Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Новости электроники

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Твердотельная электроника. Учебное пособие.

6.8. Учет диффузионного тока в канале

Запишем выражение для плотности тока в канале МДП-транзистора с учетом дрейфовой и диффузионной составляющих тока. Имеем:

   (6.39)

Величина тангенциальной составляющей электрического поля Еy, согласно определению, равна:

   (6.40)

Градиент концентрации электронов ∇n(x, y) вдоль инверсионного канала обусловлен наличием разности потенциалов между областями истока и стока и, как следует из соотношения (6.37), определяется градиентом квазиуровня Ферми φc. Из (6.37) имеем:

   (6.41)

Воспользуемся соотношением Эйнштейна, связывающим подвижность электронов μn и коэффициент диффузии Dn.

Подставим соотношения (6.40 - 6.41) в выражение для плотности тока (6.39). Получаем:

   (6.42)

Проведя интегрирование по глубине z и ширине х инверсионного канала транзистора аналогично рассмотренному в главе 6, приходим к выражению для тока канала IDS в виде:

   (6.43)

Как следует из соотношения (6.43), полный ток канала IDS обусловлен градиентом квазиуровня Ферми вдоль инверсионного канала. Дрейфовая составляющая тока Iдр будет равна:

   (6.44)

Диффузионная составляющая тока Iдиф будет равна:

   (6.45)

Если теперь из (6.43 - 6.45) выразим доли дрейфовой и диффузионной составляющих тока в полном токе канала МДП-транзистора, то получим соответственно:

   (6.46)
   (6.47)

Таким образом, чтобы получить выражение для вольт-амперной характеристики МДП-транзистора с учетом дрейфовой и диффузионной составляющих, необходимо:

а) найти для соотношения (6.43) зависимость заряда неравновесных электронов Qn как функцию поверхностного потенциала ψs и квазиуровня Ферми φc, т.е. Qns, φc);
б) найти связь между поверхностным потенциалом и квазиуровнем Ферми ψs = ψsc);
в) найти зависимость поверхностного потенциала ψs от напряжений на затворе VGS и стоке VDS.

Copyright © 2003-2008  Авторы





EdwardQuoro пишет...

Здравствуйте! Нашел в интернете сайт с интересными видеороликами
Мне он понравился. Хочу поделиться
https://misternews.ru - Как стать миллионером. Секреты успеха богатых и успешных людей...

12/03/2021 01:08:51



Ваш комментарий к статье
Полевые транзисторы - Учет диффузионного тока в канале :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>