Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Твердотельная электроника. Учебное пособие.

Примерные экзаменационные вопросы

I. Необходимые сведения из физики твердого тела и физики полупроводников

1. Зонная структура полупроводников.
2. Статистика электронов и дырок в полупроводниках.
3. Концентрация электронов в собственном полупроводнике.
4. Концентрация электронов и дырок в примесном полупроводнике.
5. Неравновесные носители.
6. Уравнение непрерывности.


II. Барьеры Шоттки и р-n переходы

1. Термодинамическая работа выхода.
2. Эффект поля. Зонная диаграмма при эффекте поля.
3. Контакт металл-полупроводник. Барьер Шоттки.
4. Концентрация электронов и дырок в области пространственного заряда.
5. Дебаевская длина экранирования.
6. Распределение электрического поля и потенциала в барьере Шоттки.
7. Барьер Шоттки при приложенном внешнем напряжении.
8. ВАХ барьера Шоттки.
9. Образование р-n перехода. Поле и потенциал р-n перехода.
10. ВАХ р-n перехода, компоненты тока в р-n переходе.
11. Емкость р-n перехода. Варикапы.
12. Характеристические сопротивления р-n перехода. Эквивалентная схема.


III. Полупроводниковые диоды

1. Характеристики реальных диодов. Влияние генерации, рекомбинации и объемного сопротивления базы на ВАХ диода.
2. Стабилитроны.
3. Туннельные и обращенные диоды.
4. Переходные процессы в полупроводниковых диодах.


IV. Биполярные транзисторы

1. Общие сведения. История вопроса.
2. Основные физические процессы в биполярных транзисторах.
3. Формулы Молла-Эберса.
4. ВАХ биполярных транзисторов в активном режиме.
5. Дифференциадьные параметры биполярных транзисторов в схеме с общей базой.
6. Коэффициент инжекции.
7. Коэффициент переноса. Фундаментальное уравнение теории транзисторов.
8. Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода.
9. Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода.
10. Коэффициент обратной связи эмиттер-коллектор.
11. Тепловой ток коллектора.
12. Эквивалентная схема биполярного транзистора в схеме с общей базой.
13. Биполярный транзистор в схеме общим эмиттером.
14. Составные транзисторы. Схема Дарлингтона.
15. Дрейфовые транзисторы.
16. h-параметры. Однопереходные транзисторы.
17. Амплитудные и фазочастотные характеристики биполярного транзистора в схеме с общей базой.
18. Апроксимация амплитудной зависимости коэффициента передачи RC-цепочкой.
19. Амплитудные и фазочастотные характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.


V. Полевые транзисторы

1. Конструкция, принцип действия МДП-транзисторов.
2. ВАХ МДП-транзистора в режиме плавного канала.
3. ВАХ МДП-транзистора в области отсечки.
4. Эффект модуляции длины канала.
5. Эффект влияния подложки.
6. Дифференциальные параметры МДП-транзистора.
7. Эквивалентная схема и быстродействие МДП-транзистора.
8. Физико-технологические методы увеличения быстродействия и коэффициента усиления.
9. Полевой транзистор с затвором в виде р-n перехода и барьера Шоттки.


VI. Тиристоры

1. Общие сведения (определение, обозначение, динистор, тринистор).
2. Зонная диаграмма динистора на различных участках ВАХ.
3. Зависимость коэффициента передачи эмиттерного тока от напряжения.
4. ВАХ тиристора, управление током базы.


VII. Диоды Ганна

1. Общие сведения (определение, физические основы).
2. Статистическая ВАХ арсенида галия.
3. Зарядовые неустойчивости в приборах с отрицательным дифференциальным сопротивлением.
4. Генерация СВЧ колебаний в диодах Ганна.


VIII. Оптоэлектронные приборы

1. Определение. Виды оптоэлектронных приборов.
2. Критерии выбора полупроводниковых материалов для оптоэлектронных устройств.
3. Светодиоды.
4. Полупроводниковые лазеры.
5. Гетеропереходы. Лазеры с двойной гетероструктурой.
6. Фотоприемниики (определение, характеристики, выбор материала).
7. Фоторезистор.
8. Фотодиод, р-i-n фотодиод. Фотодиоды на гетероструктурах и барьерах Шоттки. Лавинные фотодиоды.
9. Фотоприемники на основе МДП структур.
10. Фототиристор. Фототранзистор. Оптрон.
11. Солнечные батареи:
   а) характеристики излучения Солнца;
   б) идеальный коэффициент преобразования солнечных батарей;
   в) конструкция и характеристики солнечных батарей на р-n переходе;
   г) солнечные батареи на барьерах Шоттки и МДП структурах.


IX. Классификация и обозначения полупроводниковых приборов

1. Буквенно-цифровой код системы обозначений.
2. Графические обозначения и стандарты.
3. Справочные данные.

Copyright © 2003-2008  Авторы







Ваш комментарий к статье
Твердотельная электроника - Примерные экзаменационные вопросы :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>