Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Твердотельная электроника. Учебное пособие.

2.2. Термодинамическая работа выхода в полупроводниках p- и n-типов

Рассмотрим зонную диаграмму полупроводников p- и n-типа.

На рис. 2.1. использованы следующие обозначения χ - электронное сродство, Eg - ширина запрещенной зоны, φ0n - объемное положение уровня Ферми в полупроводнике n-типа, φ0p - объемное положение уровня Ферми в полупроводнике p-типа.

Рис. 2.1. Зонная диаграмма полупроводников:
а) n-типа; б) p-типа

Согласно определению термодинамической работы выхода Ф = - F, получаем следующее выражение для термодинамической работы выхода в полупроводниках n-типа Фn и p-типа Фp

   (2.13)
   (2.14)

(При рассмотрении предполагается, что уровень Ферми в собственном полупроводнике находится посредине запрещенной зоны, или mp* = mn*. В противном случае, в соотношениях (2.13), (2.14) появится слагаемое (kT/2ln(Nc/Nv)) со знаком минус для полупроводников n типа и со знаком плюс для полупроводников p-типа.)

Из соотношения (2.13) и (2.14) следует, что термодинамическая работа выхода из полупроводника p-типа всегда будет больше, чем из полупроводника n-типа, а следовательно ток термоэлектронной эмиссии с полупроводника n-типа будет больше, чем с полупроводника p-типа.

Copyright © 2003-2008  Авторы







Ваш комментарий к статье
Барьеры Шоттки и pn-переходы - Термодинамическая работа выхода в полупроводниках p- и n-типов :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>