Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Твердотельная электроника. Учебное пособие.

2.1. Ток термоэлектронной эмиссии

Рассчитаем ток эмиссии электронов с поверхности полупроводника в условиях термодинамического равновесия. Все свободные электроны в полупроводнике находятся в потенциальной яме. Функция распределения этих электронов по степеням свободы описывается больцмановской статистикой .

Из этого выражения следует, что если энергия электрона E существенно больше, чем энергия Ферми F, то всегда будет определенное число электронов с этой энергией. Следовательно, существует отличная от нуля вероятность f, что в условиях термодинамического равновесия часть электронов в полупроводнике будет обладать энергией E > 0, то есть могут покидать поверхность полупроводника. Ток, обусловленный этими электронами, называется током термоэлектронной эмиссии. Таким образом, ток термоэлектронной эмиссии - это ток, обусловленный горячими равновесными электронами вследствие распределения энергии по степеням свободы [6, 5].

Рассчитаем величину этого тока, исходя из первых принципов квантовой статистики. Выберем элемент объема d в фазовом пространстве квазиимпульсов px, py, pz. Согласно принципу Паули минимальный объем, который может занимать одна частица в фазовом пространстве координат и квазиимпульсов (ΔpxΔx)(ΔpyΔy)(ΔpzΔz) ≥ h3. В случае единичного координатного объема ΔxΔyΔz ≥ h3, это условие трансформируется ΔpxΔpyΔpz ≥ h3. Тогда число состояний dz для электронов в единице объема и фазовом пространстве объемом dτ = dpxdpydpz равно в соответствии с принципом Паули

   (2.1)

Чтобы узнать число электронов dn, нужно число состояний dz умножить на вероятность их заполнения f(E,T)

   (2.2)

Функция распределения электронов по состояниям для электронов и дырок в общем случае функция Ферми-Дирака. Однако поскольку рассматриваются электроны с большой энергией, способные покинуть поверхность полупроводника (E - F >> kT), то функция распределения с высокой степенью вероятности будет больцмановской

   (2.3)

Поток электронов, то есть количество электронов за единицу времени ушедших с поверхности полупроводника в вакуум из фазового объема dτ, равно их числу в элементе объема с площадью S=1 и длиной l=vx.

   (2.4)

Плотность тока j за счет этого будет равна

   (2.5)

Для того, чтобы сосчитать плотность тока в соотношении (2.5), проведем некоторое преобразование. Выразим полную энергию электрона Е (потенциальную и кинетическую) через его скорость v.

   (2.6)

Тогда для плотности тока j получаем

   (2.7)

В соотношении (2.7) первый и второй интегралы выражаются через интеграл Пуассона , следовательно

   (2.8)

Последний интеграл в уравнении (2.7) непосредственно считается. Получаем

   (2.9)

Подставляя (2.8) и (2.9) в (2.7), получим выражение для тока термоэлектронной эмиссии

   (2.10)

Формула (2.10) называется формулой Ричардсона для тока термоэлектронной эмиссии из полупроводника в вакуум.  A - постоянная Ричардсона.

Численное значение постоянной Ричардсона составляет [11, 8].

Поскольку энергия Ферми отрицательна F < 0, то расстояние до уровня Ферми F, отсчитанное от уровня вакуума Е = 0, будет положительным. Обозначим его Ф, и назовем термодинамической работой выхода

   (2.11)

Таким образом, термодинамическая работа выхода - это энергия Ферми с обратным знаком. С учетом сказанного, выражение для тока термоэлектронной эмиссии

   (2.12)

Таким образом, из соотношения (2.12) следует, что ток термоэлектронной эмиссии jt с поверхности полупроводника определяется только термодинамической работой выхода Ф и температурой Т.

Для того, чтобы экспериментально регистрировать ток термоэлектронной эмиссии jt, необходимо обеспечить уход эмитированных электронов от поверхности для того, чтобы вблизи поверхности полупроводника не накапливался объемный заряд.

Оценим значение тока термоэлектронной эмиссии. Выберем характерные величины параметров, учитывая, что ток экспоненциально сильно зависит от температуры Т:

Значение тока рассчитанное по соотношению (2.15) будут следующие

Видно, что изменение температуры в 5 раз вызвало экспоненциально сильно зависящее от температуры Т изменение тока термоэлектронной эмиссии на 36 порядков.

Copyright © 2003-2008  Авторы





DonaldRof пишет...

http://desk-laptop.bigshop.ru
Столик-трансформер для ноутбука!
Удобен, эффективен и безопасен для работы с ноутбуком в любом положении!
Изготовлен из алюминия и является одновременно прочным и легким. Вес столика составляет всего 1,5 кг, что позволит брать столик с собой куда угодно.
Столик имеет небольшие габариты и легко помещается в рюкзак.
Столик для ноутбука модели имеет расчетную нагрузку до 15 кг, что значит, что Вы можете поставить на него ноутбук любой модели.

07/09/2018 11:45:26



Ваш комментарий к статье
Барьеры Шоттки и pn-переходы - Ток термоэлектронной эмиссии :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>