Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Твердотельная электроника. Учебное пособие.

Основные обозначения

Основные обозначения

 

А - постоянная Ричардсона

С - электрическая емкость

CB - барьерная емкость p-n перехода

CD - диффузионная емкость p-n перехода

CFB - емкость плоских зон

Cp - емкость свободных дырок

Csc - емкость области пространственного заряда

Dn (p) - коэффициент диффузии электронов (дырок)

dox - толщина подзатворного диэлектрика МДП-структуры

EC - энергия дна зоны проводимости

ED (A) - энергия донорных (акцепторных) уровней

Eg - ширина запрещенной зоны полупроводника

Ei - энергия середины запрещенной зоны

Es - величина электрического поля на поверхности

Et - энергия поверхностных состояний, отсчитанная от середины запрещенной зоны

EV - энергия потолка валентной зоны

F - энергия уровня Ферми

Fn (p) - квазиуровень Ферми для электронов (дырок)

Fs - величина энергии Ферми на поверхности полупроводника

fc (v) - неравновесная функция распределения для электронов в зоне проводимости (в валентной зоне)

Gn (p) - темп генерации свободных электронов (дырок) в полупроводнике

DG - темп генерации неравновесных электронов и дырок в полупроводнике

H - оператор Гамильтона

h - постоянная Планка

_ - постоянная Планка, деленная на 2π

I - сила тока

Iсм - величина тока смещения

J - плотность электрического тока

Jp(n) - дырочная (электронная) компонента тока

Js - плотность тока насыщения диода

Jген - генерационный ток

Jрек - рекомбинационный ток

jnE - дрейфовая компонента электронного тока

jnD - диффузионная компонента электронного тока

jpE - дрейфовая компонента дырочного тока

jpD - диффузионная компонента дырочного тока

jп/п (Me) - плотность тока термоэлектронной эмиссии с поверхности полупроводника (металла)

LD - длина экранирования Дебая

Lp - диффузионная длина

m0 - масса изолированного электрона

mn (p)* - эффективная масса электрона (дырки)

NC (V) - эффективная плотность состояний в зоне проводимости (в валентной зоне)

ND (A) - концентрация легирующей донорной (акцепторной) примеси

NM - плотность зарядов на металлической плоскости единичной площади

Nss - плотность моноэнергетических состояний

Nt - концентрация рекомбинационных центров; плотность поверхностных состояний

nn - неравновесная концентрация электронов как основных носителей в полупроводнике n-типа

nn0 - равновесная концентрация электронов как основных носителей в полупроводнике n-типа

np - неравновесная концентрация электронов как неосновных носителей в полупроводнике p-типа

np0 - равновесная концентрация электронов как неосновных носителей в полупроводнике p-типа

Dn - избыточная концентрация электронов

ni - собственная концентрация носителей заряда

ns - поверхностная концентрация электронов

pn - неравновесная концентрация дырок

pn0 - равновесная концентрация дырок

ps - поверхностная концентрация дырок

Q - электрический заряд на единицу площади

QB - заряд ионизованных доноров и акцепторов в ОПЗ на единицу площади

QM - заряд на металлическом электроде

Qn - заряд свободных электронов

Qsс - заряд в области пространственного заряда

Qss - заряд поверхностных состояний

R - темп рекомбинации

Rн - сопротивление нагрузки

RD - дифференциальное сопротивление диода по постоянному току

rD - дифференциальное характеристическое сопротивление диода

S - площадь

Т - абсолютная температура

Te - электронная температура

t - время

U - потенциальная энергия электронов; разность потенциалов

Uк - контактная разность потенциалов

V - объем кристалла

VG - напряжение, приложенное к затвору полевого транзистора

VFB - напряжение на затворе МДП-структуры, соответствующее нулевому значению поверхностного потенциала в полупроводнике

Vox - напряжение, приложенное к оксиду

VT - пороговое напряжение на затворе

W - толщина квазинейтрального объема базы диода или транзистора

υ - скорость

x, y, z - пространственные координаты

 

b = q/kT

Γn (p) - избыток электронов (дырок)

g - коэффициент рекомбинации

ε - относительная диэлектрическая проницаемость

e0 - электрическая постоянная

es - относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника

κ - коэффициент переноса

λ - длина свободного пробега; длина волны света

μn (p) - подвижность электронов (дырок)

ν - частота света

r - удельное сопротивление

σ - удельная электрическая проводимость

σn(p) - электронная (дырочная) компонента проводимости

t - время жизни неравновесных носителей

tм - время релаксации Максвелла

τn - время жизни неосновных носителей в области пространственного заряда

υ - скорость

Ф - термодинамическая работа выхода

ФМе - термодинамическая работа выхода из металла

Фn(p) - термодинамическая работа выхода в полупроводниках n(p)-типа

φ - электрический потенциал

φ0 - расстояние от уровня Ферми до середины запрещенной зоны в квазинейтральном объеме полупроводника

Δφms - контактная разность потенциалов

φn(p) - объемное положение уровня Ферми

χ - электронное сродство полупроводника

ψ - волновая функция

ψs - поверхностный потенциал

ω - частота измерительного сигнала

 

 doc-версия     pdf-версия

Copyright © 2003-2008  Авторы







Ваш комментарий к статье
Твердотельная электроника - Основные обозначения :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>