Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Твердотельная электроника. Учебное пособие.

6.2. Характеристики МОП ПТ в области отсечки

Как следует из уравнения (6.9), по мере роста напряжения исток сток VDS в канале может наступить такой момент, когда произойдет смыкание канала, т.е. заряд электронов в канале в некоторой точке станет равным нулю. Это соответствует условию:

   (6.11)

Поскольку максимальная величина напряжения V(y) реализуется на стоке, то смыкание канала, или отсечка, произойдет у стока. Напряжение стока VDS, необходимое для смыкания канала, называется напряжением отсечки VDS*. Величина напряжения отсечки определяется соотношением (6.11). На рисунке 6.4 показаны оба состояния - состояние плавного канала и отсеченного канала. С ростом напряжения стока VDS точка канала, соответствующая условию отсечки (6.11), сдвигается от стока к истоку. В первом приближении при этом на участке плавного канала от истока до точки отсечки падает одинаковое напряжение VDS* = VGS - VT, не зависящее от напряжения исток сток. Эффективная длина плавного канала L' от истока до точки отсечки слабо отличается от истинной длины канала L и обычно ΔL = L - L'. Это обуславливает в области отсечки в первом приближении ток стока IDS, не зависящий от напряжения стока VDS. Подставив значение напряжения отсечки VDS* из (6.11) в (6.10) вместо значения напряжения стока VDS, получаем для области отсечки выражение для тока стока:

   (6.12)

Соотношение (6.12) представляет собой запись вольт-амперной характеристики МДП-транзистора в области отсечки. Зависимости тока стока IDS от напряжения на затворе VGS называются обычно переходными характеристиками (рис. 6.5), а зависимости тока стока IDS от напряжения на стоке VDS - проходными характеристиками транзистора.

При значительных величинах напряжения исток-сток и относительно коротких каналах (L = 10÷20 мкм) в области отсечки наблюдается эффект модуляции длины канала. При этом точка отсечки смещается к истоку и напряжение отсечки VDS* падает на меньшую длину L' канала. Это вызовет увеличение тока IDS канала. Величина напряжения ΔV, падающая на участке ΔL от стока отсечки, будет равна:

   (6.13)
Рис. 6.4. Зависимость тока стока IDS от напряжения на стоке VDS для МОП ПТ при различных напряжениях на затворе. Пороговое напряжение VT = 0,1 В. Сплошная линия - расчет по (6.10) и (6.12), точки - экспериментальные результаты

Поскольку напряжение ΔV падает на обратносмещенном p-n+ переходе, его ширина ΔL будет равна:

   (6.14)

Ток канала равен IDS0, когда напряжение исток-сток VDS = VDS* = VGS - VT равно напряжению отсечки и величина ΔL = 0. Обозначим IDS ток стока при большем напряжении стока: VDS > VDS*.

Тогда

   (6.15)

Следовательно, ВAX МДП-транзистора с учетом модуляции длины канала примет следующий вид:

   (6.16)
Рис. 6.5. Зависимость тока стока IDS от напряжения на затворе VGS в области плавного канала при VDS = 0,1 B - кривая 1; зависимость корня из тока стока IDS1/2 от напряжения на затворе в области отсечки - кривая 2

Эффект модуляции длины канала оказывает большое влияние на проходные характеристики МДП-транзистора с предельно малыми геометрическими размерами.

Copyright © 2003-2008  Авторы







Ваш комментарий к статье
Полевые транзисторы - Характеристики МОП ПТ в области отсечки :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>