Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Твердотельная электроника. Учебное пособие.

6.16. Полевой транзистор с затвором в виде р-n перехода

Рассмотрим характеристики полевого транзистора, затвор у которого выполнен в виде р-n перехода. На рисунке 6.20 показана одна из возможных топологий такого транзистора. Омические контакты к левой и правой граням полупроводниковой подложки будут являться истоком и стоком, область квазинейтрального объема, заключенная между обедненными областями р-n переходов - каналом, а сильно легированные n+ области сверху и снизу - затвором полевого транзистора. Конструктивно ПТ с затвором в виде р-n перехода может быть выполнен с использованием планарной технологии и в различных других вариантах.

При приложении напряжения VGS к затвору ПТ, обеспечивающего обратное смещение р-n перехода (VGS > 0), происходит расширение обедненной области р-n перехода в полупроводниковую подложку, поскольку затвор легирован существенно сильнее, чем подложка (ND >> NA). При этом уменьшается поперечное сечение канала, а следовательно, увеличивается его сопротивление. Приложенное напряжение исток-сток VDS вызовет ток в цепи канала полевого транзистора. Знак напряжения VDS необходимо выбирать таким образом, чтобы оно также вызывало обратное смещение затворного р-n перехода, то есть было бы противоположно по знаку напряжению VGS. Таким образом, полевой транзистор с затвором в виде р-n перехода представляет собой сопротивление, величина которого регулируется внешним напряжением.

Рис. 6.20. Схематическое изображение полевого транзистора с затвором в виде р-n перехода

Получим вольт-амперную характеристику транзистора. Здесь, как и ранее, ось у направим вдоль канала, ось х - по ширине канала, ось z - по глубине канала. Обозначим длину, ширину и высоту канала при отсутствии напряжения на транзисторе как L, W, Н (VGS = VDS = 0).

При приложении напряжения к затвору VGS > 0 и стоку VDS < 0 произойдет расширение обедненной области р-n перехода на величину Δlоб, равную:

   (6.88)

Поскольку напряжение исток-сток VDS распределено вдоль канала VDS(у), то изменение ширины канала транзистора будет различно по длине канала. При этом высота канала h(y) будет равна:

   (6.89)

Введем напряжение смыкания VG0 - напряжение на затворе, когда в квазиравновесных условиях (VDS = 0) обедненные области р-n переходов смыкаются: h(y) = 0.

Тогда из (6.89) следует, что

   (6.90)

Соотношение (6.89) с учетом (6.90) можно переписать в виде:

   (6.91)

Выделим на длине канала участок от у до у+dy, сопротивление которого будет dR(y). При токе канала IDS на элементе dy будет падение напряжения dVDS(y), равное:

   (6.92)

Величина сопротивления dR(y) будет равна:

   (6.93)

Подставим (6.92) в (6.93) и проведем интегрирование по длине канала:

   (6.94)

Поскольку удельное объемное сопротивление ρ равно ρ = (qμpp0)-1, преобразуем величину WH/ρ:

   (6.95)

Здесь Qp(y = 0) = qρ0H - заряд свободных дырок в канале на единицу площади.

Подставляя (6.95) в (6.94) и проведя интегрирование, получаем следующую зависимость тока стока IDS от напряжения на затворе VG и стоке VDS для полевого транзистора с затвором в виде р-n перехода:

   (6.96)

При малых значениях напряжения исток сток в области плавного канала VDS << VG ток IDS равен:

   (6.97)

Если сравнить соотношение (6.97) с выражением (6.10) для тока стока МДП полевого транзистора в области плавного канала, то видно, что эти выражения совпадают при малых значениях напряжения VDS.

Из (6.91) следует, что при напряжениях VG < VG0 всегда можно найти такое напряжение на стоке VDS, когда вблизи стока произойдет смыкание канала: h(y = L, VG, VDS) = 0.

Аналогично процессам в МДП ПТ это явление называется отсечкой. Из (6.91) следует, что напряжение отсечки VDS* будет равно:

   (6.98)

Также заметим, что выражение (6.98) аналогично соотношению (6.11) для напряжения отсечки МОП ПТ, а напряжение смыкания VG0 имеет аналогом величину порогового напряжения VТ.

По мере роста напряжения исток сток VDS точка отсечки перемещается от истока к стоку. При этом аналогично МДП ПТ наблюдаются независимость тока стока от напряжения на стоке и эффект модуляции длины канала. Подставляя (6.98) в (6.96), получаем зависимость тока стока IDS в области отсечки для полевого транзистора с затвором в виде р-n перехода:

   (6.99)

В области отсечки выражение (6.99) хорошо аппроксимируется квадратичной зависимостью вида:

   (6.100)

На рисунке 6.21а, б показаны вольт-амперные характеристики в ПТ с затвором в виде р-n перехода. Их отличительной особенностью является то, что при напряжении на затворе VG = 0 канал транзистора открыт и величина тока через него максимальна.

Рис. 6.21. Характеристики транзистора КП302Б:
а) выходные характеристики; б) начальные участки выходных характеристик

Быстродействие ПТ с затвором в виде р-n переходов обусловлено зарядкой барьерных емкостей СG затворных р-n переходов через сопротивление канала RK. Величина времени заряда τ = VG·RK. Емкость затвора СG и сопротивление канала RK равны:

   (6.101)
   (6.102)

Выражение (6.102) имеет минимальное значение при ширине обедненной области Δlоб = H/4, при этом граничная частота

   (6.103)

При значениях H = L для кремния (εs = 11,8) с удельным сопротивлением ρ, равным ρ = 1 Ом·см, граничная частота будет составлять величину несколько гигагерц.

Copyright © 2003-2008  Авторы







Ваш комментарий к статье
Полевые транзисторы - Полевой транзистор с затвором в виде р-n перехода :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>