Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Новости электроники

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Твердотельная электроника. Учебное пособие.

2.11. Компоненты тока и квазиуровни Ферми в р-n переходе

Рассмотрим токи в электронно-дырочном переходе в равновесном (рис. 2.11) и неравновесном (при наличии внешнего напряжения, рис. 2.12) состоянии.

Рис. 2.11. Зонная диаграмма p-n перехода, иллюстрирующая баланс токов в равновесном состоянии

В равновесном состоянии в p-n переходе существуют четыре компоненты тока - две диффузионные и две дрейфовые. Диффузионные компоненты тока обусловлены основными носителями, дрейфовые - неосновными. В условиях термодинамического равновесия (VG = 0) суммарный ток в p-n переходе равен нулю, при этом диффузионные и дрейфовые компоненты попарно уравновешивают друг друга:

При неравновесном состоянии если приложено прямое внешнее напряжение, то доминируют диффузионные компоненты, если приложено обратное напряжение, то доминируют дрейфовые компоненты.

Рис. 2.12. Зонная диаграмма p-n перехода, иллюстрирующая дисбаланс токов в неравновесном состоянии:
а) прямое смещение; б) обратное смещение

В неравновесных условиях область пространственного заряда p-n перехода описывается двумя квазиуровнями Ферми - отдельно квазиуровнем Ферми для электронов Fn и отдельно для дырок Fp. При приложении внешнего напряжения расщепление квазиуровней Ферми Fn и Fp равно приложенному напряжению VG [4, 3]. Пространственно область расщепления квазиуровней находится на расстоянии порядка диффузионной длины от металлургического p-n перехода (рис. 2.13).

Рис. 2.13. Зонная диаграмма, иллюстрирующая расщепление квазиуровней Ферми Fn и Fp при приложении внешнего напряжения VG > 0

Распределение концентрации неравновесных носителей в ОПЗ p-n перехода и в квазинейтральном объеме будет отличаться от равновесного. На границе области пространственного заряда, где Fp - Fn = qVG, выражение для концентрации nn, pn будет:

В условиях низкого уровня инжекции концентрация основных носителей не меняется. Поэтому

   (2.56)

На рисунке 2.14 показано распределение основных и неосновных носителей в p-n переходе в неравновесных условиях при прямом и обратном смещении.

Закон изменения неосновных неравновесных носителей, инжектированных в квазинейтральный объем, будет обсуждаться в следующем разделе. Здесь же обращаем внимание на то, что на границе с квазинейтральным объемом полупроводника концентрация неосновных носителей меняется в соответствии с уравнением (2.56), т.е. увеличивается при прямом смещении и уменьшается при обратном смещении.

Рис. 2.14. Распределение основных и неосновных носителей в p-n переходе в равновесном (сплошная линия) и неравновесном (пунктирная линия) состояниях
а) прямое смещение (VG = +0,25 В);
б) обратное смещение (VG = -0,25 В)

Copyright © 2003-2008  Авторы





EdwardQuoro пишет...

Приветствую всех! Нашел в интернете один сайт с полезными роликами. Прикольно. Захотел поделиться
https://seoworking.ru/25-лучших-игр-2019-года_88ec33212.html>БИТКОИН без вложений ? заработок в интернете ? как заработать в интернете 2021


@@-=

21/03/2021 03:33:25



Ваш комментарий к статье
Барьеры Шоттки и pn-переходы - Компоненты тока и квазиуровни Ферми в р-n переходе :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>