Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Твердотельная электроника. Учебное пособие.

Обозначения приборных параметров

Обозначения приборных параметров

 

Ниже приводятся обозначения основных параметров полупроводниковых приборов в соответствии с действующими стандартами, а также наиболее часто используемые в международной документации и других изданиях.

Для обозначения амплитудных значений добавляют индекс m. Например: Iem - амплитудный ток эмиттера.

Для обозначения максимально (минимально) допустимых значений добавляют индексы max, min.

 

Диод выпрямительный

 

C - емкость диода

CБ - барьерная емкость

CD - диффузионная емкость

Cп Cd - емкость перехода диода

Cд Ctot - общая емкость диода

Iэкр Iут ID - ток утечки

Iпр IF - постоянный прямой ток

Iобр IR - постоянный обратный ток

If - прямой ток

Ifsm - прямой ток перегрузки

Ir - постоянный обратный ток

К - коэффициент выпрямления

Pмакс Pmax - максимально допустимая мощность

rдиф Rd r - дифференциальное сопротивление

rD - дифференциальное характеристическое сопротивление диода

RD - дифференциальное сопротивление диода по постоянному току

Uпр UF - постоянное прямое напряжение

Uобр UR - постоянное обратное напряжение

Ur - обратное напряжение

Uf - постоянное прямое напряжение

Uоткр Uост UT - остаточное напряжение

 

Диод импульсный

 

If - прямой ток

Ifm - импульсный прямой ток

Pи.макс Pимп.макс PM макс - максимально допустимая импульсная мощность

Trr - время обратного восстановления

Ur - обратное напряжение

Uf - прямое напряжение

 

Варикап

 

Ctot - общая емкость

Кс - коэффициент перекрытия по емкости

Q - добротность варикапа

Ur - обратное напряжение

 

Тиристор

 

Uвкл - напряжение включения

Uперекл - напряжение переключения

α - суммарный коэффициент передачи тока первого и второго транзисторов

 

Тринистор

 

Iупр - управляющий ток базы

 

Стабилитрон

 

Iст IZ - ток стабилизации

Р - рассеиваемая мощность

Rдиф - дифференциальное сопротивление

rст rZ - дифференциальное сопротивление стабилитрона

Uстаб Uст Uz UZ - напряжение стабилизации

 

Туннельный диод

 

Eпр - напряженность электрического поля пробоя

 

Диод Ганна

 

Eпор - пороговая напряженность электрического поля

P - генерируемая мощность

W - длина образца

 

Транзистор

 

P - мощность, рассеиваемая в приборе

Pвых Pout - выходная мощность

Uвх Uin, UBE - входное напряжение

 

Биполярный транзистор

 

Eк EC - напряжение источника питания коллекторной цепи

h11 - входное сопротивление при коротком замыкании на выходе

h22 - выходная проводимость при холостом ходе во входной цепи

h12 - коэффициент обратной связи при холостом ходе во входной цепи

h21 - коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе

IК Iк IC - ток коллектора

IБ Iб IB - ток базы

IЭ Iэ IE - ток эмиттера

IКБ0 Iк0 ICB0 - обратный ток коллектора

IЭБ0 Iэ0 IEB0 - обратный ток эмиттера

 - ширина обедненной области биполярного транзистора

Rб RB - сопротивление в цепи базы

rб - объемное сопротивление базы

rб rbb - сопротивление базы

rэ - сопротивление эмиттерного перехода

rк - сопротивление коллекторного перехода

Uкб UCB - напряжение между коллектором и базой

Uкэ UCE - напряжение между коллектором и эмиттером

Uэб UEB - напряжение между эмиттером и базой

W - ширина базы биполярного транзистора

y11, y22- входная и выходная проводимости

y12, y21 - проводимости обратной и прямой передач

z11, z22 - входное и выходное сопротивления

z12, z21 - сопротивления обратной и прямой передач

α - коэффициент передачи тока эмиттера

β - коэффициент усиления

μэк - коэффициент обратной связи эмиттер-коллектор

γ - коэффициент инжекции, или эффективность эмиттера

χ - коэффициент переноса

η - коэффициент неоднородности базы

 

Полевой транзистор

 

Сox - удельная емкость подзатворного диэлектрика

Iс ID - ток стока

Iз IG - ток затвора

IDS - ток канала исток-сток

R0 - омическое сопротивление

Ri - внутреннее сопротивление

S - крутизна характеристики

Uзи UGS - напряжение затвор‑исток

Uси UDS - напряжение исток - сток

Uзс UDG - напряжение сток - затвор

UЗИ пор Uпор UGS (th) VT - пороговое напряжение

UЗИ отс Uотс UGS (off) - напряжение отсечки

Vox - падение напряжения на окисном слое

VТ - пороговое напряжение

VSS - напряжение, приложенное к подложке

m - коэффициент усиления

 

Тепловые параметры

 

Rthja - общее тепловое сопротивление диода или транзистора

Rthjc - тепловое сопротивление переход - корпус транзистора

Rthca - тепловое сопротивление корпус - окружающая среда

 

КНИ Kf - коэффициент нелинейных искажений

 doc-версия     pdf-версия

Copyright © 2003-2008  Авторы







Ваш комментарий к статье
Твердотельная электроника - Обозначения приборных параметров :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>