Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Твердотельная электроника. Учебное пособие.

3.5. Поверхностные состояния

3.5.1. Основные определения

Одной из принципиальных особенностей, характеризующих поверхность полупроводников или границу раздела полупроводника с каким-либо веществом, является изменение энергетического спектра для электронов на поверхности по сравнению с объемом полупроводника. Это различие объясняется наличием на поверхности полупроводников поверхностных состояний (ПС).

Под поверностными состояниями будем понимать электронные состояния, пространственно локализованные на границе раздела полупроводника с какой-либо средой (диэлектрик, металл, газ, электролит, вакуум), имеющие энергетическое положение в запрещенной зоне полупроводника и изменяющие свое зарядовое состояние в зависимости от положения уровня Ферми на поверхности полупроводника.

По зарядовому состоянию ПС, так же как и объемные состояния в запрещенной зоне полупроводника, бывают двух типов - донорные и акцепторные. Состояния донорного типа положительно заряжены, если расположены выше уровня Ферми, и нейтральны, если расположены ниже уровня Ферми. Состояния акцепторного типа нейтральны, если расположены выше уровня Ферми, и отрицательно заряжены, если расположены ниже уровня Ферми. Многочисленные эксперименты показали, что обычно на поверхности полупроводников в верхней половине запрещенной зоны расположены ПС акцепторного типа, а в нижней половине - ПС донорного типа. На рисунке 3.9 в качестве примера приведены зонные диаграммы полупроводника при различных значениях поверхностного потенциала, иллюстрирующие это заполнение поверхностных состояний.

Рис. 3.9. Зонная диаграмма ОПЗ полупроводника p-типа, показывающая заполнение поверхностных состояний при различных изгибах зон

Из рисунка 3.9 видно, что знак заряда ПС Qss совпадает со знаком заряда основных носителей на поверхности. (Обозначение заряда ПС значком Qss происходит от слов "surface states - поверхностные состояния"). Из этого факта следует, что, по-видимому, ПС амфотерны по своей природе и могут захватывать как электроны, так и дырки. Преобладание носителей определенного типа на поверхности в ОПЗ обуславливает их преимущественный захват на ПС и определяет соответствующий знак заряда ПС.

В зависимости от энергетического положения уровней поверхностных состояний в запрещенной зоне полупроводника различают моноэнергетические ПС, имеющие дискретный уровень, и ПС, квазинепрерывно распределенные по энергии в запрещенной зоне по определенному закону, образующие континиум ПС.

3.5.2. Природа поверхностных состояний

По физической природе поверхностные состояния разделяются на четыре основных типа [13]:

1) поверхностные состояния типа Тамма;
2) поверхностные состояния типа Шокли;
3) поверхностные состояния, обусловленные дефектами кристаллической решетки на поверхности;
4) поверхностные состояния, обусловленные примесью на поверхности полупроводника.

Таммовские поверхностные состояния обусловлены обрывом периодической решетки кристалла. Рассматривая модель Кронига - Пенни, с учетом обрыва хода потенциала на поверхности, Тамм получил, что решение уравнения Шредингера дает в этом случае для спектра энергии дискретные значения, при выполнении определенных условий лежащие в запрещенной зоне полупроводника. Волновая функция, описывающая состояние электрона на этих уровнях, оказывается локализованной вблизи поверхности полупроводника. Концентрация таммовских ПС равна поверхностной концентрации атомов в кристалле, т.е. величине порядка 1015 см-2. При такой высокой концентрации состояний в поверхностной зоне, если эта зона заполнена частично, возможно появление металлической проводимости вдоль поверхности кристалла.

Шокли, рассчитывая энергетический спектр цепочки атомов конечных размеров, показал, что наличие границ приводит к отщеплению от разрешенных зон по одному объемному состоянию и возникновению состояний в запрещенной зоне, локализованных вблизи границы. Концентрация шоклиевских состояний, так же как и таммовских, по порядку равна концентрации поверхностных атомов. Шоклиевские ПС можно трактовать как ненасыщенные химические связи атомов, находящихся на поверхности.

Поверхностные состояния за счет дефектов кристаллической решетки на поверхности (вакансии, междоузлия, дислокации) имеют аналогичную с локальными уровнями природу за счет этих же дефектов в объеме.

