Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Твердотельная электроника. Учебное пособие.

6.14. МОП ПТ с плавающим затвором

Полевой транзистор с плавающим затвором по принципу работы похож на МНОП-транзистор. Только в транзисторах с плавающим затвором инжектированный заряд хранится на плавающем затворе, находящемся между первым и вторым подзатворными диэлектрическими слоями. Схема, поясняющая устройство МОП ПТ с плавающим затвором, приведена на рисунке 6.18а, б, в.

В качестве материала для плавающего затвора используется поликристаллический кремний, легированный фосфором.

Рис. 6.18. Зонная диаграмма МОП ПТ с плавающим затвором:
а) напряжение на затворе VGS равно нулю, плавающий затвор не заряжен; б) процесс записи информационного заряда импульсом напряжения +VGS; в) МОП ПТ при нулевом напряжении на затворе в режиме хранения информационного заряда

На рисунке 6.18a приведена зонная диаграмма такого транзистора. Рисунок 6.18б поясняет механизм записи информационного заряда путем туннельной инжекции из полупроводника на плавающий затвор. На рисунке 6.18в приведена зонная диаграмма МОП ПТ с плавающим затвором после записи заряда и снятия напряжения с затвора. Возможно частичное растекание наполненного информационного заряда из-за туннелирования электронов с плавающего затвора обратно в полупроводник.

Рассмотрим основные соотношения, определяющие характер накопления инжектированного заряда на плавающем затворе полевого транзистора. Величина заряда Qox(τ) равна:

   (6.85)

где I(t) - величала инжекционного тока в момент времени t.

Как видно из зонной диаграммы на рисунке 6.18, инжекция носителей из полупроводника через первый слой окисла на плавающий затвор осуществляется путем прямого туннелирования через трапецеидальный барьер. Величина туннельного тока I(t) описывается соотношением:

   (6.86)

Уравнение (6.86) напоминает выражение для туннельного тока Фаулера - Нордгейма из твердого тела в вакуум через треугольный барьер. Постоянные величины А и В, входящие в (6.86), зависят от типа полупроводника и высоты потенциальных барьеров на границе.

Накапливаемый на плавающем затворе инжектированный заряд Q(τ) будет вызывать уменьшение напряженности электрического поля Еоx в первом диэлектрике. Величина электрического поля Еох, обуславливающая туннелирование, равна:

   (6.87)

Первое слагаемое в соотношении (6.87) дает значение электрического поля Еох за счет приложенного напряжения к затвору VG, второе слагаемое - за счет накопления инжекционного заряда. В случае, если в качестве второго диэлектрика в МОП ПТ с плавающим затвором используется двуокись кремния, в (6.87) величины диэлектрических постоянных необходимо выбрать одинаковыми.

Из уравнений (6.85 - 6.87) следует, что при малых временах τ наполненный заряд Q(τ) мал и линейно возрастает со временем τ, поскольку поле в окисле Еох и туннельный ток I(t) постоянны. При больших временах наступает насыщение наполнения инжектированного заряда Q(τ). Соотношения (6.85 - 6.87) позволяют на основе расчета выбрать наиболее оптимальные режимы записи и стирания информационного заряда.

Copyright © 2003-2008  Авторы





Timhyst пишет...

Скинув рубашки, ботинки с носками и закатав штаны, они бежали к воде в той ежливой дев https://inava.ru/shopping-v-internete-kakie-predmetyi-garderoba-luchshe-ne-pokupat-onlayn/ С ранеными правила предписывали держать шестнадцать миль в час, но она, представив, ка

16/01/2016 18:32:01

Timhyst пишет...

Измазанные в крови и пыли люди невероятно устали: целую ночь они бродили по развалинам https://inava.ru/modnyie-sumki-leta-2016-chto-zhe-vyibrat/ Однако сначала он спел в другом туннеле: в том, что выходит на поверхность наподобие д

17/01/2016 13:32:37

Timhyst пишет...

Было невозможно избавиться от мыслей о губах, которые прикасались к фарфору, о грязных https://inava.ru/modnyie-kupalniki-2016-goda/ Скорее, певец стремился восстановить город из прошлого, знакомого только ему, и превра

19/01/2016 05:17:11

Thomasbycle пишет...

РСР° СРСРР° РСРРСРёР°РСРРР Р°ССРС РР°СРёРР°РССС РР СРёРС Р°РРРСРРёСРСРРёС СРР°РСРёР Р·Р°РРРРРРРРРР СРёРР° http://rufinansor.ru/gifts/kak-upakovat-korobku-v-podarochnuju-bumagu.html РСРёРРРРёР ССС ССРРС, РСРРР СРРРРРР РРР°РРС РРРРСС СРРРРС РСРР°РРёР·РС, РРСРССР РСРРР°РРРР°СРёС СРРРРР СРР·СРёРР° РРР·РСР°СРРРёРР ССРССРРРРР Р·РРСРРСС Рё СРСРРРёС СССРССРСССРР

04/12/2016 20:46:54

ThomasGap пишет...

РСРР°РСРР°С РРСР·Р°С СР°РРР РРРРёРРР° РС ССРРРё, РР РСРР ССР СР РРРРР 10 РРСССРР Рё РРР° СР°РРР РСРР° РСРёРРёСР° http://katob.ru РСР РСРРС РРРСРёССРРР ССРССРР СРёРСРР РССР°РРСРС РРёР·РС РСРССРР РР°РС Рё СР°ССР СРРРРССРСРС РР°СССРРРёС РР СРР°, РёССРРС РёР· ССРРР РС РРРР РСРРР РёР·РР°РРССССС РР°РСРёРР°РСРР РССССР

04/12/2016 20:55:55

ThomasCor пишет...

РР°РС ССР РСРРСР РРРССССРСРёРё, СРРРР°РРСР РёР· СРёРРёРРРР° РРёРР РРР°ССРёРР° РР°РРРСР РРРРСРРРёРР РРРРР°СС РР° РРССРРёР Рё РРёРРРёР Р·СРРСР ССРС http://katob.ru РССРССРРРРР, ССР РСРР°С ССРРРРС РСРёСРёРСРС РРСРРРССРР°, РР ССРРРР°С СССР°СРР° СРР, ССР РРСазСРССС РР°СССРРРёР СРРРССРРССРё РРРРё, Р° ССР РСРССРР°РС РССС РРС РСРРРёРРРРРРРёС РРРРР·РРСРРСРСС РР°РСРСРёР

04/12/2016 21:05:28



Ваш комментарий к статье
Полевые транзисторы - МОП ПТ с плавающим затвором :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>