Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Новости электроники

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Твердотельная электроника. Учебное пособие.

5.3. Формулы Молла - Эберса

Формулы Молла - Эберса являются универсальными соотношениями, которые описывают характеристики биполярных транзисторов во всех режимах работы [28, 5, 19].

Для такого рассмотрения представим БТ в виде эквивалентной схемы, приведенной на рисунке 5.8.

Рис. 5.8. Эквивалентная схема биполярных транзисторов во всех режимах работы

При нормальном включении через эмиттерный p-n переход течет ток I1, через коллекторный переход течет ток αNI1 - меньший, чем I1, вследствие рекомбинации части инжектированных носителей в базе. На рисунке 5.8 этот процесс изображен как генератор тока αNI1, где αN - коэффициент передачи эмиттерного тока. При инверсном включении транзистора прямому коллекторному току I2 будет соответствовать эмиттерный ток αII2, где αI - коэффициент инверсии. Таким образом, токи эмиттера Jэ и коллектора Jк в общем случае состоят из инжектируемого (I1 или I2) и экстрагируемого (αNI1 или αII2) токов:

   (5.1)

Величины токов I1 и I2 выражаются для p-n переходов стандартным способом.

   (5.2)

где I'э0 и I'к0 - тепловые (обратные) токи p-n переходов. Отметим, что эти токи I'э0 и I'к0 отличаются от обратных токов эмиттера Iэ0 и коллектора биполярного транзистора.

Оборвем цепь эмиттера (Jэ = 0) и подадим на коллекторный переход большое запирающее напряжение Uк. Ток, протекающий в цепи коллектора при этих условиях, будем называть тепловой ток коллектора Iк0. Поскольку Iэ = 0; из (5.1) следует, что I1 = II2, а из (5.2) — I2 = -I'к, поскольку U >> kT/q.

Полагая Iк = Iк0, получаем в этом случае

,
   (5.3)

Обозначим ток эмиттера при большом отрицательном смещении и разомкнутой цепи коллектора через Iэ0 - тепловой ток эмиттера:

   (5.4)

Величины теплового эмиттерного и коллекторного тока значительно меньше, чем соответствующие тепловые токи диодов.

Подставляя (5.2) в (5.1), получаем

   (5.5)

где Jб - ток базы, равный разности токов эмиттера Iэ и коллектора Iк.

Формулы (4.5) получили название формул Молла - Эберса и полезны для анализа статических характеристик биполярного транзистора при любых сочетаниях знаков токов и напряжений.

При измерении теплового тока коллектора Iк0 дырки как неосновные носители уходят из базы в коллектор Jк = Jб (Jэ = 0). При этом поток дырок из базы в эмиттер не уравновешен, и их перехо-дит из эмиттера в базу больше, чем в равновесных условиях. Это вызовет накопление избыточного положительного заряда в базе и увеличение потенциального барьера на переходе Э-Б, что, в конце концов, скомпенсирует дырочные токи.

Таким образом, необходимо отметить, что при измерении теплового тока коллектора эмиттер будет заряжаться отрицательно по отношению к базе.

Copyright © 2003-2008  Авторы







Ваш комментарий к статье
Биполярные транзисторы - Формулы Молла - Эберса :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>