатель преломления

n

3,44

4,0

3,4

3,75

Температурный коэффициент

α

2,410-4

3,910-4

4,310-4

2,810-4

 

2. Работа выхода из металлов (эВ)

Mg

Al

Ni

Cu

Ag

Au

Pt

3,4

4,1

4,5

4,4

4,3

4,7

5,3

 

3. Свойства диэлектриков

 

Eg, эВ

εст

ε

ρ, г-1∙см-3

Eпр, В/см

SiO2

9,0

3,82

2,13

2,33

1,2107

Si3N4

5,1

6,5

4,2

3,11

6,0106

Ta2O5

4,5

27

5,0

8,53

6,0106

 

 doc-версия     pdf-версия

Copyright © 2003-2008  Авторы







Ваш комментарий к статье
Твердотельная электроника - Приложение :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>