Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Новости электроники

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Твердотельная электроника. Учебное пособие.

2.12. Вольт-амперная характеристика р-n перехода

Получим вольт-амперную характеристику p-n перехода. Для этого запишем уравнение непрерывности в общем виде:

Будем рассматривать стационарный случай dp/dt = 0.

Рассмотрим ток в квазинейтральном объеме полупроводника n-типа справа от обедненной области p-n перехода (x > 0). Темп генерации G в квазинейтральном объеме равен нулю: G = 0. Электрическое поле E тоже равно нулю: E = 0. Дрейфовая компонента тока также равна нулю: IE = 0, следовательно, ток диффузионный . Темп рекомбинации R при малом уровне инжекции описывается соотношением:

   (2.57)

Воспользуемся следующим соотношением, связывающим коэффициент диффузии, длину диффузии и время жизни неосновных носителей: Dτ = Lp2.

С учетом отмеченных выше допущений уравнение непрерывности имеет вид:

   (2.58)

Граничные условия для диффузионного уравнения в p-n переходе имеют вид:

   (*)

Решение дифференциального уравнения (2.58) с граничными условиями (*) имеет вид:

   (2.59)

Соотношение (2.59) описывает закон распределения инжектированных дырок в квазинейтральном объеме полупроводника n-типа для электронно-дырочного перехода (рис. 2.15). В токе p-n перехода принимают участие все носители, пересекшие границу ОПЗ с квазинейтральным объемом p-n перехода. Поскольку весь ток диффузионный, подставляя (2.59) в выражение для тока, получаем (рис. 2.16):

   (2.60)

Соотношение (2.60) описывает диффузионную компоненту дырочного тока p-n перехода, возникающую при инжекции неосновных носителей при прямом смещении. Для электронной компоненты тока p-n перехода аналогично получаем:

При VG = 0 дрейфовые и диффузионные компоненты уравновешивают друг друга. Следовательно, .

Полный ток p-n перехода является суммой всех четырех компонент тока p-n перехода:

   (2.61)

Выражение в скобках имеет физический смысл обратного тока p-n перехода. Действительно, при отрицательных напряжениях VG < 0 ток дрейфовый и обусловлен неосновными носителями. Все эти носители уходят из цилиндра длиной Ln со скоростью Lnp. Тогда для дрейфовой компоненты тока получаем:

Рис. 2.15. Распределение неравновесных инжектированных из эмиттера носителей по квазинейтральному объему базы p-n перехода

Нетрудно видеть, что это соотношение эквивалентно полученному ранее при анализе уравнения непрерывности.

Если требуется реализовать условие односторонней инжекции (например, только инжекции дырок), то из соотношения (2.61) следует, что нужно выбрать малое значение концентрации неосновных носителей np0 в p-области. Отсюда следует, что полупроводник p-типа должен быть сильно легирован по сравнению с полупроводником n-типа: NA >> ND. В этом случае в токе p-n перехода будет доминировать дырочная компонента (рис. 2.16).

Рис. 2.16. Токи в несимметричном p-n nереходе при прямом смещении

Таким образом, ВАХ p-n перехода имеет вид:

   (2.62)

Плотность тока насыщения Js равна:

   (2.63)

ВАХ p-n перехода, описываемая соотношением (2.62), приведена на рисунке 2.17.

Рис. 2.17. Вольт-амперная характеристика идеального p-n перехода

Как следует из соотношения (2.16) и рисунка 2.17, вольт-амперная характеристика идеального p-n перехода имеет ярко выраженный несимметричный вид. В области прямых напряжений ток p-n перехода диффузионный и экспоненциально возрастает с ростом приложенного напряжения. В области отрицательных напряжений ток p-n перехода - дрейфовый и не зависит от приложенного напряжения.

Емкость p-n перехода

Любая система, в которой при изменении потенциала φ меняется электрический заряд Q, обладает емкостью. Величина емкости С определяется соотношением: .

