Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Новости электроники

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Твердотельная электроника. Учебное пособие.

2.5. Дебаевская длина экранирования

Количественной характеристикой эффекта поля, характеризующей глубину проникновения поля в полупроводник, является дебаевская длина экранирования. Рассмотрим случай, когда полупроводник внесен во внешнее слабое поле. Критерий слабого поля заключается в том, что возмущение потенциальной энергии невелико по сравнению с тепловой энергией, то есть величина поверхностного потенциала ψs будет меньше kT/q. Воспользуемся для нахождения распределения электростатического потенциала ψs в ОПЗ уравнением Пуассона, при этом будем считать, что ось z направлена перпендикулярно поверхности полупроводника:

   (2.18)

где ρ(z) - плотность заряда в ОПЗ,

εs - относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника.

Заряд в ОПЗ состоит из заряда ионизованных доноров и заряда свободных электронов

   (2.19)

Величина ND+ = n0, а n(z) описывается соотношением (2.16). Поскольку в нашем случае βψs << 1, то

   (2.20)

Тогда плотность объемного заряда

   (2.21)

Подставляя значение ρ(z) из (2.21) в (2.18), получаем:

   (2.22)

Введем характерную величину

   (2.23)

и назовем ее дебаевской длиной экранирования.

Тогда уравнение (2.22) придет к виду:

   (2.24)

Решение дифференциального уравнения (2.24) имеет вид

   (2.25)

Используем граничные условия:
При z → ∞, ψ(z) → 0, получаем C1 = 0,
При z = 0, получаем С2 = ψs

Таким образом, при малом возмущении электростатический потенциал, а следовательно и электрическое поле, спадают по экспоненциальному закону вглубь полупроводника

   (2.26)

Известно, что если произвольная величина f(z) описывается законом

   (2.27)

то среднее значение z, определяющее центроид функции f(z)

   (2.28)

Таким образом, по физическому смыслу дебаевская длина экранирования LD соответствует среднему расстоянию, на которое проникает электрическое поле в полупроводник при малых уровнях возмущения.

Copyright © 2003-2008  Авторы







Ваш комментарий к статье
Барьеры Шоттки и pn-переходы - Дебаевская длина экранирования :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>