Локализованные состояния на поверхности могут быть обусловлены также примесью в кристаллической решетке вблизи поверхности, абсорбцией атомов и молекул на поверхности полупроводника.

3.5.3. Статистика заполнения ПС

Рассмотрим, как меняется заряд ПС при изменении величины поверхностного потенциала ψs. Функцию заполнения ПС возьмем в виде функции Ферми - Дирака. Величина энергии Ферми на поверхности полупроводника Fs будет равна:

   (3.67)

Расстояние от уровня Ферми на поверхности Fs до энергетического уровня ПС Et, входящее в функцию Ферми - Дирака, равняется:

   (3.68)

где Et - энергия ПС, отсчитанная от середины запрещенной зоны. Для ПС в верхней половине запрещенной зоны Et > 0, в нижней Et < 0.

Функция заполнения для ПС будет иметь вид:

   (3.69)

Для моноэнергетических акцепторных ПС заряд Qss отрицателен и равен по величине:

   (3.70)

где Nss - плотность моноэнергетических состояний, т.е. их число на единицу площади. Если уровень Ферми на поверхности Fs выше уровня ПС на (2÷3)kT/q, то согласно (3.69) f = 1 и Qss = -qNss. Если уровень Ферми Fs совпадает с уровнем ПС, то f = 1/2 и Qss = -(1/2)qNss. И наконец, если уровень Ферми ниже уровня ПС на (2÷3)kT/q, то f = 0 и Qss = 0.

Для моноэнергетических донорных ПС можно с учетом определения, сделанного в разделе 3.1, и свойств функции заполнения записать аналогичное (3.70) выражение.

При квазинепрерывном энергетическом распределении ПС основной величиной, характеризующей ПС, является энергетическая плотность ПС Nss(E), имеющая размерность [см-2·эВ-1].

По смыслу величина Nss(E) есть плотность состояний на единичный энергетический интервал dE = 1 вблизи значения энергии E, а величина Nss(E)dE дает число состояний на единицу площади в энергетическом интервале (E; E+dE). Если величина Nss(E) не зависит от энергии, т.е. плотность ПС постоянна по ширине запрещенной зоны полупроводника, для заряда ПС Qss имеем с точностью до размытия функции распределения:

   (3.71)

Из соотношения (3.71) следует, как это видно из рисунка 3.9, что при ψs < φ0 заряд ПС Qss положителен, при ψs = φ0 заряд Qss равен нулю и при ψs > φ0 заряд Qss отрицателен.

Поскольку, как следует из соотношений (3.70) и (3.71), заряд ПС не зависит от поверхностного потенциала ψs и изменяется при изменении последнего, ПС должны обладать определенной емкостью Css, называемой емкостью поверхностных состояний.

Для моноэнергетических ПС:

   (3.72)

Исследование соотношения (3.72) показывает, что зависимость Csss) имеет вид колоколообразной кривой с шириной на полувысоте, равной 4(kT/q) и имеющей максимум при пересечении уровнем Ферми на поверхности энергетического уровня ПС, что соответствует условию ψs = φ0 + Et/q. В области максимума величина f = 1/2, поэтому максимальное значение емкости ПС

   (3.73)

При квазинепрерывном спектре ПС величина емкости Css ПС, согласно (3.71), равна

   (3.74)

При экспериментальных измерениях емкость ПС C

ss

подключается параллельно емкости ОПЗ Csc. Минимального значения емкость ОПЗ Csc достигает в области слабой инверсии при ψs ≈ 2φ0. Для кремния при концентрации акцепторов NA = 1,5·1015 см-3 и комнатной температуре, как следует из соотношения (3.57), величина емкости ОПЗ Csc = 1,6·10-8 Ф/см2. Энергетическая плотность ПС Nss, обеспечивающих емкость ПС Css, равную емкости ОПЗ Csc, будет, согласно (3.74), Nss = 1011 см-2эВ-1. Таким образом, если плотность ПС на границе раздела полупроводника со средой существенно меньше приведенной цифры, то следует ожидать, что в емкостных измерениях ПС не проявляются.

Copyright © 2003-2008  Авторы







Ваш комментарий к статье
Физика поверхности и МДП-структуры - Поверхностные состояния :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>