Для p-n перехода можно выделить два типа зарядов: заряд в области пространственного заряда ионизованных доноров и акцепторов QB и заряд инжектированных носителей в базу из эмиттера Qp. При различных смещениях на p-n переходе при расчете емкости будет доминировать тот или иной заряд. В связи с этим для емкости p-n перехода выделяют барьерную емкость CB и диффузионную емкость CD.

Барьерная емкость CB - это емкость p-n перехода при обратном смещении VG < 0, обусловленная изменением заряда ионизованных доноров в области пространственного заряда.

   (2.64)

Величина заряда ионизованных доноров и акцепторов QB на единицу площади для несимметричного p-n перехода равна:

   (2.65)

Дифференцируя выражение (2.65), получаем:

   (2.66)

Из уравнения (2.66) следует, что барьерная емкость CB представляет собой емкость плоского конденсатора, расстояние между обкладками которого равно ширине области пространственного заряда W. Поскольку ширина ОПЗ зависит от приложенного напряжения VG, то и барьерная емкость также зависит от приложенного напряжения. Численные оценки величины барьерной емкости показывают, что ее значение составляет десятки или сотни пикофарад.

Диффузионная емкость CD - это емкость p-n перехода при прямом смещении VG > 0, обусловленная изменением заряда Qp инжектированных носителей в базу из эмиттера Qp.

Зависимость барьерной емкости СB от приложенного обратного напряжения VG используется для приборной реализации. Полупроводниковый диод, реализующий эту зависимость, называется варикапом. Максимальное значение емкости варикап имеет при нулевом напряжении VG. При увеличении обратного смещения емкость варикапа уменьшается. Функциональная зависимость емкости варикапа от напряжения определяется профилем легирования базы варикапа. В случае однородного легирования емкость обратно пропорциональна корню из приложенного напряжения VG. Задавая профиль легирования в базе варикапа ND(x), можно получить различные зависимости емкости варикапа от напряжения C(VG) - линейно убывающие, экспоненциально убывающие.

Copyright © 2003-2008  Авторы





BobbyChert пишет...

Только самые лучшие и действенные методы и методы продвижения
https://t.me/seo_promo - Backlinks

18/09/2020 14:58:59

EdwardQuoro пишет...

Приветствую всех! Нашел в интернете ресурс с познавательными роликами. Мне он понравился. Советую
https://juruslugi.xyz/как-списать-долги-без-процедуры-банкр_b293841af.html>КАК ЗАКОННО СПИСАТЬ ДОЛГИ И ОБРЕСТИ СВОБОДУ ОТ КРЕДИТОВ И КОЛЛЕКТОРОВ. ПЛЮСЫ И МИНУСЫ БАНКРОТСТВА.


@@-=

23/03/2021 08:31:12

viw пишет...

