Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Твердотельная электроника. Учебное пособие.

8.4. Зарядовые неустойчивости в приборах с отрицательным дифференциальным сопротивлением

   Рассмотрим однородно легированный электронный полупроводник с омическими контактами, к которому приложена разность потенциалов. Создаваемое в нем электрическое поле будет E = EП. Пусть вследствие тепловой флуктуации группа электронов сместилась в сторону катода относительно неподвижных ионизованных доноров.

   Возникшая избыточная концентрация электронов должна изменяться во времени в соответствии с соотношением:

,
представляющим собой закон релаксации основных носителей заряда в полупроводнике.

   Если бы в возникшем дипольном домене напряжённость электрического поля была меньше EП, то время релаксации Максвелла было бы равно:

.

Рис. 8.6. Распределение объемного заряда и напряженности поля в образце при формировании домена сильного поля

   На самом деле в области возникшего объемного заряда напряженность поля увеличится и станет больше EП. Следовательно, в выражении для τM положительную удельную проводимость нужно заменить на удельную отрицательную дифференциальную проводимость σ- = en0μ-, где μ- – отрицательная дифференциальная подвижность, соответствующая участку вольт-амперной характеристики с отрицательной дифференциальной проводимостью. Таким образом,

.
Из формул для Δn(t) и τM следует, что в образце с отрицательной дифференциальной проводимостью первоначальная тепловая флуктуация концентрации электронов должна не убывать с ростом t, а увеличиваться, т.к. μ- < 0.

   Этот факт объясняется следующими обстоятельствами. В области дипольного объемного заряда напряженность электрического поля возрастет и станет больше порогового значения, а в остальной части образца E слегка уменьшится и станет меньше EП, т.к. напряжение, подаваемое на образец, поддерживается постоянным. В результате этого дрейфовая скорость электронов и плотность тока в области существования объемного заряда уменьшатся, а в остальной части образца изменятся незначительно. Это приведет к дальнейшему увеличению концентрации электронов в левой части объемного заряда (за счет их подтока от катода) и концентрации нескомпенсированных доноров в правой части за счет ухода быстрых электронов от правой границы к аноду. Этот процесс прекратится, и дипольный слой достигнет стабильной конфигурации, когда плотность тока внутри и вне его станет одинаковой и будет соответствовать точкам вольт-амперной характеристики, лежащим вне участка отрицательной дифференциальной проводимости (например, точки EВ и EД) (рис. 8.7).

Рис. 8.7. ВАХ диода Ганна [5, 32]

   Спад силы тока в цепи при формировании домена сильного поля обусловлен резким уменьшением подвижности электронов в нем и, следовательно, увеличением сопротивления образца. Наиболее стабильное состояние домена соответствует минимальной мощности, потребляемой образцом от источника питания, т.е. когда плотность тока в образце имеет наименьшее возможное значение – Jmin. Тогда максимальная напряженность поля внутри домена сильного поля будет равняться EД, а вне его – EВ. Ширину или толщину домена (dД.М.) можно оценить, исходя из того, что падение напряжения на образце до и после образования домена одно и то же, т.е.

,
где исходная напряженность поля EИ=EП, W – длина образца.
.

   Распределение напряженности электрического поля в домене зависит от концентрации электронов в данном образце. При больших n0 максимум E располагается в центре домена и зависимость E от x имеет симметричный вид. Если n0 мало, то кривая E=f(x) принимает форму, близкую к прямоугольному треугольнику.

   В процессе формирования и после его окончания дипольный домен дрейфует от катода к аноду. Если предположить, что домен возникает у катода за счет неоднородности в распределении примеси, то за время пролета

,
где – средняя скорость дрейфа домена, домен достигнет анода и исчезнет. После этого в образце восстановится однородное распределение поля и первоначальное (до формирования домена) значение тока. Затем за счет тепловой флуктуации у катода начнет формироваться следующий домен и т.д. Периодически повторяющиеся процессы формирования домена у катода и рассасывания его у анода приведут к соответствующему изменению сопротивления образца и силы тока.

   Для того, чтобы первоначальная тепловая флуктуация концентрации электронов заметно возросла, необходим интервал времени, превосходящий τM. Следовательно, периодическое изменение силы тока через образец будет возникать лишь в том случае, когда tпр > τM или

.
Это неравенство называют критерием Кремера.

   Для арсенида галлия и фосфида индия см-2.

   Режим работы диода Ганна на эффекте междолинного перехода электронов, при котором выполняется неравенство

n0W>1012 см-2,
называется пролетным режимом. Для его реализации необходимо включить диод в параллельную резонансную цепь, например, в СВЧ-генератор с высокой добротностью, настроенный на пролетную частоту (). В пролетном режиме на кривой зависимости тока от времени будут наблюдаться резкие всплески, если длина образца значительно превышает ширину домена. Для получения формы колебаний тока, близкой к синусоидальной, необходимо уменьшать длину образца или увеличивать ширину домена (рис. 8.8). Ширину домена можно увеличить, уменьшая концентрацию электронов (n0) в образце.
Рис. 8.8. Зависимость тока от времени при работе диода Ганна в пролетном режиме

   При работе диода в резонаторе к нему кроме постоянного внешнего смещения оказывается приложенным также СВЧ-поле, возникающее в резонаторе за счет колебаний тока, протекающего через диод. Предположим, что СВЧ-поле меняется во времени по гармоническому закону, а резонатор настроен на частоту выше пролетной (). Тогда при достаточно большой амплитуде СВЧ-поля дипольный домен в образце может рассосаться, не доходя до анода. Для этого необходимо, чтобы в полупериод, когда векторы напряженности постоянного и СВЧ-поля противоположны, суммарная напряженность поля была бы меньше EП, а длительность полупериода была бы больше τM, соответствующего положительной подвижности. С точностью до численного коэффициента последнее условие можно записать так: , или .

   Для GaAs и InP с/см3. Полученное неравенство является условием реализации режима работы диода с подавлением домена. В этом режиме в каждый "положительный" полупериод СВЧ-поля в диоде E>EП и у катода зарождается домен, а в каждый "отрицательный" полупериод он рассасывается на пути к аноду. Таким образом, генерация переменного тока в этом случае происходит на частоте, определяемой параметрами резонансной цепи.

   Если обеспечить одновременное выполнение двух неравенств

,
то диод Ганна будет работать в режиме ограниченного накопления объемного заряда (ОНОЗ). Для GaAs и InP с/см3. Поскольку в полученном неравенстве период СВЧ-сигнала меньше τM, соответствующего отрицательной дифференциальной подвижности, то в полупериод, когда E > EП, домен сильного поля не успевает полностью сформироваться, а в следующий полупериод E < EП) он полностью рассасывается. При этом будет наблюдаться возрастание сопротивления образца в один полупериод СВЧ-сигнала и спад его в другой, что вызывает эффективную генерацию мощности на частоте, определяемой параметрами внешней цепи.
Рис. 8.9. Пояснение принципа действия генератора с ограничением накопления объемного заряда

Copyright © 2003-2008  Авторы







Ваш комментарий к статье
Диоды Ганна - Зарядовые неустойчивости в приборах с отрицательным дифференциальным сопротивлением :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>