Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Твердотельная электроника. Учебное пособие.

6.10. Уравнение электронейтральности в неравновесных условиях

Как уже отмечалось в разделе 6, для получения в явном виде вольт-амперной характеристики транзистора необходимо найти связь между поверхностным потенциалом ψs и квазиуровнем Ферми φc. Рассмотрим для этого уравнение электронейтральности:

   (6.59)

Заряд в ОПЗ состоит из заряда свободных электронов Qn в канале и заряда ионизованных акцепторов QВ, как показано в (6.54). Разложим заряд QВ по степеням ψs вблизи порогового значения поверхностного потенциала ψs = 2φ0.

Имеем:

   (6.60)
   (6.61)

Величина CB* - емкость обедненной области при пороговом значении поверхностного потенциала ψs, 2φ0.

С учетом (6.60) и (6.61) соотношение (6.59) примет вид:

   (6.62)

Назовем пороговым напряжением VТ напряжение на затворе МДП-транзистора VGS в равновесных условиях (φc = 0), соответствующее пороговому потенциалу ψs = 2φ0:

   (6.63)

Из (6.62) и (6.63) следует, что

   (6.64)

С учетом значений для порогового напряжения соотношения (6.64) уравнение электронейтральности примет вид:

   (6.65)

где n и Δψs будут равны:

Множитель n - число, характеризующее отношение емкости поверхностных состояний Css = qNss и емкости обедненной области СВ к емкости подзатворного диэлектрика Сox. Значения n могут лежать для реальных МДП-структур в диапазоне 1÷5. Величина Δψs характеризует отклонение в данной точке поверхностного потенциала от порогового значения. Слагаемое (CB/Cox)(kT/q) в уравнении (6.65) соответствует заряду свободных электронов Qn при пороговом значении поверхностного потенциала и обычно мало по сравнению с остальными слагаемыми, входящими в правую часть уравнения (6.65).

Для области слабой инверсии заряд свободных электронов мал и последним слагаемым в (6.65) можно пренебречь. Поскольку напряжение на затворе VGS и пороговое напряжение VТ - постоянные величины, то из (6.65) следует, что для области слабой инверсии в каждой точке инверсионного канала величина

должна оставаться постоянной. Постоянную величину найдем из условия, что вблизи истока φc = 0 и, следовательно,

   (6.66)

Отсюда следует, что в предпороговой области зависимость поверхностного потенциала ψs от квазиуровня Ферми φc будет определяться следующим выражением:

   (6.67)

здесь ψs0 - значение поверхностного потенциала в точке канала, где φc = 0.

Величина m равна:

   (6.68)

Таким образом, в МДП-транзисторе в области слабой инверсии при отсутствии захвата на поверхностные состояния (Nss = 0; m = n) поверхностный потенциал ψs не зависит от квазиуровня Ферми φc и, следовательно, постоянен вдоль инверсионного канала. Этот важный вывод обуславливает целый ряд особенностей в характеристиках МДП-транзистора в области слабой инверсии.

Для области сильной инверсии при β(ψs - 2φ0 - φc) > 7 в уравнении (6.65) в правой части доминирует слагаемое, связанное со свободными носителями заряда QW. Поэтому необходимо, чтобы вдоль канала в каждой точке величина заряда электронов Qn оставалась постоянной. Поскольку в этой области для Qn справедливо выражение (6.58), получаем:

Следовательно, в области сильной инверсии

На рисунке 6.10 в качестве примера приведен расчет функциональной связи между ψs и φc по уравнению (6.65), выполненный численным методом. Параметры для расчета указаны в подписи к рисунку.

Рис. 6.10. Зависимость поверхностного потенциала ψs от величины квазиуровня Ферми φc в канале МОП ПТ при различных напряжениях затвора VG, B.
VT = 0,95 В; Nss = 1012 см-2эВ-1; NA = 1016 см-3; dox = 50 A.
Пунктирная линия соответствует условию: ψs = 2φ0

Зная связь между поверхностным потенциалом ψs и величиной квазиуровня Ферми φc, можно получить соотношение между дрейфовой и диффузионной составляющими тока в произвольной точке канала. Действительно, из (6.46), (6.47) и (6.67) следует, что для области слабой инверсии

   (6.70)

В области слабой инверсии при отсутствии захвата (Nss = 0, m = n) весь ток канала диффузионный. При наличии захвата на поверхностные состояния появляется дрейфовая составляющая. Физически она обусловлена появлением продольного электрического поля за счет различия в заполнении поверхностных состояний вдоль канала. При заполнении поверхностных состояний основными носителями тока инверсионного канала дрейфовый и диффузионный ток имеют одно и то же направление. При условии постоянства плотности поверхностных состояний Nsss) в запрещенной зоне полупроводника соотношение между диффузионной и дрейфовой составляющей в области слабой инверсии сохраняется.

Для области сильной инверсии из (6.46), (6.47) и (6.69) следует, что диффузионный ток равен нулю и весь ток канала дрейфовый:

   (6.71)

В области перехода от слабой к сильной инверсии доля дрейфовой составляющей в полном токе канала возрастает от значения, определяемого соотношением (6.70), до единицы.

Copyright © 2003-2008  Авторы







Ваш комментарий к статье
Полевые транзисторы - Уравнение электронейтральности в неравновесных условиях :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>