Интернет-реклама по праву стала одним из основных инструментов продвижения товаров и услуг в любой момент сегодняшний денек выдался солнечный. Во многих странах расходы в любой момент продвижение в Интернете или Интернет-маркетинг превышают расходы всегда наружную рекламу, рекламу в печатных СМИ равным образом рекламу повсечастно телевидение. как и это конечно оправдано, например до какой мере стремительный рост количества пользователей сетью Интернет создает благоприятные условия для развития Интернет-коммерции. Интернет в свой черед электронные артос коммуникаций позволяют несравненно сократить срок на поиск вдобавок обработку информации необходимой для совершения покупки. На сегодняшний день покупателям не стоит ходить по выставкам равным образом магазинам, чтобы найти необходимый товар в свой черед привлекательные условия покупки. Покупателю довольно ввести интересующий концентрирование в поисковой системе, затем наметить несколько компаний, из числа первых в результатах поиска, чтобы сделать анализ предложений также выудить заказ. А продавцам товаров вдобавок услуг, вот и все, чтобы наладить продажи, стоит:
создать веб-сайт симпатический вдобавок удобный для посетителя; правильно подобрать поисковые запросы; оптимизировать страницы веб-сайта; заказать простирание сайта , которое позволит ссылкам перманентно веб-сайт оказаться в первой десятке результатов поиска таких популярных систем, до чего Google или Yandex.
Ведь играючи, на смену выше позиция в поисковой выдаче, тем больше шансов продать товар или услугу. Дополнительные технологии продвижения позволяют сделать позиции сайта в результатах поиска все больше стабильными, а тоже увеличить плотность упоминания о бренде, товаре, услугах.
Создание вдобавок раскрутка сайтов - наша промысел!
Interpult специализируется в любой момент комплексном Интернет-маркетинге, а собственно говоря до гроба комплексном продвижении в Интернете бизнеса наших клиентов. Являясь профессионалами, мы готовы выполнить практически любую задачу по продвижению товаров, услуг, компаний, брендов, проектов, сайтов, Интернет-магазинов в Интернете. Мы являемся проводниками комплексного подхода в Интернет-продвижении также до чего показала практика, это единственно верный подход, который позволяет достигнуть максимальной эффективности.
Наши комплексные решения индивидуальны вдобавок направлены на достижение максимального результата.
Наша миссия: способствовать продвижению товаров как и услуг наших клиентов в угоду счет использования эффективных Интернет-технологий, а также внедрения инновационных подходов для создания возможностей укрепления как и повышения своих рыночных позиций.

Interpult Studio

https://baoly.ru/20 Только создали сайт? Позаботьтесь о продвижении

http://premier-dom.ru/design_blog/?id=75>Оказание услуги по размещению статей на сайтах web 2.0 быстро в городе Белово b1ee3a5


@rr

08/03/2022 11:34:58

Oliveraji пишет...

Отлично пост! Мы будем ссылаемся на особенно на эту замечательную контент на нашем веб-сайте. Продолжайте писать великолепно.
Предлагаю также ознакомиться с моей страничкой о продвижении сайтов
в интернете и привлечению посетителей https://baoly.ru/bbmk

14/04/2023 18:05:40

FrankNal пишет...

Стилист, дизайнер и байер Евгений Моросников, который одевает российских селебрити, создал собственную линию одежды by Morosnikov. Ее уникальность, по словам мастера, заключается в универсальности: эта одежда идеально впишется в гардероб практически любого человека.
Евгений Моросников: Новая линия одежды получилась концептуальной. Я создал ее для свободных по стилю людей, предпочитающих оверсайз. Цветовая гамма классическая, в которой преобладают черный и белые тона.  Еще и благодаря этому новинки можно сочетать с любыми деталями гардероба. Конечно же, мы использовали только качественные натуральные ткани, максимально комфортные и износостойкие. Одним из первых примеривших на себя новинки стал резидент Comedy Club Алексей Новацкий. 
К слову, Евгений Моросников уже более 9 лет вращается в фэшн индустрии. Среди его клиентов сплошь звезды: Ольга Бузова, Виктория Боня, Айза Долматова,Ирина Дубцова, футболисты Сборной России , Мия Бойко, Jony , Эльман Raava, Дима Масленников, Роман Каграманов, Олег Майами, Тим Сорокин (XO team), Егор Шип, Саша Новиков, МС Дони , Миша Марвин, Серго Артемка, Тамара Музыка, Арам Арчер (директор Ольги Бузовой), Александр Зарубин Саша Стоун. свой первый шоу рум в центре Москвы Евгений открыл в 21 год, а в 29 лет создал свою первую концептуальную коллекцию, которая была продана за рекордные 9 дней. Дизайнер уверен, что и новую линию одежды ждет такой же ошеломительный успех.
https://24smi.org/amp/news/201378-prodavets-palenykh-brendov-raskryl-rossiiskikh-zve.html - Байер Евгений Моросников

15/05/2023 10:08:57



Ваш комментарий к статье
Барьеры Шоттки и pn-переходы - Вольт-амперная характеристика р-n перехода :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>